人与猿的相同与不同（下）

基因作证：类人猿是人类的“近亲” 看过《猩球崛起》后，相信很多人的心里都会产生一种诡异的亲切感，因为类人猿太像人类了。的确，随着科学研究的深入，人与猿之间的区别已不像以往认为的那般遥远。 2005年8月31日，来自美国、以色列、德国、意大利和西班牙等国家20余个科研机构的67名科学家组成的“国际黑猩猩基因测序与分析联盟”宣布：经过近4年的努力，他们初步完成了黑猩猩基因组序列与人类基因组序列的比较工作。分析显示，黑猩猩和人类基因组的DNA序列相似度达到99％，即使考虑到DNA序列的插入或删除，     

飞机结构雷击损伤和修理

根据气象部门预告，2009年雷暴天气是2000年以来最严重的一年，随着雨季的到来，飞机遭受雷击的概率也越来越大。本文着重描述飞机结构的雷击损伤并将具体修理方法进行归纳，供业界同仁参考。     

空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究

利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件在空间辐射环境中的适用性。基于辐照前后器件的暗电流、光电流、光谱响应、电容等参数随辐照剂量变化的测试数据,对各参数受辐照影响的程度和不同辐照模拟源对光电器件造成的辐射损伤差异进行了比较分析。结果表明:PIN光电二极管的暗电流是受辐照影响最严重的参数,而光电流、光谱响应、电容等参数受辐照影响较小;暗电流增加主要与质子和中子辐照引入的非辐射复合中心有关,并与位移损伤剂量基本成线性关系。     

航空发动机轮盘优化设计的策略与纲要(轮盘优化设计系统TDSOS简介)

轮盘结构形状复杂,完全按照实际结构进行结构分析也非常困难。为此,将榫头沿根部从轮盘中分离出来,作为三维问题处理;剩下的盘体简化为轴对称问题。由于简化了盘体,忽略了局部的应力集中,为此,适当降低被简化部位的屈服应力以做补偿。这样处理是否合适,需要从得到的优化设计中取出被简化的部分进行三维弹塑性计算来校核。如不满足给定条件,调整后重新进行优化直至满足要求。      

SiC陶瓷纤维先驱体的研究动态

对国内外SiC系列陶瓷纤维先驱体的主要合成方法及工艺进行了总结,比较了各种方法所得先驱体的产率,杂元素含量,分子形状形态,分子量及其分布等结构参数,先驱体可纺性以及对应烧成纤维的力学性能。提出降低先驱体中杂元素含量,改善其可纺性及先驱丝的强度,提高陶瓷收率是SiC系列陶瓷纤维先驱体分子设计的方向。     

空间物理学最新进展与展望

空间物理学是人类进入空间时代后迅速发展的一门新兴交叉学科,特别是进入新世纪后国内外都取得了辉煌的成就.本文简要介绍空间物理领域近年来取得的重要进展、重要成果、国内外发展趋势,以及未来发展的重点方向.     

铰链力矩天平技术及其在风洞实验中的应用

本文介绍了全机半模型铰链力矩天平技术的研究;介绍了七台铰链力矩天平和四套专用校正装置的设计和研制;天平的静校及其在 FD-09低速风洞进行的波音707模型的铰链力矩实验。通过实验证明:在一个模型上同时应用多台铰链力矩天平进行风洞实验的技术,有效地节省了试验时间和经费,提高了风洞实验效率。实验结果表明了铰链力矩天平组的设计符合风洞实验的要求,静校精度较高,动校结果可靠。     

一种新型高效能双差动音圈电机设计与实现

针对高支撑刚度、大推力输出的需求,提出了一种双音圈差动结构、轴向支撑的新型音圈作动方法,实现了在紧凑结构空间内磁能的最大化利用,提高了音圈电机的效能。首先进行了结构设计,利用两块环状永磁建立了内外圈两个工作磁隙,每个工作磁隙采用一组差动音圈。然后进行了磁场设计,进行了有限元模型分析,以磁场均匀性和磁场强度为目标进行了结构参数的优化。最后,加工制造出样机,进行了实际的输出力特性测试、频率特性测试,测试结果表明：该差动音圈电机具有较高的推力,在运动范围内,推力平稳,效能满足设计预期     

北极光下的玻璃屋

神秘美艳,千姿百态,变幻莫测,北极光（Aurora Borealis）,是如此令人着迷和神往,许多北方民族的神话中对于它的形成都有着自己的说法。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.