射流式旋涡发生器最佳速度比的工程估算方法

本文从分析侧斜射流-横向流干扰的涡流场出发,讨论了用于附面层控制的射流式旋涡发生器速度此的选择问题。提出了使壁面处产生最大涡诱导速度的速度比Ropt.v和使附面层形状因子获得最大改善的速度比Ropt.H。根据涡参数变化的经验关系推得确定Ropt.v的经验公式,结合射孔后倒流区范围的试验结果,可以估算Ropt.H,估算值与平板附面层试验测量结果相符。      

基于DEM的广东省赤红壤全氮含量与地形特征相关分析

以土壤类型图、地形图、全氮图等资料为数据源,利用ArcGIS 9.2建立广东省赤红壤数字高程模型(DEM),提取海拔高度、坡度、坡向和地势起伏度,探索大尺度下全氮分布与地形特征的关系.研究表明:全氮含量与海拔高度、坡度和地势起伏度呈负相关关系,并随着海拔高度、坡度和地势起伏度的上升分布面积迅速下降,在坡向上,则主要分布于平坦区域和东南坡.     

基于PWM_ON_PWM调制方式的控制力矩陀螺框架电机驱动控制

控制力矩陀螺框架电机驱动电路采用的脉宽调制方式不同,所产生的电机转矩脉动也会不同.针对无刷直流电机驱动的控制力矩陀螺框架系统,从换相期间转矩脉动、非换相期间转矩脉动及脉宽调制方式的应用改进3个方面对不同脉宽调制方式进行分析,得出采用PWM_ON_PWM方式的转矩脉动最小,适用于控制力矩陀螺框架系统的高精度控制要求.通过仿真验证了分析的正确性.     

武装直升机抗坠毁技术研究

随着直升机的迅猛发展,直升机乘员应急救生问题日益得到重视,国内外研究了一些比较成熟的救生方案。该文简要地介绍了武装直升机的救生技术,重点论述了抗坠毁能力和抗坠毁设计中应该采用的措施,以有利于武装直升机的救生,提高武装直升机的生存能力。     

基于自适应RVM的电子系统缓变故障预测方法

针对电子系统缓变故障的预测问题,提出一种自适应相关向量机(RVM, Relevance Vector Machine)方法.首先,对反映电子系统性能的参数序列进行相空间重构,建立RVM的输入输出对应关系;然后,将嵌入维数和核函数参数作为人工鱼位置,取留一交叉验证(LOOCV, Leave-One-Out Cross-Validation)误差的相反数作为目标函数,利用人工鱼群算法(AFSA, Artificial Fish Swarm Algorithm)实现方法参数的自适应优化选择;最后,通过雷达发射机高压电源与多注速调管的故障预测实验验证了方法的性能.实验结果表明:该方法在预测精度和预测可靠性方面优于现有方法.     

一种构建天地一体化网络的航天器信息系统设计方法

随着航天技术的发展,天地间数据交互容量、实时性等需求不断凸显。传统航天器信息系统基于1553B总线或RS422,LVDS等硬线直连架构传输数据,传输速率最多只能达到1Mb/s或100 Mb/s,已无法满足大容量数据实时传输的需求。本文提出一种新的系统设计方法,将地面成熟的1 000 Mb/s/10 Gb/s以太网技术应用到航天器中,构建天地一体化通信网,在天地间无线链路传输总带宽允许的情况下,较大程度提高天地间数据传输速率,同时有效减少星上电缆网配套数量,进而减轻飞行器重量。本文所提方法正在国内某大型组合式航天器设计中应用,可为后续航天器数传设计提供参考。     

印军电子战装备及其山地作战使用特点分析

电子战贯穿现代战争的全过程,对战局乃至战争结果影响巨大。中印加勒万河谷冲突后,中印双方虽然达成协议在冲突地区建立缓冲区,暂时完成"脱离接触",但是印军却大幅增兵冲突地区,并将主战武器装备配置到相关区域,同时向美国、以色列、俄罗斯和欧洲国家大量购买先进武器,与各国进行联合军演,积极备战,中印冲突升级的可能性一触即发。简要介绍了印三军主要电子战装备,并对其山地作战使用特点进行了归纳总结。     

一种新的圆弧绘制算法

通过对圆弧离散像素点的轨迹进行深入分析和研究,提出了一种新的圆弧绘制算法。该算法充分利用圆弧离散轨迹所具有的特性,先找出离散轨迹中各段水平位移与对角位移,然后用画线命令逐段进行绘制。新算法每执行一次输出操作都可以生成两个或两个以上的像素点,提高了圆弧生成速度。     

典型国产双极工艺宇航用稳压器单粒子闩锁 效应研究

通过对某国产双极工艺宇航用稳压器进行不同LET值重离子辐照试验,实时监测器件输出电压的变化幅度和器件供电管脚电流,准确评估了器件抗单粒子效应性能。研究结果表明器件发生单粒子瞬态效应阈值小于5 MeV·cm 2·mg -1 ,当辐照重离子LET值增加至37.37 MeV·cm 2·mg -1 时,诱发器件产生单粒子闩锁效应,器件供电管脚电流由6 mA陡增至24 mA。在分析重离子试验数据的基础上,借助脉冲激光获得了器件内部单粒子效应敏感区域位置和结构特征。分析认为由于芯片内部多个功能模块共用一个隔离岛,同一个隔离岛内的器件之间形成的寄生PNP管与隔离岛内NPN管形成了PNPN可控硅结构,当入射重离子LET值足够大时将诱发寄生PNPN结构导通,进入闩锁状态。采用模拟软件Spectre实现了电参数级的瞬态故障注入模拟,复现了该双极工艺结构下单粒子闩锁效应现象。