陶瓷材料的疲劳特性与寿命预测

本文根据线弹性断裂力学基础讨论了陶瓷材料的疲劳特性,介绍了对陶瓷材料进行寿命预测的理论与方法。     

北斗实时精密轨道和钟差产品解算策略及精度评定

随着北斗卫星导航系统全球星座部署即将完成，其应用领域不断扩大，实时精密服务性能受到了极大关注。基于动力学精密定轨方法，设计了北斗卫星实时轨道、钟差算法流程和解算策略。利用不同频点信号，分别计算了BDS-2和BDS-3卫星的实时精密轨道和钟差，建立了完整的轨道和钟差精度评定方法，重点对解算的实时产品的精度进行了评定。结果表明：BDS-2和BDS-3实时精密轨道和钟差产品精度均可满足大部分实时用户的需求。对于B1IB3I频点，BDS-3 MEO卫星的实时轨道精度约为26cm，径向精度约为6cm，实时钟差精度约为0.45ns，且相较于BDS-2，性能更加稳定；对于B1CB2a频点，BDS-3 MEO卫星的实时轨道精度优于20cm，精度和稳定性较高。     

一架飞机大迎角控制律设计验证

本文将分支与突变理论方法(简称BACTM)应用于飞机与飞行控制系统相组合的高阶模型,利用局部寻优的方法验证设计了迎角限制器,并且给出了操纵限制。在分析了飞机的气动特点之后,验证设计了相应的防尾旋模块,得出的结果与国外先进的同类飞机的结果相近.     

二维C/C复合材料的断裂韧性研究

进行了炭布增强二维C/C复合材料的平面应变断裂韧性(KⅠc)和层间断裂韧性(GⅡc)研究,它们的测试分别采用了单边缺口梁(SENB)弯曲法及端部切口弯曲法(ENF)。结果表明,2D C/C垂直于炭布铺层方向的断裂韧性KⅠc为5.48MPa·m1/2,是毡基C/C的4倍,但稍低于针刺C/C。2D C/C的层间断裂韧性随测试温度的升高而增加,在2000℃裂纹扩展的临界载荷是室温时的2倍,而层间断裂韧性则提高了4倍。这说明2D C/C在高温下抗层间裂纹的扩展能力增大,这一结果对实际应用带局部小面积缺陷的新型2D C/C部件提供了更大的设计自由度和安全可靠性。     

一种高精度的获取导弹脱靶量的方法

本文以雷达接收到的多卜勒信息为依据,应用现代控制理论知识,推导了一种新的导弹脱靶量的获取方法:参数辨识法。它利用了导弹和目标相对运动产生的多卜勒效应,建立起关于脱靶参量与多卜勒周期数的线性方程。应用参数识别的办法,对脱靶参数进行辨识,它解决了其它方法未能克服的问题:因体目标效应所产生的多卜勒频率的起伏噪声对估值精度的影响。在此基础上,又推导了一种克服噪声相关性的改进算法。仿真结果表明,本文的算法是很有效的。     

模拟月尘对巡视器车轮轮轴材料的磨损试验研究

文章以CE-3巡视器车轮轮轴为研究对象,利用北京卫星环境工程研究所的月尘环境模拟器、摩擦磨损试验机以及自行研制的模拟月尘,对车轮轮轴主要材料进行了磨损试验研究。试验样品为轮轴常用的铝合金、聚四氟乙烯及轴承钢。文章分析了试验前后样品的表面形貌,采用测试系统获得了轮轴材料在不同试验条件下的摩擦系数曲线,采用电子天平测量了材料的质量损失;分析了真空、大气、有无月尘等试验条件以及材料本身在磨损试验中的效应。研究结果可为月面巡视器等月面应用设备的研制提供可借鉴的信息。     

周期结构对AlTiN多层薄膜结合能影响

使用TiAl合金靶,利用中频反应磁控溅射系统,通过交替改变氮气流量的方法,在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积了氮含量周期性改变的AlTiN多层薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等方法研究了AlTiN多层薄膜微观组织和结构;AlTiN多层薄膜的力学以及膜基结合性能用纳米压痕硬度仪和划痕试验得到。结果表明,制备的AlTiN薄膜,尽管交替的两层中氮含量不同,但每一单层都为非晶包裹纳米晶的纳米复合结构,所不同的是,低氮含量层中纳米晶密度较小。多层结构的形成能够很大的提高AlTiN多层薄膜的临界载荷和结合能,同时硬度和弹性模量值均有微小的提高,氮气流量的增加有利于多层膜性能的改善。     

关于形多孔介质内自然对流中分叉现象的理论分析

本文在文献［１］的基础上，进一步从理论上研究了环形多孔介质同自然对中的分叉现象。通过稳定性分析，得到了临界分叉点的理论估计值，结果表明本文所采用的线笥稳定性分析方法在研究这种分叉现象时是有效的，从而为一些更复杂的分叉现象的理论研究提供了一条可能的途径。     

新型抗辐射器件可在轨工作十年

日本三菱公司最近成功地生产出耐受辐射能力极高的产品,在轨道上可工作十年,性能不下降,一般可达到卫星本身的寿命。普通的MOS结构的64k静态RAM由于在辐射影响下会发生自锁和软错误,故在上述同样的环境下仅能用一年。三菱公司搞的新型静态RAM的另一个特点是,集成度在至今所生产的人造卫星专用存贮器大规模集成电路,及超大规模集成电路中是最高的。早先,此类存贮器的最大容量为4k。这种新芯片获得如此高的抗辐射能力的关键之一,是使用改进了的单晶硅薄膜基片。另一个因素是将芯片在制造过程中所承受的温度下降至900℃,大约下降了100℃。