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111.
二维叠层C/SiC复合材料低能量冲击损伤实验 总被引:1,自引:0,他引:1
C/SiC复合材料是航空航天器中的耐高温材料,其服役环境存在低能量冲击源且关于此类冲击事件的研究相对较少。本文主要采用落锤冲击系统性地揭示2D叠层C/SiC复合材料平板的抗低速低能量冲击性能,通过改变冲击能量考核不同单层厚度和平板厚度的抗冲击性能变化,并利用CT技术进行冲击后无损检测,分析结构内部细观损伤。结果表明:冲击载荷下,C/SiC复合材料按冲击载荷变化可分为线性、屈服和回弹3个阶段;典型冲击损伤形式包含局部压溃、分层、纤维断裂及基体微裂纹;同等结构厚度,单层厚度越大C/SiC复合材料平板冲击变形和冲击损伤越小,冲击阻抗值越高;同等单层厚度下,结构总厚度较大的C/SiC复合材料平板冲击损伤较小,冲击阻抗较大。因此,C/SiC复合材料的预制体层数与结构厚度对低能量冲击源较为敏感,且减小单层厚度及增加结构总厚度可明显提高其抗冲击性能。 相似文献
112.
本文是文献[1]工作的继续。主要讨论了同时不变子空间的三种特征:即时域特征、频域特征和几何特征。特别对包含在给定子空间H中的最大同时不变子空间给出了新的描述。利用这些结果,文中首先给出了一类离散扰动系统鲁棒干扰解耦问题的充要条件,然后推广到了连续扰动系统,获得了一个Kharitonov型的结果。 相似文献
113.
应用二维三维量磁流体动力学方程组模拟,数值研究了压力各向异性等离子体周期多重电流片的演化,发现在β<<1时,微弱的各向异性仅仅使电流片中磁场重联的速度加快,而当β≈1(即热压与磁压相当时,微弱的垂直各向异性不仅大大加速了磁场重联的速度,还使重联位置发生显著变化。初始反对称的磁场重联位形逐步转化为对称的磁场位形,进而再演化为与初始反相的反对称磁场位形,场向各向异性和强的垂直各向异性都导致不稳定性增长率成倍增加。但在场各向异下磁场位形基本不变,只在电流片中心出现不规则扰动,同样参数下向向异性等离子体多重电流片中磁场重联形成的磁岛比各向同性多层电流要小。 相似文献
114.
不确定系统的鲁棒严格正实设计的LMI方法 总被引:3,自引:0,他引:3
考虑系数矩阵具有有界范数不确定性系统的鲁棒严格正实设计问题.定义了不确定系统的二次严格正实性,得到了用线性矩阵不等式表示的系统二次严格正实的充要条件,给出了基于状态反馈的不确定系统二次严格正实鲁棒优化控制器的设计方法. 相似文献
115.
为了获得流道中心线变化规律和截面膨胀比ε对圆转方过渡段流场形态的影响规律,在某型发动机的真实工况下,分别对3种中心线变化规律(前缓后急、缓急相当、前急后缓)和5种膨胀比(1.00,1.01,1.03,1.05,1.07)的圆转方过渡段结构进行建模计算,得到了圆转方过渡段内部流场形态、总压恢复系数和流向涡涡量的变化规律。结果表明:不同结构的横截面静压和速度分布差异较大。前急后缓结构在圆转方横截面出现明显的角涡;在三种中心线变化规律结构中总压恢复系数沿流向均呈下降趋势,流向涡涡量沿流向均呈先增大后减小的趋势,三种结构的流向涡涡量最大值从大到小依次为前急后缓结构、前缓后急结构和缓急相当结构,最大最小值相差19%。随着膨胀比的增大,在圆转方横截面会出现角涡;在不同膨胀比结构中总压恢复系数沿流向均呈下降趋势,流向涡涡量沿流向均呈先增大后减小的趋势,膨胀比1.03结构的局部流向涡无量纲涡量比1.07结构小40.9%。缓急相当中心线变化规律和膨胀比ε=1.03为最佳结构参数。 相似文献
116.
117.
118.
一、前言 A/D,D/A和数据采集装置是连接广泛物理参数的模拟量与具有强大生命力的电子计算机(当然包括微处理机或单板机)的桥梁。由于数字系统具有成本低,精度高的特点所以它的用途很广泛,而且推广也很迅速。目前国外不仅在炼钢工业、食品工业、化学工业等方面大量应用,而且在遥测系统、脉冲编码通讯、视频信号处理系统、数据记录系统以及在各种典型的实验室中的大量仪器中均得到应用。据1980年美国有关专家报导,最近几年美国小 相似文献
119.
一、前言作者于1985年到苏联进修,有机会接触到苏联在动态测量方面的情况,因而有些粗浅的了解。本文简要介绍苏联近十五年来在动态测量方面所做的工作,供有关人员参考。二、概述有关动态测量问题,从不同角度出发,会 相似文献
120.
两头尖细细长体压力中心的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用静稳定性,测量了两头尖细细长体压力中心。实验证明:本文提出的按细长体理论加上横向绕流假设计算这类物体的压力中心是准确的。 相似文献