高温诱波材料研究进展

对高马赫数飞行器用高温透波材料的性能要求进行了评述,分析了不同体系高温透波材料的增强模式、力学性能以及电气性能。在此基础上,提出了高温透波材料的发展方向。     

氮化硅颗粒预制体的设计及其制备

设计了一种与纤维预制体有类似孔隙结构的颗粒预制体微结构.裂纹穿越具有此种微结构的复合材料时将延长裂纹途径和吸收裂纹能量,达到复合材料强韧化的目的.采用团聚模压法制备具有此种微结构特征的氮化硅基复合材料的颗粒预制体有利于后期的CVI过程.     

CVI制备的Si3N4p/Si3N4复合材料及其性能

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法制备Si3N4p/Si3N4复合材料.试样主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物,并有微量的β-Si3N4和晶体Si.SEM和光学显微图片表明颗粒团间气孔偏大,Si3N4颗粒和CVI Si3N4之间界面弱结合,导致试样的弯曲强度最高只有71MPa.     

C/SiC复合材料液相渗透连接应力的数值模拟与验证

采用有限元和试验两种方法研究了复合材料孔隙率对在线液相渗透连接接头残余应力的影响.利用ANSYS有限元分析软件,建立了计算2D及3D-C/SiC复合材料连接接头残余应力的有限元几何、物理模型,分析了复合材料中孔隙率对连接接头残余应力的影响.同时,通过试验测试了不同孔隙率对连接强度的影响,其试验结果与计算结果一致,证明了所提出的计算方法的正确性.     

镍对C/SiC化学气相渗透碳的催化研究

用液相浸渗还原法将Ni渗入C/SiC复合材料,研究复合材料中Ni对化学气相渗透PyC过程的影响.用重量分析法研究Ni的催化作用,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术分析材料的微观结构及组成.结果表明,Ni对化学气相渗透PyC具有催化作用,它加速了PyC的沉积,Ni含量为4.4%时增重率达最大值9.98%.沉积的PyC为细小颗粒聚集体.CVI过程中Ni与基体SiC反应生成Ni2Si,Ni3Si.     

常压化学气相沉积SiC的组织结构及其稳定性

研究了CH3SiCl3-H2-Ar体系在常压条件下化学气相沉积SiC的组织结构及其高温稳定性。在一定沉积温度下,沉积物的形貌由H2流量所控制;而在H2流量一定的条件下,随着沉积温度的提高,沉积物的晶粒尺寸和致密度增加。本实验所得到的沉积物均为纳米级β-SiC,经高温热处理后发生明显的晶粒长大现象。     

化学气相渗透制备氧化硅基复合材料

 以正硅酸乙酯为氧化硅先驱体,以 Nextel4 80纤维三维编织体作为沉积载体,采用化学气相渗透的方法制备了 Nextel4 80 /氧化硅复合材料。研究了正硅酸乙酯温度和沉积温度对沉积速率和渗透效果的影响,分析了沉积过程中产生瓶颈效应和固相粉末的原因以及沉积产物的相和复合材料的显微结构。结果表明 :1沉积速率随正硅酸乙酯温度和沉积温度的升高而显著升高;2瓶颈效应是由于正硅酸乙酯浓度过高,导致沉积速率过快引起的;3固相粉末是因为沉积温度过高,正硅酸乙酯分子或分解的过渡产物在到达沉积区域前已经完全分解引起的;4正硅酸乙酯为先驱体的化学气相沉积产物为无定型氧化硅;5化学气相沉积获得的无定型氧化硅基体与纤维有较佳的热匹配。     

氧化物陶瓷基复合材料研究进展

从基体和纤维的选择、制备工艺等几方面综述了国内外氧化物陶瓷基复合材料的研究现状，着重阐述了溶胶-凝胶法、化学气相渗透法、反应熔体浸渗法、先驱体浸渗热解法、电泳沉积法、浆料浸渗热压和浆料浸渗结合氧化物先驱体浸渗热解法等氧化物基复合材料制备工艺原理及其优缺点。并提出了发展氧化物陶瓷基复合材料应解决的关键问题。     

材料裂纹型损伤愈合过程观测

对预制裂纹型损伤的愈合过程进行了实时原位观察，结果发现裂纹愈合过程分为裂尖钝化、裂纹分节、裂腔球化、孔洞愈合及质量均匀化等几个明显阶段。所得结果与金相法得到的纯铁的裂纹愈合过程相符，通过建立相关裂纹愈合模型分析认为裂纹愈合过程必须满足一定的热动力学条件，空位迁移是裂纹愈合的主要机制。     

C/SiC复合材料热辐射性能研究

利用稳态量热计法和傅里叶红外光谱仪分别测定了C/SiC复合材料在90℃时的半球向总发射率和室温法向光谱反射率.研究了纤维预制体编织方式、涂层厚度及表面形貌对C/SiC复合材料热辐射性能的影响.结果表明,3D C/SiC复合材料的热辐射性能优于2D C/SiC.2D C/SiC的总发射率为0.78,3D C/SiC达到0.82;SiC涂层厚度对C/SiC复合材料的热辐射性能影响很大,随着SiC涂层厚度的增加,C/SiC总发射率先降低后上升,最高值可达0.85;表面抛光后C/SiC复合材料热辐射性能有所下降,2D和3D C/SiC总发射率分别为0.74和0.75.