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11.
杨中东%陈淑华%宫秋苓 《宇航材料工艺》2002,32(2):19-20
介绍了一种新的复合固体润膜技术,即利用铝合金硬质阳极氧化处理技术与固体润滑剂聚四氟乙烯复合,从而形成铝合金聚四氟乙烯复合涂膜。介绍了该方法的技术原理和工艺,该复合涂膜具有自润滑减磨性能以及国内开发应用的前景。 相似文献
12.
吴波%张翥%沈剑韵%彭德林%柳松清 《宇航材料工艺》2002,32(2):47-50
讨论了Ti2AlNb基合金的熔炼特点,概括介绍了真空水冷铜坩埚感应凝壳熔炼的设备结构原理和工艺技术,结合Ti2AlNb基合金的熔炼实践,研究了合金元素的加入形式、熔炼室真空度对合金铸锭的均匀性以及合金中Al挥发烧损的影响规律。结果表明:采用水冷铜坩埚真空感应凝壳熔炼Ti2AlNb基合金,合金铸锭成分均匀性很好,随着熔炼工艺的不同,Al挥发烧损在5%~10%(质量分数)之间。 相似文献
13.
路华%任胜乐%王永章 《宇航材料工艺》2004,34(4):55-58
介绍一种以工控机为核心、交流数字伺服电机为执行元件、采用半径跟随臂实时反馈纱团半径值的新型张力控制系统,并具体介绍了张力控制系统的硬件、软件设计、数学模型的建立等。实际应用证明系统达到了要求的指标。 相似文献
14.
用扫描隧道显微镜(STM)对粘胶基碳纤维(RCF)表面的微观结构进行了研究,首次获得了原子级的RCF图像,对其原子间距作了精确地量化,并且尝试着将所得到的图像与高定向降解石墨(HOPG)相比较,以期对RCF的微观结构有更深入的了解,在原子级尺度上,发现了原子排列并不规则的石墨状结构,二维视图量化结果表明:相邻原子间距为0.142nm,最近六圆环中心的距离是0.253nm。 相似文献
15.
王长福%乔小晶%任慧%张同来 《宇航材料工艺》2002,32(6):22-25
采用混合熔融盐法成功地合成了以PAN基高模量碳纤维作宿主,FeCl3作插层剂的石墨层间化合物,采用XRD技术对其层间结构进行了表征。结果表明,所得产物内部已经形成混阶的阶结构。通过SEM和TEM观察了其形貌和结构的变化,同时利用EDS测定了各元素的相对含量。 相似文献
16.
孙红卫%凌英%顾兆旃%刘兰 《宇航材料工艺》2001,31(3):33-36
通过对延长硅橡胶密度烧蚀材料体系施工期的研究,发现酸酐固化剂可以将环氧改性硅橡胶低密度烧蚀材料的施工期延长到24h以上,从而可能实现真空热压罐大面积灌注密度烧蚀材料的成型工艺。通过对固化材料进行红外分析,发现加入酸酐固化剂后并未改变硅橡胶和环氧树脂各自的反应,没有新的反应特征峰出现,说明环氧和硅橡胶之间无反应,只是物理共混,从材料拉伸断面的扫描电镜观察可以证实硅橡胶和环氧树脂以海-岛结构存在。 相似文献
17.
吴昌忠%陈静%陈怀宁%林泉洪 《宇航材料工艺》2005,35(3):17-20,30
综述了钛及钛合金高温钎焊结构在现代工业中的应用。在分析了钛基钎料应用和发展的基础上,重点分析了钎焊接头的组织与接头性能的关系以及影响因素。指明接头组织中脆性金属间化合物相的存在形态是决定接头性能的主要因素,接头间隙和钎焊时间决定了接头的组织形态,从而影响接头的性能。钛及钛合金高温钎焊接头的拉伸性能、高温性能和疲劳性能是优越的,而接头氧化后的性能急剧下降。并展望了钛基材料连接的发展方向。 相似文献
18.
武迪蒙%曾科%唐文睿%杨刚 《宇航材料工艺》2007,37(2):17-21
合成了三种AB型聚酰亚胺单体:4-(4-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体4),4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体7)和对(间)乙基4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸酯(单体8或9)。利用热失重分析(TGA)对比研究了这三种AB型聚酰亚胺单体的热行为。结果表明,单体4、单体7和单体8(9)在升温的过程中能发生热聚合生成聚酰亚胺。将单体4用于气相沉积聚合设备,得到了均匀透明的聚酰亚胺薄膜。对分子结构的修饰使单体8(9)较之单体7有更好的挥发性。 相似文献
19.
胡忠武%李中奎%张清%殷涛%张廷杰 《宇航材料工艺》2006,36(4):46-49,57
主要讨论了钼-铌合金原料品质,包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响。结果表明:高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,在20 kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶,但其经过两次电子束熔炼获得的Ф(12~17)mm原料棒C元素质量分数降为6.3×10-3%、O元素质量分数降低了近2个数量级,仅为1.4×10-3%,能稳定地生长制备出Ф31 mm×735 mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18 mm或小于Ф11 mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶。 相似文献
20.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献