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172.
SRAM型FPGA单粒子效应逐位翻转故障注入方法 总被引:1,自引:1,他引:0
针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA(Field Programmable Gate Array)空间应用的可靠性评测问题,提出一种逐位翻转的故障注入试验方法,利用动态重配置技术,通过检测逻辑电路设计配置存储单元中的单粒子翻转敏感位数量和位置,可计算出动态翻转截面和失效率,绘出可靠度变化曲线.分别对采用TMR(Triple Modular Redundancy)防护设计的和未采用TMR防护设计的SRAM型FPGA乘法器模块进行了故障注入试验,验证了得到的敏感位位置的正确性,并计算出各自的可靠性参数和曲线. 相似文献
173.
自1995年初以来,RobertBosch开始了飞行器动态控制系统的生产。本文将介绍这一系统的关键部件-偏航速率传感器。 相似文献
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175.
176.
利用高精度的导航卫星载波相位测量数据来确定目标位置是一种非常优良的技术途径,特别是用于准实时和事后处理确定运动目标的轨迹,更是有着显著的应用前景。然而,载波相位测量因存在整周模糊度,从而限制了它的应用。本文提出了基于载波相位增量建模思想,以及消除载波相位测量的整周模糊度和解算目标飞行轨迹的方法,可以有效地解决相应的问题,从而可以精确获取飞行器的高精度运动轨迹。 相似文献
177.
178.
为研究不同直径的推进剂液滴碰撞火箭发动机燃烧室壁面后对流场的影响,在FLUENT基础上通过UDF程序加入液滴撞壁模型,对一种双组元自燃推进剂发动机燃烧室内推进剂的蒸发、流动、燃烧过程进行分析计算,得出燃烧室的流场,液滴分布,液滴撞壁后轨迹的变化以及发动机的各项性能参数,符合规律的数值模拟结果,可为发动机的设计和试验提供依据。 相似文献
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对等温化学气相渗透法(ICVI)制备的C/SiC复合材料进行热处理,利用声发射(AE)技术对热处理前后C/SiC试样拉伸过程声发射累积能量进行分析,通过SEM进行微结构观察。结果表明:界面层较薄的C/SiC试样经1 500℃热处理后拉伸强度与初始强度相近,经1 700和1 900℃热处理后拉伸强度显著提高,其断裂应变随着热处理温度升高而大幅提高,弹性模量却呈现下降趋势;界面层较厚的C/SiC试样经1 500和1 700℃热处理后拉伸强度变化不大,断裂应变显著提高,弹性模量逐渐降低,经1 900℃热处理后拉伸强度和断裂应变开始下降,而弹性模量变化较小。热处理可以显著提高C/SiC的韧性,在拉伸过程中的断裂功和声发射累积能量均显著增加。界面层较薄的C/SiC断裂模式从脆性逐渐向韧性转变,而界面层较厚的C/SiC热处理后韧性进一步提高。 相似文献