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991.
992.
翟更太%宋永忠%宋进仁%刘朗 《宇航材料工艺》2001,31(6):17-19
采用粉末热压烧结一次成型工艺压制出石墨/BN复合材料基体,对基体材料进行浸渍、固化和炭化处理,制备出石墨/BN复合密封材料,并对该材料进行性能考察。结果表明,石墨/BN复合材料是一种高温抗氧化、自润滑性能优异的机械密封材料。 相似文献
993.
刘荣军%周新贵%张长瑞%曹英斌 《宇航材料工艺》2002,32(5):42-44
利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析,考察了温度,载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验。在1100℃-1300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低,Ar流量相对小时,制备的涂层致密,光滑。以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力。 相似文献
994.
许漂%成来飞%张立同%徐永东%童长青%张青 《宇航材料工艺》2007,37(4):73-77
采用液相浸渍还原法将Ni渗入C/SiC复合材料,用SEM、XRD技术分析材料的微观结构及组成.采用热膨胀仪和激光脉冲导热仪对材料的热膨胀和热扩散性能进行研究.结果表明:Ni在复合材料内部呈颗粒聚集体态,CVD SiC涂层过程中,Ni与SiC基体反应生成Ni2Si.渗Ni后复合材料线胀系数变化趋势在200~700℃内与C/SiC原料的一致,800℃出现肩峰;再经沉积SiC涂层后线胀系数增大,但整体变化趋势仍与原料的一致.渗Ni后材料的热扩散系数明显高于C/SiC材料.Ni的渗入对C/SiC复合材料的三点弯曲强度基本无影响. 相似文献
995.
主要概述了用MOCVD法制备金属铱涂层的原理以及工艺参数对制备涂层的影响,并对铱做保护层的铱/铼喷管的寿命进行了预测。指出MOCVD法制备铱涂层的关键问题是沉积前驱体的选择、沉积工艺参数的优化,并对MOCVD法制备铱涂层的最新研究进展作了评述,指出了今后的研究发展方向。 相似文献
996.
谢瑞广%薛宁娟%丘哲明 《宇航材料工艺》2003,33(4):6-9
简要介绍了逾渗理论,综述了脆韧转变逾渗分析模型的建立及其在国内的发展。介绍了这一理论在高聚物的共混改性增韧、纳米粒子增韧等方面的应用。 相似文献
997.
张绪虎%胡欣华%曾凡文%汪翔 《宇航材料工艺》2001,31(5):28-31
对B/Al复合管材进行了整体轴压破坏试验,并对材料基本力学性能进行了测试。结果表明,管材轴压的理论计算值比试验破坏值小得多,平均修正系数达1.57;管材基本力学性能σ拉伸、E拉伸分别达到了1130MPa,228GPa,σ压缩、E压缩达到了2510MPa,243GPa。对管材破坏模式的研究认为,为了提高管子的压缩破坏载荷,必须减小管子与接头处的应力集中,改进管子的成型工艺,尽力消除管子成型模具接缝处的薄弱区。 相似文献
998.
郑传林%谢锡善%董建新%徐重%贺志勇 《宇航材料工艺》2002,32(2):51-54
利用双层辉光离子渗金属技术(DGPSAT)对TiAl金属间化合物进行渗Cr处理。研究了主要工艺参数对渗层表面合金含量CA和渗层厚度δ这两个目标函数的影响。结果表明,表面合金含量CA和渗层厚度δ随源极电压Vs、有效功率密度比κ的增加而增加;随阴极电压Vc的增加而减少。气压存在一个峰值,太高或太低都不利。工艺参数的最佳值:源极电压Vs为1200V~1300V,阴极电压为200V~300V,有效功率密度比κ为4~5,气压为25Pa~30Pa。 相似文献
999.