碳/酚醛复合材料烧蚀性能的实验研究

总结了电弧加热器湍流导管试验装置上对碳／酚醛复合材料的烧蚀试验结果，利用多元线性回归方法。拟合出烧蚀材料的有效烧蚀焓与冷壁热流密度、壁面压力的关联式。在一定热流、压力范围内可以很方便地计算出碳／酚醛复合材料的有效烧蚀焓和质量烧蚀率。     

高温陶瓷透波材料研究进展

简要介绍了高温陶瓷透波材料的研究进展，对比了陶瓷透波材料和高分子有机透波材料的力学性能和介电性能，提出了高温透波材料的研究重点和方向。     

吸波材料的设计和应用前景

较系统地论述了吸波材料设计的理论基础，介绍了基体和损耗介质的选用，探讨了拓宽吸波频带的几种可行途径，并对吸波材料的应用前景作了概要叙述。     

SRAM及其二维结构的隐身特性计算分析

应用有限元数值计算方法结合吸收边界条件，对结构型吸波材料的隐身特性计算进行了算法分析研究；并据分层组配方案对二维层合板SRAM结构(二层和三层结构)的雷达散射截面进行计算，得到最优隐身特性的组配方案；最后对波纹板SRAM结构、波纹板斜面与底板夹角变化对雷达散射截面的影响进行了计算分析，得出正趋势的结论。     

不同力学边界下梯度功能材料板稳态热应力

用有限元法研究了由ZrO2和Ti-6Al-4V组成的梯度功能材料板的稳态热应力问题，检验了研究方法的正确性，给出了不同力学边界条件下该材料板的稳态热应力场分布。结果表明：无限自由长板内的热应力最小；当无限长板只能伸长、不能弯曲时，板内稳态拉应力最大，比无限自由长板时板内最大拉应力增大6．1倍；当无限长板的伸长、弯曲受限时，板内的压应力最大，比无限自由长板时板内最大压应力增大12．0倍；此外，材料组分形状分布系数M、对流换热系数、环境介质温度和孔隙度的变化对不同力学边界条件下该材料板稳态热应力场的影响显著。此结果为该材料的设计和应用提供了准确的理论计算依据。     

等离子体微弧氧化表面处理LY12铝合金的高温拉伸性能

采用等离子体微弧氧化技术对LY12铝合金表面进行氧化处理,对处理前后材料的高温拉伸性能进行了研究,用SEN观察试样拉伸断口及陶瓷涂层形貌。结果表明:在高温条件下,LY12铝合金表面陶瓷化后拉伸强度有一定提高,且随温度的升高,拉伸强度提高的比率增大,说明在高温条件下陶瓷涂层对铝基体起到了一定的隔热作用;表面陶瓷化对LY12铝合金的延伸率影响不大。试样为典型的韧性断裂,且断裂后陶瓷膜层没有出现大面积脱落,表明陶瓷涂层与铝基体结合良好。     

推进剂中GAP单体氮消除的反应机理

利用B3LYP方法和TST-RRKM理论研究了GAP的一种单体CH3CHOHCH2N3的N2消除反应。计算发现该单体存在三种异构体,得到的反应势垒显示在常温下这些异构体就可以自由转换。计算结果显示有两条反应路径可以解离生成亚胺和N2,反应势垒分别为160.2kJ/mol和164.7kJ/mol,反应放热为213.7kJ/mol,与前人的实验结果相当吻合。计算得到的反应速率常数有着明显的负温度效应,并且随着反应压强的增加而增大。压强为0.1MPa时,反应速率在900K时达到极大值,为1.53×10-12cm3.mol-1.s-1。     

耐超高温材料研究

综述了可用于2200—3000℃高温环境下难熔金属、陶瓷及碳／碳复合材料等研究进展和各种材料的优缺点；介绍了提高材料性能所采取的方法，指出了耐超高温材料研究的发展方向。     

雷达罩的综合优化设计

在分析对比现有的雷达罩设计方法基础上，针对某型直升机机栽雷达罩，研究了雷达罩设计过程中的基本问题、关键技术和综合优化设计方法，运用三维射线追踪法进行了计算机辅助设计，给出了布设防雷击部件的经验公式，讨论了吸波材料选择与喷涂的基本准则。电测结果表明：加罩后的功率传输系数、反射瓣、雷达辐射特性等指标的实测数据与计算值符合较好，满足了设计要求。     

碳化温度对C/C复合材料微观结构及热性能的影响

采用CVI PIC工艺制备了四种碳毡增强碳基复合材料(C/C), 其中对三种样品A、B、C在2 500℃进行了一次石墨化处理,样品D未进行石墨化处理。为与900℃碳化对比,研究了1 500℃碳化对复合材料微观结构及热性能的影响。结果表明:碳化温度由900℃提高到1 500℃后,样品A的开孔率下降11. 6% ~13. 5%, 1 000℃的xy向线膨胀系数由1. 75×10-6 /K增大到2. 17×10-6 /K; xy向和z向的800℃热导率分别由65. 07W/(m·K)、45. 98W/(m·K)增大到75. 44W/(m·K)、54. 86W/(m·K);xy向和z向的比热容分别由1. 70kJ/(kg·K)、1. 43kJ/(kg·K)增大到1. 79kJ/(kg·K)、2. 19kJ/(kg·K)。样品B和样品C也表现出基本相同的趋势;随着碳化温度由900℃提高到1 500℃,样品D中微晶尺寸由2nm增大到4nm。