四足步行机运动机构及步态参数对行走稳定性影响分析

本文研究了四足步行机的行走稳定性问题,建立了考虑运动机构包括腿机构及其传动系统影响的稳定性模型;分析了各步态参数对稳定性的影响,并以研制的四足步行样机为例进行了计算机仿真。     

消除装配干涉的最佳标注方法——延伸公差带标注法

螺钉联接、销钉联接及键的联接在航空机械类产品中比较常见,特别是在飞机附件、发动机附件中的应用更为广泛,这类联接在生产实际中常出现装配干涉的情况。现以图1螺钉联接为例来说明。     

卫星钛导管钎焊焊料研究

钎焊料是实现卫星钛导管安装位置氩气保护高频钎焊的三大技术关键之一。本文简述了用于卫星钛导管钎焊的钎焊料试验研究结果。通过对Ti-Cu-Ni、Ti-Zr-Ni、Ag-Al-Mn和49Ti-49Zr-2Be等钎焊料与纯钛的钎焊工艺性能试验、接头与无水肼介质的相容性试验、接头强度试验等比较,确定了用于卫星钛导管钎焊焊料的化学成分(10-20%铜、14—25%镍、余为钛)和熔化温度(890—920℃)。钛导管接头,用该钎料在氩气保护下进行高频钎焊时,能满足卫星钛导管的各项技术要求,可代替钛锆铍钎焊料用于卫星钛导管的钎焊。     

如花女子的如梦人生——李怡蓉的创意世界

认识上海电视台纪实频道主持人李怡蓉,不是因为她的工作原故,而是我们共同尊敬的一位艺术界的前辈,认为我们的相识、会见是一件有意义的事。果然,第一次见面就开启了马拉松式的谈天说地,在她的家中听她演奏云南白族的传统乐器,随着她高亢的歌声,     

气膜冷却叶片上扩散型冷却孔对紊流流场的影响

带有护散型冷却孔的气膜冷却叶版是新开发的结构，用于具有很市初始温度（1700℃）的氢气燃气轮机，名古屋工业大学流体机械实验室在日本首次对该结构的流场进行了研究。用垂直型和X型的热线测量了流场，获得了主流方向平均速度，紊流强度和雷诺剪应力，在沿下游方向和展向方向的平面里分别整理了实验数据，证实了扩散冷却孔对改善燃气轮机膜冷却紊流流场的效果。     

单片集成自装配微爬行机器人研究

面向微机器人未来在地外探测上的潜在应用,设计了一种总重24 g、整机尺寸93×71×36.14 mm的自装配微爬行机器人。基于形状记忆聚合物材料的热致形状记忆效应,设计分析了自折叠铰链结构,实现了结构从平面形态到三维形态的自动折叠装配,并在此基础上开展了单片集成自装配为爬行机器人的系统设计与加工测试。基于单片集成一体设计方法,将具有多材质、多器件的微机器人设计为单片平面一体化自装配结构;基于变胞原理,将平面一体化结构进行空间折叠,形成具有三维特征的机体结构和柔顺运动机构,继而通过标准平面成形工艺实现微机器人的加工制造。该微爬行机器人表现出较好的结构和运动性能,整机可在30 s内完成自动折叠装配到三维结构形态,爬行运动速度为20 cm/s,能承受6.2 N的静态结构负载和6G过载,验证了单片集成一体化自装配设计研制分米—厘米尺度下的微机器人的技术实现能力。     

星载有效载荷印制插件板的力学设计

根据星载有效载荷的工作环境及其印刷插件板的设计形式，对有／无加强筋的印制插件权分别用空间飞行器结构有限元分析程序（ＥＤＡＳＳ）进行仿真试验和力学分析，同时也进行了实物振动试验。最后对两种试验的结果进行了比较。     

运载火箭尾段防热/承载一体化热防护系统设计及性能分析

先进热防护技术是可重复使用运载火箭研制的关键技术之一,具有高结构效率的防热/承载一体化热防护系统是运载火箭极具潜力的备选热防护方案。本文系统地总结了可重复使用运载火箭尾舱段防热和承载两方面的设计要求,设计了一种全复合材料防隔热/承载一体化热防护系统。开展了运载火箭尾段一体化热防护系统设计,进行了代表性单胞结构的高温环境地面试验,揭示了复合材料一体化热防护系统的防隔热机理。同时施加力学和热流载荷,利用有限元方法对运载火箭尾段进行了热力耦合分析,获得了尾段结构的温度场、应变场和应力场。结果表明:在典型载荷工况下一体化热防护系统内壁温度保持在89.2℃以下,内部最大应力不超过9.53 MPa,安全系数达到1.89。     

缺口件疲劳寿命预测新方法

采用有限元方法针对缺口件多轴疲劳实验结果进行模拟。结果表明,相同路径条件下,随着缺口半径减小缺口根部附近的应力梯度显著增加。基于缺口根部应变值,采用等效应变法进行疲劳寿命预测,预测结果随缺口半径的减小而偏于保守。采用应力梯度法确定有效距离,相同路径下,随着缺口半径的减小有效距离减小;依据该有效距离处的等效应变进行疲劳寿命预测,总体预测结果较为分散且偏于不安全。基于实验及有限元模拟结果,提出了基于应变梯度的有效距离确定的新方法,大部分疲劳寿命预测结果位于2倍分散带内。     

典型CMOS存储器电离辐照效应

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现：不加电（冷备份）状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。