激光陀螺惯性导航系统旋转技术综述

旋转技术能够有效调制激光陀螺和加速度计的误差,提高惯性导航系统的精度。首先基于惯性测量单元的误差模型,分析了旋转技术的基本原理。然后对旋转技术的旋转方案、最优转动速率、旋转机构误差对系统精度的影响、载体角运动对旋转效果的影响、采用旋转技术的惯导解算、采用旋转技术的初始对准与测漂等进行了综述,探讨了我国研究旋转技术的重点研究方向,为开展我国旋转式光学陀螺惯导系统的研究提供了一定参考。     

关于空中交通管制员选拔工作的探索

各行各业对其从业人员都有适应条件的要求，尽管有的少一些、宽一些，有的多一些、严一些。准确选材可提高培训效率、降低培训成本、有利于日后工作。最近几年，由于民用航空事业的发展，空中交通管制员相对紧缺，各民航院校空管专业分配情况看好，报考此类专业的学生大大增加，因此管制员选拔日益受到重视。民航华北空管局从1993年开始在招收管制员的过程中，陆续试用过多种不同手段，意在选拔出适合从事空中交通管制工作的人才。由于工作关系，笔者参与了管制员选拔的大部分工作，在这里就如下问题谈些个人体会。     

Al—Li—Cu—Mg—Zr合金的氢脆敏感性

本文采用慢应变速率试验方法研究预浸充氢和阴极充氢对时效及形变时效状态2091合金断裂延伸率和塑性损失率的影响。结果表明,时效状态、特别是形变时效状态合金具有明显的氢脆敏感性。这种敏感性与预浸介质,时效,预形变方式和形变量有关。文中还对氢脆在应力腐蚀开裂中的作用进行了讨论。     

固体火箭冲压发动机导弹气动外形设计与试验研究

某固体火箭冲压发动机导弹存在着航程阻力大、静稳定性差、平衡攻角偏大、舵效偏高等一系列问题。根据导弹的基准外形,结合相关理论,对影响导弹气动性能的关键部件进行了分析与比较研究,并对外形进行改进,建立了一系列差异化几何模型。用 FLUENT 软件,对导弹在不同攻角条件下外流场进行数值计算,得出了各模型的轴向力系数、法向力系数和俯仰力矩系数随攻角的变化规律以及表面的压力分布情况。计算结果表明,就设计目标考虑,采用改进后的大进气道、小弹翼、舵面边条、后掠舵面和水平尾翼布局的模型性能最优。为进一步研究该最优布局下各关键部件对导弹气动性能产生的影响,进行了组拆选型风洞试验。试验中将这些关键部件逐步组装到光弹体上,前后共测试了16种模型状态,经对比分析,确定了气动性能最优的外形,且该最优外形与数值计算所确定的最优模型一致。随后对该最优气动外形的导弹进行全弹风洞测力试验。试验表明,相较于基准弹,优化后的导弹模型各项气动性能均有所提高,其中,轴向力系数数值减小了3%~4%,纵向焦点位置平均后移3%左右,平衡攻角较基准弹减小1.5°(60%)左右,对质心的俯仰舵效减小了40%左右,滚转舵效减小了35%左右。试验结果与同条件下的数值计算结果吻合较好,同时这也验证了导弹气动优化过程中 CFD 数值计算方法的合理性。     

捷联惯导姿态算法中的圆锥误差与量化误差

对捷联惯导系统的误差源进行了研究,利用几何方法分析了不可交换性误差和量化误差的形成机理,以及它们的相互影响。针对工程应用中激光陀螺输出脉冲采样量化条件,就多子样算法进行了讨论,并设计了基于MATLAB/Simulink的仿真。研究结果表明,当考虑量化误差的影响时,选取适当的量化因子,三子样等效旋转矢量算法比其它算法具有更好的综合性能。     

基于紫外纳米压印光刻的氟化混合物模板制备

不同特征尺度和不同周期的氟化混合物软复制模板通过使用硅主模板和紫外纳米压印光刻技术制备而成。与聚二甲基硅氧烷和其它聚合物材料比较,此处使用的光刻胶拥有优良的性能,比如优良的机械强度,低表面能和良好的热稳定性。在紫外和热纳米压印工艺中,主模板被用作印章。实验结果表明,转移到基底上的图案与主模板非常一致。所制备的氟化混合物复制模板不仅仅适合紫外纳米压印,也适用于热纳米压印,并且所加工的复制模板还被用于制备光电器件以实现传感、成像、探测、通信和数据存储等领域中的相关功能。     

雷达模拟训练中应注意的几个问题

从1994年开始,民航总局为各地区空管局陆续配置了航管雷达模拟机。到目前为止,已安装的航管雷达模拟机已经有20多台套。如何利用好这些模拟机,使之充分发挥效益是摆在找们面前的新课题。北京的航管雷达模拟机至今已运行了三年时间。在此,我想根据三年来的实践谈谈对雷达模拟训练的一些认识。一、雷达模拟训练应置于统一的培训计划之下航管雷达模拟机（以下简称模拟机）对已经装备雷达的生产部门是一种理想的训练工具。它使我们的训练水平能够达到接近实际工作环境、超过实际工作难度的要求。使用模拟机进行的雷达管制模拟训练（以下简称…     

AFM电场诱导氧化加工技术制备微纳米结构

大气状态下利用接触模式原子力显微镜(AFM)动态电场和静态电场及轻敲模式AFM静态电场制备了一维纳米光栅,对纳米光栅结构的特征进行了比较并对电场诱导阳极氧化加工的机理作了相应的理论分析。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.