AB型聚酰亚胺单体的合成及气相沉积聚合研究

合成了三种AB型聚酰亚胺单体:4-(4-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体4),4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体7)和对(间)乙基4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸酯(单体8或9)。利用热失重分析(TGA)对比研究了这三种AB型聚酰亚胺单体的热行为。结果表明,单体4、单体7和单体8(9)在升温的过程中能发生热聚合生成聚酰亚胺。将单体4用于气相沉积聚合设备,得到了均匀透明的聚酰亚胺薄膜。对分子结构的修饰使单体8(9)较之单体7有更好的挥发性。     

钼-铌合金原料品质对单晶制备的影响

主要讨论了钼-铌合金原料品质,包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响。结果表明:高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,在20 kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶,但其经过两次电子束熔炼获得的Ф(12~17)mm原料棒C元素质量分数降为6.3×10-3%、O元素质量分数降低了近2个数量级,仅为1.4×10-3%,能稳定地生长制备出Ф31 mm×735 mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18 mm或小于Ф11 mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶。     

几种主要敏捷性的作战效能分析

本文提出了武器系统敏捷性的概念,并对几种主要敏捷性的作战能力及对空战效能的影响进行了分析,同时给出了改变敏捷性参数和性能参数对作战效能影响的量值。     

前苏联结构用树脂基复合材料的开发与应用研究情况

新型树脂基复合材料用作结构材料,在军事上的应用已取得了很大进展。用复合材料取代金属材料后,可以使武器装备的质量减轻20％～40％,已经从初期用于非承力结构,次承力结构转入主承力结构件。在树脂方面进行了大量开发与应用研究并已取得很大进展。 从赴前苏技术考察发现,前苏联近年来     

CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。     

交联聚硅氧烷的热降解行为

运用TGA-IR研究了交联聚二甲基硅氧烷以及含10%、16%苯基硅氧烷链段的聚二甲基硅氧烷的热降解行为，并用FTIR分析了聚硅氧烷的热分解产物。结果表明，在300℃以上，交联聚硅氧烷热降解的主要产物为环三硅氧烷和环四硅氧烷，裂解反应既在分子链内发生也在分子链间发生。在惰性气氛下，苯基硅氧链段的引入未能提高聚二甲基硅氧烷的热稳定性。     

时效处理对T-250钢电子束焊接接头组织及性能的影响

采用金相显微镜、透射电镜观察了焊后不同时效状态下T— 2 5 0马氏体时效钢电子束焊缝的微观组织 ,测试了不同时效状态下焊接接头的室温强度、夏比缺口冲击韧性、显微硬度 ,并用扫描电镜分析了拉伸断口形貌。结果表明 :随时效温度的升高 ,焊缝区枝晶间逆转奥氏体析出量增加 ,焊缝缺口冲击韧性增大 ,断口韧窝增大 ;但由于 5 0 0℃× 4h时效处理后焊缝马氏体孪晶较多而使其拉伸强度和缺口冲击韧性降低。经 4 80℃× 4h时效处理后 ,焊接接头强度具有最佳强韧性配合     

一个通用的微型飞行器气动工程估算环境的开发

针对微型飞行器 (MicroAirVe hicle,简称MAV)多学科设计优化的需要 ,本文以MAV工程估算的三层模型描述为基础 ,开发了一个通用的MAV气动工程估算程序 ,它可以对多种布局MAV进行气动参数的计算 ,并且MAV几何外形的描述简单 ,计算方便正确 ,最后对某MAV的气动估算结果与风洞实验曲线进行了比较。     

一种导弹控制回路参数设计方法及其仿真软件

介绍了一种设计导弹控制回路PID参数的方法，该方法将复杂的控制回路按照由内至外的顺序分解开来，逐层设计各子回路，并在设计过程中采用根轨迹的设计方法来缩小控制参数的取值范围，该方法适合于工程应用。另外还着重介绍了根据该方法开发的交互式仿真软件MCDA，该软件具有很好的应用价值。     

钛合金表面镍包石墨喷涂层的耐磨性能

为了提高钛合金的表面耐磨性,利用氧乙炔热喷涂枪,在TC4合金表面上制备出镍包石墨涂层。采用MXP-2000型销盘式摩擦磨损实验机,进行钛合金及其镍包石墨涂层的干摩擦磨损实验,并利用扫描电镜对磨损表面进行观察和分析。实验结果发现,镍包石墨涂层的摩擦系数只有钛合金的一半左右,前者磨损量为后者的1/6,说明镍包石墨涂层可以大大提高钛合金的表面耐磨性能。TC4合金的磨损机制以黏着磨损为主,喷涂层的磨损机制以磨粒磨损为主,喷涂层中的石墨润滑相是其耐磨性高的主要原因。