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921.
赵乃勤%郭伟凯%李家俊 《宇航材料工艺》2004,34(6):20-23
研究了以粘胶基活性碳纤维为导电材料制备单层电路模拟吸波材料的微波吸收特性。结果表明:感性电路屏在毡条宽为5mm、α/b为2时吸波性能最好,在8GHz~18GHz内达到-10dB以下的反射衰减,最大衰减峰达一30dB以上;容性电路屏在毡块间距为5mm、α/b为1.4时吸波性能最好,在8GHz~18GHz内达到-10dB以下的反射衰减,最大衰减峰值-30dB以上。可用粘胶基活性碳毡制备质轻价廉的雷达吸波材料。 相似文献
922.
张秋禹%谢钢%罗正平%李郁忠 《宇航材料工艺》2001,31(3):23-25
以少量环氧类低聚体作增容剂,考察了其对聚碳酸酯/半芳族热致液晶聚合物(PC/TLCPA1)体系的增容改性作用。DSC及SEM测试结果表明,少量增容剂的加入明显改善了原位复合体系的相容性。力学性能测定结果表明,当增容剂加入到含有20%LCAPA1的复合体系后,复合体系的拉伸强度和弯曲强度均有一定程度的提高。 相似文献
923.
本文介绍了针对 BW—1变稳机而研制的实时在线识别飞机纵向短周期参数系统的原理及方法,并给出一部分试验结果,其中包括对安装于 SB—6试验台上的变稳系统识别结果. 相似文献
924.
谭松林%王永宏%单黎波 《宇航材料工艺》2003,33(1):59-62
为进一步提高内窥镜在液体火箭发动机的工作内腔、焊缝表面、导管内表面的缺陷及多余物检测效果,采用定性与定量方法对缺陷进行了试验研究。内窥镜检测到的缺陷图像转变为数字图像后,可实现对缺陷尺寸实际大小的判别。该研究方法对其它产品的内部质量状况检测也有一定的参考价值。 相似文献
925.
方旭东%杨鸿昌%安章荣 《宇航材料工艺》2002,32(2):35-37
对碳纤维/钛超混杂复合材料CTIL-1在高温高湿的条件下进行加速老化试验,为了便于分析比较,同时列出了T300/648在相同老化条件下的拉伸、弯曲和层剪性能。在加速老化180d后,CTIL-1的拉伸、弯曲性能的保留率均在80%以上,层剪强度保留率也在60%以上,表明该材料有较好的老化性能。 相似文献
926.
为了解决整体构件异形曲面的加工难题,提出了展成电解加工及电解光整加工的方法,分析展成运动方式,讨论确定机床进给运动方案,重点探讨直纹面整体构件叶片间通道电解加工及异形曲面电解光整加工的进给运动参数设计方法,分析并给出合理的流场设计方案。通过优化异形曲面电解加工的数控编程、完善工艺设计与试验,最终加工出了合格件。 相似文献
927.
通过SiC颗粒增强Al基复合材料与Al合金的焊接工艺试验研究,重点分析了材料组合,保湿工艺,连接时间等工艺参数对连接接头性能的影响以及连接接头的微观组织及成分分布,研究表明,TLP扩散连接是一种适用于复合材料连接的重要方法,在相同工艺条件下,LF6/SiCp-6061Al的接头性能明显优于LF6/SiCp-2024Al,连接时间过短或过长,都将影响到接头性能,并且连接时间对不同材料组合的影响也不同,采用二次保温工艺可以较大幅度地提高接头性能。 相似文献
928.
刘岩%贾德昌%孟庆昌 《宇航材料工艺》2002,32(5):34-37
成功制备出了以非晶态SiO2为基体,以纳米SiC颗粒(n-SiCp)为增强体的n-SiCp/SiO2陶瓷基复合材料。n-SiCp的引入并示引起基体SiO2的晶化,而且对复合材料的力学性能的改善起到了重要的作用,同时,并未损害复合材料的抗热震性能。所制备的n-SiCp/SiO2复合材料的临界抗热震温差可以达到1200℃。 相似文献
929.
张蕾%杨奇%施宗灿%吴茜薇 《宇航材料工艺》2002,32(6):50-51
用日本PTC-10A型差热分析仪,对吸波材料做热量-差热同步分析,进一步研究了吸波材料(聚氨酯泡沫塑料)的热解性及燃烧性。研究发现,国内主要生产厂家提供的吸波材料(聚氨酯泡沫塑料)初始分解温度均在200℃以上,完全可以满足无回波室的正常使用要求。它为航标的制定和无回波室选材提供了可靠依据。 相似文献
930.
宋麦丽%邹武%王涛%闫联生 《宇航材料工艺》2001,31(1):24-28
通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明,反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响,温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面,温度在1100℃以上,沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面,还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同,这直接影响了SiC基体的性能,从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究,优化了CVI—SiC工艺。 相似文献