细观周期性结构复合材料热固耦合双尺度渐进均匀化分析方法及有限单元法实现

针对周期性结构复合材料,根据稳态热固耦合平衡方程,将弹性矩阵和导热系数矩阵进行合并,将位移和温度作为空间场量同时进行小参数渐进展开,利用摄动理论和均匀化理论,推导并建立了周期性结构复合材料稳态热固耦合双尺度渐进均匀化分析方法。将复合材料力学分析从单一物理场推广到热固耦合场,为实现复合材料构件的热固耦合多尺度力学分析建立了基础。根据建立的偏微分方程式,利用变分原理推导得到其有限单元形式,用VC++6.0开发了热固耦合双尺度渐进均匀化分析程序。为验证该方法预测复合材料宏观等效性能的准确性,对纤维体积含量从20%到80%的单向纤维增强复合材料宏观等效参数进行了计算。当纤维体积含量低于65%时,得到的计算值与实验值吻合良好。更加真实地还原复合材料细观结构模型,计算精度将进一步提高。     

含八氢基笼形倍半硅氧烷的双马来酰亚胺树脂

利用硅氢加成反应和烯加成反应,以八氢基笼形倍半硅氧烷(T8H8)、二烯丙基双酚A(DABPA)和双马来酰亚胺(BMI)为单体合成了改性BMI树脂,采用FT-IR、DSC、TGA分别表征了树脂的结构、固化行为及热性能.研究结果表明,T8H8-DABPA-BMI固化树脂的玻璃化转变温度达到323℃,热分解温度(5%失重,T5d)为422、800℃热分解残重率为50.7%.     

基于PMAC的直线电机进给控制系统研究

本文采用PMAC对高精度直线电机进行全闭环控制,调试出了良好的系统动态性能,使控制系统实现了50nm的微位移并在10μm/s的进给速度下的速度波动率仅为1%,验证了直线电机进给控制系统的高精度和良好的低速稳定性.光学元件的加工实验得到了Ra3.3nm的表面粗糙度,从而证明了该系统非常适合用于超精密机床的进给控制.     

基体含量对复合材料结构稳定性的影响

基体含量影响着复合材料结构的性能,针对复合材料结构的稳定性设计,基于复合材料细观力学以及经典层合理论,分析复合材料层合板中的基体含量对于其材料性能,尤其是稳定性的影响.通过计算得出:随着基体含量的增加,材料的性能略有下降,但是由于基体含量增大而导致的单层板厚度增加,使得层合板的稳定性大幅提高.因此,在复合材料结构的稳定性设计中,应该考虑基体含量的影响.     

新型快速预混合预蒸发喷嘴的结构和性能

设计了一种新型快速预混合预蒸发模型喷嘴。数值研究了喷嘴的不同内部结构设计对掺混效率、液滴平均蒸发时间、传热传质和总压损失等性能的影响规律。内设环肋和凹槽都有强化喷嘴内的油／气混合和传热传质作用;只增加环肋和凹槽个数不能继续改善喷嘴性能反而增加总压损失;环肋／凹槽组合结构的性能相对较好。这为实现燃烧室的HiTAC预混燃烧方式提供了依据。     

一种用于舰船CNS/RLG-SINS组合导航系统校准的分段估计方法研究

分析了“天文测姿+惯性导航”组合导航滤波模型的可观测性问题,在状态不完全可观的条件下,提出采用分段滤波的方法可以分别对加速度计误差和陀螺漂移误差进行有效估计,此方法仅要求每段滤波开始前外部提供一次准确的初始位置和速度信息。结合舰载导航需求背景,设计仿真模型。仿真结果表明：采用分段滤波方法,加速度计常值偏置和陀螺常值漂移均可以得到充分估计;对惯性器件误差进行标校、补偿后,24小时的位置误差可由补偿前的3.6海里减小到补偿后的0.5海里。     

LY12CZ的腐蚀性能研究

利用从飞机长桁上截取的LY12CZ材料作出的试件分别在三种腐蚀环境下作了腐蚀实验.实验结果证明在加工时的挤压变形程度、腐蚀液的浓度对LY12CZ的腐蚀都有影响;SO2对LY12CZ的腐蚀现象主要是点蚀.     

复合材料无损检验的新进展

复合材料无损检验的新进展耳东为提高复合材料产品的质量并降低成本，要求采用无损检验方法。不同的材料类型及缺陷类型需采用不同的无损检验方法，表ｌ为各种检验方法的适用范围。从表ｌ可以看出Ｘ射线法、超声法、声发射法等仍是复合材料的最核心检验法。近年来，这些方...     

一种新型复合材料—空心微珠复合材料

本文主要介绍以空心玻璃微珠为主要原料的复合材料。在国外,这类材料用途很广,已用于航空、航天等尖端领域。近年来,我们对这类材料作过一些研究工作。试验证明,空心微珠复合材料是一种很有前途的材料。     

质子辐照Kapton/Al的蒙特卡罗模拟

采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明:入射能量在10~300keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用。