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381.
“宇宙所具有的质量可能仅仅需要一点儿就能阻止其膨胀.”两个在美国的天文学家说.如果他们是正确的,理论学家将不得不放弃“膨胀论”,他们最珍爱的宇宙起源的模式.这要求宇宙将永远不会坍塌或膨胀,但这平衡于两种可能性的边缘上.天文学家用一个叫做Ω的量表示宇宙的质量.如果Ω大于1,宇宙就会重得其所有物质的引力均匀地阻止其膨胀而造成宇宙坍塌.如果Ω小于1,宇宙将会永远膨胀下去.大多数理论宇宙学家认为Ω正好等于1,但许多观测天文学家认为Ω只有0.2或0.3.新西泽州普林斯顿大学的耐塔·贝考尔和雷恩尤·森,使用一台电脑来摹拟包含有不同数量物质的宇宙.他们想确定他们需要多少物质才能摹拟观测到的星团的特性. 相似文献
382.
概括介绍现有运载工具的技术发展水平和运载能力,对未来发展趋势作了展望,叙述了几种用于完成下一世纪飞行任务的运载工具可行方案.对一次性使用和可重复使用的运载工具的运输成本比进行计算,并绘出在低轨道飞行任务中运输成本比与累积有效载荷质量的关系曲线.大推力运载工具(HLLV)可以以约500美元/公斤的平均成本承担总共10万吨的空间发射任务.结论是,未来肯定将需要和研制出在低轨道载送乘客的第二代航天飞机和多用途的大型空间运输机. 相似文献
383.
384.
385.
386.
387.
针对飞机在大攻角飞行时易引起进气道和发动机进口流场畸变的情况,对某型发动机的综合抗进气压力畸变能力进行了整机试验研究。试验采用插板式畸变模拟器研究发动机综合抗总压畸变能力,获得了各规定风扇换算转速下发动机临界畸变指数,完成了畸变条件下遭遇加速试验,发动机过渡态工作正常。结果表明:该试验方案可行、数据可靠、结果有效,该型发动机满足飞机/发动机相容性试验要求。 相似文献
389.
由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。 相似文献