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151.
为研究天线不同结构对表面等离激元(SPP)增益光镊作用的影响,建立天线-基底的电磁波传输耦合激元电场触发光梯度力的数值模型,并利用数值模型分析天线不同结构对SPP电场的影响规律,同时,这种电场变化规律对光镊增益有直接的数学关系,基于上述物理机制,获得不同天线结构对光梯度力产生的优化策略。为验证上述物理机制与优化策略的有效性,开展纳米颗粒的粒子图像测速(PIV)试验,天线材料为银,基底为二氧化硅,纳米颗粒为银,试验能够完好地观测到纳米颗粒在天线通道的运动情况。结果表明,光梯度力的增益机制在于激元电场强度和梯度两方面因素,前者随天线不对称性增强而先增大后减小,后者呈现一直增大趋势;纳米颗粒推动作用力的计算误差约为5.5%~13.8%,且试验值与计算值的趋势相符,一方面验证本文研究机理及优化策略的有效性,另一方面证明PFP技术的原理可行。 相似文献
152.
为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. 相似文献
153.
统计分析了太阳第23周期间(2000年7月至2004年9月)在625~1500,MHz,2600~3800,MHz和5200~7600,MHz范围频谱仪观测到的Ⅲ型射电爆发. 给出了Ⅲ型爆发的分布、寿命、频率漂移率、偏振度和频率带宽. 结果显示, 频率漂移率和频率带宽的平均值随频率的增加而增大, 寿命和偏振度的平均值既不是常数也不是在宽频延伸上保持均匀不变的.最多的Ⅲ型爆发分布在625~3800,MHz范围内, 且随频率的增加而增多. 分析表明, 电子加速和能量释放地点主要是在分米波范围内, 这个频率范围的特征可能与分米波段上的磁位形有关, 并且与主耀斑地点附近磁重联区中的电子加速有关. 然而, 还有相当数量的Ⅲ型爆发发生在5200~7600,MHz范围内, 这个特征表明电子加速的地点是在一个日冕的宽范围中. 关于厘米relax-relax 分米波段Ⅲ型爆发的辐射机制最可能包含相干的等离子体辐射或电子回旋脉泽辐射过程. 相似文献
154.
155.
156.
157.
多压电膜式零质量射流激励器的设计与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种多压电膜式零质量射流激励器,并利用热线风速仪,得到了对应于射流中心线上固定位置处速度最大时的最佳频率.在该频率下,测量了零质量射流在不同孔径时沿中心线的速度分布;测量、分析和比较了不同激励膜数目对射流出口速度分布的影响.表明:在其他条件完全相同的情况下,一片振动膜时的激励器出口中心线上的平均速度和峰值速度,都较5片膜的情况小一半左右,而3片和5片压电膜时的激励器性能差别却不大.也就是说,虽然压电膜的数目增加能使激励器出口射流的能量增加,但这两者之间并非呈线性关系.此外还用PIV测量方法,直观地显示了射流出口的涡结构. 相似文献
158.
历史的车轮总是滚滚向前,机床也与所有的事物一样,不断发展,不断创新,不断会有更新更好的技术和产品应运而生. 相似文献
159.
160.
建立了一个适用于共轴刚性旋翼气动特性分析的数值模拟方法。该方法采用任意拉格朗日欧拉方法(Arbitrary Lagrange Euler,ALE)描述的可压缩Navier-Stokes(N-S)方程求解流场,采用低数值耗散的Roe格式进行空间离散;使用多重嵌套网格方法以模拟双旋翼的运动。针对共轴刚性旋翼配平,引入"差量修正"策略解决了传统配平中雅克比矩阵计算复杂的问题。首先,对Harrington-2共轴双旋翼的悬停气动性能进行了计算,然后,对某2 m直径共轴双旋翼的悬停及前飞状态进行了计算,并与试验值进行了对比。结果表明:在典型状态下拉力系数的计算结果与试验值误差在3%以内,扭矩系数的计算结果与试验值误差基本在5%以内;所采用的数值计算方法对旋翼涡尾迹特征具有较高的捕捉精度,可以有效模拟共轴刚性旋翼悬停和小速度前飞下的复杂流场及其细节特征。 相似文献