液体推进剂贮运可靠性模糊故障树方法研究

对液体推进剂在贮运过程中发生的泄漏情况进行了深入分析,建立了故障树模型,并讨论了底事件对泄漏事件的影响。针对实际情况下泄漏事件的发生概率具有模糊性和不确定性的特点,将模糊集理论引入故障树分析法,将基本底事件发生概率描述为一模糊数,从而估算出整个系统的模糊故障率。该方法能快速准确的检测和诊断液体推进剂贮运的潜在故障,对推进剂安全贮运有一定裨益。     

功能目的论关照下的政府旅游网站翻译——以“北京旅游网”英文版为例

政府旅游网站承担着宣传当地旅游资源和旅游文化,树立城市形象的重要功能,功能目的论则为网站翻译提供了一个可行的理论指导。以目的论为理论框架,以"北京旅游网"英文版为案例,从语用性、文化性、语言性及特定文本等四个方面针对其中翻译失误进行剖析,提出优化改进策略,以提高旅游网站翻译的质量。     

SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法

为揭示静态随机存储器（SRAM）辐射效应以及内部电荷收集变化规律,从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑,针对器件在轨单粒子翻转（SEU）,提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。首先通过器件级和电路级仿真相结合的手段,利用计算机辅助设计（TCAD）构建三维模型;然后通过仿真获得重离子从不同方向入射后的单粒子瞬态电流,将此电流作为故障注入到65 nm SRAM单元的电路级模型中仿真SEU;最终得到65 nm SRAM单元的单粒子效应（SEE）三维敏感区形状参数。     

充分利用信息资源做好人才培养工作

在信息社会里，信息技术和信息资源是必不可少的生产务件，信息资源的开发和利用是科学发展观的内在要求，加强信息资源开发管理，从多方面、多层次培养信息资源管理人才，对提高大学生的就业实力，促进就业工作有着积极的意义。     

HTPB与TDI固化的分子模拟研究

为了提供固化反应的微观信息,运用Materials Studio 4.2分子模拟软件,构建HTPB和TDI分子模型,对HTPB和TDI固化进行分子动力学(MD)和合成(Synthia)模拟。分析了固化体系的构型、键长、X-射线散射图谱和弹性模量,结果表明,氰酸酯基(—NCO)中的N C双键变单键和羟基O—H断开,形成新化学键(—HNCOO—)生成氨基甲酸酯;HT-PB与TDI是一个自发进行的固化反应;HTPB-TDI固化体系的力学性能得到了改善,为HTPB-TDI固化研究提供了一种切实可行的新方法。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。