四向增强碳-碳复合材料的研究

四向织物增强碳一碳复合材料的研究工作正在进行中。这种复合材料是为制造在工作时承受很高的热应力的零、部件而专门设计的。本文概要地描述了四向织物并指出它与三向、七向、十一向相比较所具有的优点。四向织物是用单向碳纱按“抽拉工艺”制得的杆制造的,复合研究证明沥青在压力下浸渍-碳化工艺是优越的。     

有视觉的计算机

借助光电数字化装置,用计算机鉴定和识别复杂的图形和形状,比人眼的速度更快、精度更高。自六十年代后期以来,已研制成光电数字化系统的硬件,并建立了软件,以解决把这种技术应用到摄影和实时测量装置中的问题。本文描述了光电数字化过程的原理,典型的目标识别技术以及硬件的工作情况。     

用3mm准光腔测试介质片复介电常数

为了准确检测介质片在3 mm频段的复介电特性,采用固定腔长法,研制了工作在101.80 GHz的测试介质片复介电常数准光学谐振腔测试系统。结果表明:腔体的品质因数达8×104,高斯波束的束腰半径为2.36 mm。复介电常数的测试范围ε′为2~8;tanδ为3×10-4~5×10-3,最可几误差为│Δε′/ε′│小于等于10%;│Δtanδ│小于等于20%tanδ+1×10-4。此方法能检测大面积介质片复介电常数的均匀性。     

Fe3O4对微波扫描快速成形复合材料固化速率及性能的影响

为实现大型复合材料构件损伤的微波扫描固化快速修补,提出选择吸波性能优异的Fe₃O₄作为环氧E51+DDM体系的微波吸收剂,利用超声设备对Fe₃O₄粉体进行分散,研究了Fe₃O₄添加量对微波扫描固化速度的影响并探索其增速机理;在此基础上制备Fe₃O₄体系的玻纤/环氧复合材料试验件,研究了添加Fe₃O₄对玻纤增强复合材料热、力学性能的影响。研究结果表明:Fe₃O₄的加入提高了体系的吸波能力进而加快体系的反应速率,且在添加量为1%时对体系的增速效率最高,与纯环氧体系相比其固化时间缩短了24%;与未加Fe₃O₄纯体系相比,添加1%Fe₃O₄环氧体系的玻璃化转变温度提高了1.5℃,拉伸模量提高了5.8%,但两者的拉伸强度相当,弯曲强度及短梁剪切强度分别提高了9.0%和6.5%。     

金属零件选区激光熔化直接快速成形工艺及最新进展

阐述了金属零件选区激光熔化直接快速成形的原理及其工艺特点;介绍了该工艺技术的最新进展及应用领域.     

用于GPS接收机的自适应算法抗干扰性能比较

为了比较功率反演、多信号归类和最小范数自适应算法的抗干扰性能,研究了各算法的基本原理,并在均匀线阵中采用各算法进行仿真,比较各算法在有用信号和干扰来向上得到的天线增益.仿真中有用信号为-160 dBW的GPS卫星信号,两个同频干扰来自不同方向,并在仿真中改变干扰功率.仿真结果表明这三种算法都可以用于GPS接收机抗干扰.其中,功率反演算法抑制弱干扰的性能较差;多信号归类算法抑制弱干扰的性能较好,但会引入错误零陷;最小范数算法既可以抑制弱干扰,也不会引入错误零陷.      

一种具有数字信号处理功能的铯频标方波调频伺服系统

本文介绍一种具有数字信号处理功能的伺服系统,该系统近来已经应用于铯频率标准之中。与以前的伺服系统相比,它采用了一个具有2赫频率调制的模拟锁定系统。新的系统具有多种优点,例如:调制和解调的线性好,信号处理的直流失调小并容易补偿到最佳控制。其他实验室所做的实验表明:输出信号的线性直流漂移可用二阶差分的信号处理方法消除。本文中介绍了采用高阶差分计算处理的伺服系统的实验结果及理论分析。结果表明,它对于改进频率稳定度看来是十分有效的。     

高频浅体声波晶体频率源

本文论述了高频浅体声波(SBAW)晶体延迟线的设计和制造。为了避免低频体波源倍频后固有相位噪声的增大,就要求直接产生频率为千兆赫范围的信号。如果用一个体波晶体锁定千兆赫频率,就可改善其近载频相位噪声。本文所提到的延迟线采用近似AT和BT切晶体,因为AT切具有高的波速,而BT切则具有良好的温度稳定性。采用串联模型来选择设计参数。该模型利用窗口宽度,指数,波速及耦合常数来预测辐射电阻、电容和转换损耗。把该模型与传输损耗的实测数据结合起来考虑,就能准确地预测延迟线的总插入损耗。近来对该模型的仔细研究表明,在千兆赫频率上,插入损耗和Q值之间有着很好的折衷解决办法。用电子刻蚀法在有机玻璃保护层上做出0.4μm的图形。保护层一般是单层的。但也试验过多层方案。已经提出金属换能法的叉指是否灌封在晶体中的判断准则。通常金属叉指并不灌封在晶体中,器件仍具有低的插入损耗、高的Q值及良好的温度稳定性。AT切晶体的基波与五次泛音延迟线和BT切晶体的五次泛音延迟线均采用卸下(Lift—off)法制作。频率范围为3—5GHz。其最好的延迟线的插入损耗不到20,Q值大于2000。使用在高真空下冷焊的TO—8外壳还设计出了低耦合的封装。此延迟线不用有机材料,而是将其固定在一个无应力的不锈钢支架上。本文也给出了相应噪声和预老化数据。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.