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101.
激光烧结快速成型技术误差综合分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
针对激光烧结快速成型技术,通过大量的试验,对从零件的CAD模型到最终的烧结参数等各个与零件误差相关的部分进行了较为详细的分析,并且提出了相应的改进措施。  相似文献   
102.
<正> 《中国空间科学技术》1984年第4期“有关地球同步轨道的几个问题”一文中假定sin i(?)i,cos i(?)1,并将M展成e的幂级数,却略去二阶以上的高阶小量后,推导出地球同步轨道卫星星下点轨迹近似为圆的条件是:  相似文献   
103.
本文给出了太阳光与卫星的三个几何轴之间的夹角的普遍公式.这些公式可以用于各种卫星的初步设计中.文中还讨论了这些公式的应用,并给出了三个数值例子.  相似文献   
104.
新型切向磁钢混合励磁同步电机结构与原理   总被引:1,自引:0,他引:1  
混合励磁电机兼具永磁电机高效率和电励磁电机励磁可调的优点。文中提出两种全新的具有轴向磁分路的混合励磁电机:两端轴向磁分路和单端轴向磁分路混合励磁同步电机。它们都是在切向磁钢永磁同步电机的基础上,将转子极靴沿轴向延伸,利用附加气隙及导磁桥形成轴向磁分路。阐述了两种新型电机的结构及原理,分析了两种电机的磁路特点,并给出其等效磁路。对比研究表明:单端轴向磁分路混合励磁电机轴向磁路短,电励磁效率高,是一种性能优越的混合励磁电机结构拓扑。  相似文献   
105.
切向结构永磁同步电机辅助磁极的优化   总被引:10,自引:3,他引:7  
为了减少切向结构永磁同步电机转轴侧永磁体的漏磁,提高气隙磁密,在切向结构永磁同步电机中合理引入辅助永磁体。辅助永磁体相对于切向永磁体的位置有3种.其中以模型b,c较为合理,永磁材料用量适中,对气隙磁通的贡献大。随着辅助磁极永磁体厚度的增加,气隙磁密增加,当永磁体厚度增加到一定值时气隙磁密开始减小(模型b)或几乎恒定(模型c),即辅助永磁体存在一个合理的厚度,该厚度与电机的极对数有关。  相似文献   
106.
无人机折叠机翼展开运动特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用两种分析方法对某无人机的机翼折叠/展开运动特性进行研究。建立该机构运动的微分方程,用龙格-库塔法进行求解;用M ATLAB非线性优化工具包对扭转弹簧的主要参数进行了优化设计;利用多体动力学分析软件进行机构的运动仿真分析。两种方法得到分析结果与实验吻合很好。  相似文献   
107.
本文给出一种将常规电阻应变片贴在距裂纹尖端较远处测量Ⅰ型裂纹应力强度因子K_1的方法。此法实际上是一种实验法与数值法相结合的方法。用实验法测出应变,应变又可以用含待定系数的Williams级数表示,它们组成一组线性代数方程组。解此方程组,可获得待定系数,由待定系数与应力强度因子的已知关系,可求出K_1。 远场应变测量法,避开了裂纹尖端邻域应变梯度很大的区域和可能的塑性区,因而应变测量比较准确。 测出的应变输入数据处理设备及计算机就可以快速实时地知道含裂纹结构在承载情况的K_1,便于进行破坏控制,使设备安全而可靠的工作。  相似文献   
108.
运算放大器的零点漂移、逆变桥功率开关管的特性不一致等原因会使逆变器输出交流电压中含有直流分量。对于无输出隔离变压器的逆变器并联系统,各模块输出电压直流分量不一致会在模块间产生较大的直流环流。针对这一问题,本研究了逆变器并联系统直流环流检测和抑制方法,通过对逆变器基准正弦波直流分量的高精度数字调节,相应调节逆变器输出电压直流分量以抑制直流环流。试验结果证明,本的直流环流检测与抑制方法对逆变器并联系统直流环流有较好的抑制效果。  相似文献   
109.
双凸极永磁电机气隙对电机静态特性的影响研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
结合双凸极永磁电机的结构特点及工作原理,在12/8极双凸极永磁电机模型的基础上.采用二维磁场有限元分析法.在取电机气隙不同值的情况下.时电机内电磁场进行了仿真计算,并时计算结果作了分析处理,得出气隙大小影响电机静态特性的关系;时同一台原理样机,在取气隙不同值时时其输出特性进行了实验测试。根据理论分析和实验结果,当确定电机气隙的大小时,须根据负载的特性要求,选择一个合适的值。  相似文献   
110.
隔离Boost变换器具有高频电气隔离、易于多路输出、输入电流纹波小、负戢短路时可靠性高等优点。但是由于变压器漏感存在,开关管关断时升压电感电流无法瞬时流入变压器,从而在开关管两端产生浪涌电压。本文通过增加一个与升压电感耦合的反激线圈和一个连接到输出电容的整流二板管,构成反激箝位电路。在开关管关断时,反激整流二级管导通,将升压电感中存储的部分能量传输到输出电容,从而限制了升压电感两端的电压,达到箝位的目的。文中研究了升压电感和反激线圈的匝比对反激箝位作用的影响。500W原理样机的实验结果显示,该电路起到了箝位作用,改善了元器件工作环境。  相似文献   
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