螺旋桨/机翼耦合下的目标螺旋桨滑流设计

针对分布式电推进(DEP)构型等具有多螺旋桨特征的飞行器,发展了通过优化螺旋桨滑流来达到提高机翼升阻比的方法。提出了一种可以获得目标诱导速度分布的螺旋桨设计方法,基于面元法发展了一套可以快速计算螺旋桨机翼干扰的气动程序Prop-wing,基于Kriging代理模型建立了一套高效的优化方法获得最优的螺旋桨诱导速度分布提高机翼升阻比。优化结果显示当拉力保持相同时,螺旋桨桨毂附近的轴向诱导速度越大,下游机翼的升阻比越大。在不对螺旋桨功率进行限制时,优化后的螺旋桨使得下游的翼段阻力相比较安装最小能量损失设计的螺旋桨的翼段减少了1875%,而翼段升阻比提升达到了2563%,当优化螺旋桨功率被限制后,翼段升阻比提升为962%。虽然升阻比的提升需要付出螺旋桨效率下降的代价,但是研究还是给分布式动力滑流的利用提供了一种思路。      

大型气动声学装置的研制

研制了一种气动声学装置用于模拟流管内部的流场和声场.在流管试验装置中,通过流场和声场的测量计算声衬的声阻抗等声学性能参数,包括声衬材料表面的流动速度和声压的频率和幅值等.该气动声学装置已研制成功并应用于试验中.     

关于非开普勒轨道的讨论

讨论了非开普勒轨道问题的形成、提出及其应用。首先引述了开普勒三大定律,说明了其作为天文观测结果的创造性概括能够描述行星的运动学原理;然后提出了非开普勒轨道问题,它是人造卫星可控性的必然结果。叙述了典型的非开普勒轨道问题,包括航天器在单心引力场中的运动（即二体问题）和多心引力场中的运动（即多体问题）,作为特例研究了螺旋变轨爬升轨道和悬挂轨道。最后提出了非开普勒轨道的应用,包括动能拦截问题,多星编队、组网与重构问题,系统整体组合优化机动问题等。     

热处理对3D-C/PyC/SiC力学性能的影响

研究了2种热处理工艺对3D-C/PyC/SiC力学性能的影响规律和机制。沉积SiC基体前对有PyC界面相的炭纤维编织体进行热处理,使3D-C/PyC/SiC的室温弯曲强度和KIC显著提高,最大提高幅度分别可达38.6%和80.5%。沉积SiC基体后对C/PyC/SiC进行热处理,使3D-C/PyC/SiC的室温弯曲强度和KIC显著降低,最大降低幅度均可达60%以上。     

俄罗斯将在国际空间站上安装天文观测模块

塔斯社网站2019年3月20日报道,俄罗斯科学院空间研究所(IKI)宣布将在国际空间站俄罗斯舱段上安装全天空监测仪,用于测量X射线宇宙背景辐射亮度,分析和绘制83%的宇宙地图。全天空监测仪将于2020年通过货运飞船运抵国际空间站,再由航天员执行出舱任务时安装在俄罗斯舱段外部的通用模块上,任务周期为3年。     

俄罗斯开发国际空间站单圈飞行对接方案

<正>俄罗斯国家航天集团公司(Roscosmos)网站2019年4月26日报道,俄罗斯能源火箭公司(RSC Energia)专家已经制定出飞船单圈飞行对接方案,可实现约2h内与国际空间站对接。该飞行方案的主要优点是可以缩短航天员在载人飞船上花费的时间,将各种科学实验用生物材料快速运送到国际空间站。此外,飞船与国际空间站对接所需时间越短,可以节省越多的飞行所需燃料和其他资源并方便开展太空救援。     

日本政府讨论空间科学技术发展路线图

<正>2019年5月22日,日本内阁府空间政策委员会召开会议,就新版空间科学和探索路线图进行了研讨,主要内容包括推动空间科学和探索发展的原则,天文学和空间物理、太阳系探测、空间工程三大领域的发展构想等。日本空间科学和探索面临的新挑战主要包括:任务规模扩大,难以独立开展空间探索活动;空间科学项目之间缺乏协调,研发资金分散;国际合作任务     

NASA遴选国际空间站空间天气任务载荷

NASA网站2019年2月26日报道,NASA为太阳物理探索者计划(Heliophysics Explorers Program)遴选出一项新任务——大气波动实验(AWE),将重点研究地球高层大气中的气辉现象,首次获取空间天气驱动因素的全球观测数据,并帮助了解和最终预测地球周围庞大的空间天气系统。AWE由犹他州立大学的Michael Taylor担任首席科学家,NASA戈达德航天飞行中心(GSFC)探索者计划(Explorer program)办公室负责管理。     

基于灰色层次分析法的武器系统综合保障能力评估

针对武器系统综合保障能力的评估问题,建立了武器系统综合保障能力评估指标体系,综合运用层次分析和灰色理论方法建立了解析模型,最后通过一个实例的计算证明了该方法的有效性。     

树脂浸渍热解次数对C/SiC刹车材料结构的影响

采用三维针刺碳纤维预制体,通过树脂浸渍热解工艺制备C/C多孔体,然后结合反应熔体浸渗法(RMI)制备了C/SiC复合材料,研究了树脂浸渍次数对C/C多孔体及C/SiC复合材料结构的影响。