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31.
本文基于脉动(Systolic)阵列结构,提出了一种基于状态空间模型预测控制的并行算法,这种算法可以通过阵列结构并行实现,以满足地形跟随系统的实时控制参数合成的要求 相似文献
32.
33.
34.
陈方明%管俊芳%朱诚意 《宇航材料工艺》2003,33(6):47-51
应用电子探针(EPMA)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)对共沉降法制备的Mo—Ti梯度功能材料的化学成分分布、显微组织和断口形貌进行了研究。结果表明,试验材料整体致密,化学元素分布、显微组织和断口形貌具有梯度变化特征。富Mo区颗粒以机械混合的形式存在;以Mo为主要组分的Mo—Ti梯度层,也是以机械混合为主;以Ti为主要组分的Mo—Ti梯度层,主要以多边形β相存在;富钛区钛主要以球形α相存在。富Mo区为沿晶脆性断裂,富Ti区为典型的穿晶解理断裂,Mo—Ti梯度层以穿晶解理断裂为主,还表现出延性断裂特征。 相似文献
35.
李邦盛%吴士平%尚俊玲%郭景杰%傅恒志 《宇航材料工艺》2005,35(4):42-46
采用自蔓延高温合成(SHS)、感应熔炼和熔模精铸相结合的方法,利用Ti—B—Al体系制备出了原位自生TiB增强的钛基复合材料。借助XRD、SEM和TEM分析了复合材料的物相和增强体的形态。结果表明:在复合材料中只存在TiB增强体和Ti,无TiAl3杂质相形成,TiB增强体呈柱状短纤维,这与其B27晶体结构有关,且增强体/基体界面清洁无杂质污染,并从热力学和动力学两方面论述了在Ti—B—Al体系中制备TiB增强体的生成机制:在Ti-B—Al体系中,Al首先受热熔化使得Ti和B相继溶解于Al液中;Ti与Al之间先行发生化学反应形成Ti—Al金属间化合物,放出的热量进一步引发了溶解于液相中的B和Ti产生高温自蔓延形成Ti—B化合物。以热力学理论分析,应最终形成TiB2,但实际上由于动力学影响,最终形成了TiB。 相似文献
36.
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
37.
结合10000 m^3/h空分设备高纯氧的生产过程,撰述了在高纯氧产品生产过程和产品质量控制中分析仪器的选型及使用这些分析仪器的一些体会. 相似文献
38.
39.
利用数字图像处理的方法开发了轮胎胎号字符识别系统。首先通过CCD摄像头获取轮胎胎号图像,再对得到的图像进行预处理和特征提取,最后用人工神经网络的方法识别出图像中的字符信息。实验结果表明该方法是有效的。 相似文献
40.
为了研究无热子空心阴极冷启动特性,测量了点火电压、供气流量、触持极与发射体间距等对空心阴极的点火及放电特性的影响。随着空心阴极点火电压从200~600V逐渐升高,阴极冷启动过程分成了未点着过程、过渡过程和稳定点着过程。稳定点着过程分成了击穿和自持两个阶段;在过渡过程中随着点火电压升高,冷启动时间逐渐缩短;在1~9sccm范围内逐步增大供气流量,无热子空心阴极冷启动点火电压逐渐下降;无热子空心阴极的放电特性与传统有热子空心阴极放电特性基本保持一致,同时随着触持极与发射体间距从2.3mm逐渐增大到4.3mm,放电特性也逐渐恶化。 相似文献