基于LabView的陀螺加矩电路测试方法

介绍了惯性平台系统陀螺加矩电路工作原理和基于NI公司LabView平台开发测试系统方法.充分利用LabView软件平台在自动化测试领域的优势,结合具有可编程FPGA板卡和7位半万用表板卡,针对陀螺加矩电路设计了自动化陀螺加矩电路数字并行总线控制、粗加矩电路功能测试和精加矩恒流输出稳定性测试方案,并通过实验验证了以上方案的正确性和有效性,提高了陀螺加矩电路板测试效率.     

3000TA微量氧分析仪在空分生产中的应用

简述了3000TA微量氧分析仪的工作原理、特点、校准、使用方法及注意事项.     

SiC陶瓷与GH128镍基高温合金反应连接研究

采用 Fe-Ni(重量比为 65∶ 3 5)金属粉末焊料,利用 Gleeble1 50 0热模拟机对镍基高温合金 ( GH1 2 8)和 Si C陶瓷进行反应连接,研究了连接温度、连接压力和高温保温时间对试样连接强度的影响,确定了最佳工艺参数,并制备了剪切强度超过 3 4.3 MPa的陶瓷 /金属连接件。界面结构分析表明陶瓷 /焊料界面反应层的形成主要受 Fe,Ni原子向陶瓷中的扩散引起     

ICP-OES法测定钛合金中稀土元素Y,La,Pr,Sm,Ce,Gd和Nd

进行了用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)法测定钛合金中稀土元素Y,La,Pr,Sm,Ce,Gd和Nd的研究.研究样品的溶解,待测稀土元素分析谱线的选择,钛合金基体及共存元素对稀土元素测量的影响等,确定了待测稀土元素的分析线,校准曲线采用基体匹配消除基体效应的影响,对仪器测量条件进行优化.进行了加入回收实验.精密度和准确度结果表明:本方法快速、准确,可以满足钛合金中的稀土元素的测定要求,RSD<4%,回收率98%～105%.     

一种电波折射实时修正新方法

针对现有实时电波折射修正方法的不足,通过对距离和仰角电波折射误差影响因素进行分析,充分考虑各测站气候的差异,建立与测站历史气象数据相关的修正模型,并在此基础上提出了一种关于对流层电波折射实时修正新方法。同时以实测数据为例,对该方法和其他传统方法的修正效果进行比较,结果表明该方法同时具备实时数据处理的速度和事后数据处理要求的精度。     

基于置信分布的系统可靠度评估蒙特卡罗方法

大型系统、复杂系统的可靠度的求解问题是可靠性工程中一个热点和难点的问题,针对这个问题,提出了一种基于蒙特卡罗模拟仿真的系统可靠度求解方法.通过利用系统的各个单元产品的可靠度置信分布和系统可靠度函数进行蒙特卡罗仿真,评估出系统可靠度.本方法克服了以往的蒙特卡罗仿真方法处理离散分布时抽取时间样本的困难,并且对系统的结构和复杂程度没有要求.最后,给出计算实例对比说明了该方法的正确性和可用性.      

高轨特性下某型测控系统测距重捕修正方法研究

针对卫星长管中某型测控系统出现的测距异常重捕问题,结合该型测控系统测距数据获取和形成机理,深入分析高轨模式下测距重捕的原因,同时提出改进方法,并通过模拟和仿真试验,有效地检验了修正方法的可行性。     

定子匝间短路时双馈异步发电机电磁转矩的研究

定子绕组匝间短路故障会引起双馈异步发电机气隙磁场的畸变,从而导致电磁转矩的变化,因此电磁转矩可作为故障特征之一。基于能量法分析定子绕组匝间短路故障前后电磁转矩的变化特征,建立了双馈异步发电机的多回路数学模型,并对其正常和不同程度匝间短路时的电磁转矩进行仿真计算。对仿真结果进行频谱分析,得到了定子绕组匝间短路故障前后电磁转矩谐波分量的变化规律,验证了理论分析的正确性。定子绕组匝间短路故障和电磁转矩的关联特征可以作为诊断定子绕组匝间短路故障的依据。     

ICP-AES法测定钴基合金及钴基钎料中La,Ce,Pr,Nd,Gd元素含量

研究了钴基合金及钴基钎料样品溶解方法,采用盐酸、硝酸、氢氟酸溶解样品;选择待测元素灵敏度高、光谱干扰少的谱线为分析线,校准曲线溶液采用基体匹配消除了基体效应影响,实现了用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钴基合金及钴基钎料中La,Ce,Pr,Nd,Cd元素含量.并行了加入回收实验,回收率95%～110%,相对标准偏差小于4.86%.     

硅光电倍增探测器温度特性分析与实验

SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。结果表明,当环境温度降低时,SiPM的雪崩临界电压随之线性下降,增益随之线性增大。