面向航天制造企业的数字化工厂建设方案探讨

<正>通过对数字化工厂的理解及相关关键支撑技术的分析,提出面向航天制造企业的数字化工厂构建目标及总体建设方案,规划数字化生产线建设,系统策划实施要点,对航天企业的数字化制造体系进行统筹规划,并借助数字化、信息化手段构建新型数字化精益制造体系。     

MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm~2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。     

容差分配技术在运载火箭壳段铆接装配中的应用分析

从容差建模、容差设计、容差分析、容差优化4个方面,介绍了容差分配技术在国内外航空航天领域的研究、实践和应用情况。结合运载火箭壳段产品的铆接装配工艺特点及其容差分配现状,提出了容差分配技术在运载火箭壳段产品铆接装配中的应用方向及其实施策略。