TiO2基紫外探测器的制备及退火工艺对光电性能的影响

采用磁控溅射方法,通过不同工艺的退火处理,制备了光电性能优良的TiO2基紫外探测器.通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜( SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了退火工艺对探测器光电性能的影响规律.结果表明:随着退火温度的增加,TiO2晶粒尺寸显著增大,晶界和缺陷数量的变化是导致TiO2基紫外探测器的光电性能随退火工艺变化的根本原因.经500℃/2h退火后,紫外探测器的光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求.     

大粒径聚苯乙烯微球的悬浮聚合反应历程研究

采用悬浮聚合方法制备了粒径约为100~120μm的聚苯乙烯(PS)微球。通过在聚合过程中逐步取样,并结合扫描电子显微镜(SEM)及光学显微镜(OM)等手段研究了样品在不同聚合时期中的微观形貌、粒径及其分布的情况,讨论了悬浮聚合制备大粒径PS微球的反应历程。结果表明:大粒径PS微球的悬浮聚合过程主要经历3阶段:液—液分散期、粒子增长期和粒子恒定期,在特定的聚合时期,微球的生长方式和微观形貌有显著不同。在不同生长时期内通过对聚合反应条件的选择性调节,可实现对最终PS微球的形貌、粒径及其分布的有效控制。     

MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究

采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求。     

电动阀门用快速凝固高温铝合金制备工艺的研究

本文系统介绍了一种电动阀门用快速凝固高温铝合金的制备工艺，其中包括雾化工艺，除气工艺及挤压工艺。通过合金制备工艺的优化，确定了最佳工艺参数，使合金的力学性能达到了设计使用要求。     

超高强度不锈钢热变形行为及加工图

采用Thermecmaster-Z热模拟试验机对10Cr13Co13Mo5Ni3W1VE (S280)超高强度不锈钢进行变形温度800～1150℃、应变速率0.001～10 s^-1、压下率70%条件下的等温恒应变速率压缩实验,分析其热变形行为,并构建基于Murty失稳准则的加工图。结果表明：S280超高强度不锈钢的流变应力对变形温度和应变速率较为敏感,随应变速率增加和变形温度降低,流变应力显著升高。通过加工图分析和变形微观组织观察,S280超高强度不锈钢的失稳变形工艺窗口为800～1040℃、0.06～10 s^-1,对应的塑性变形机制主要为局部流动;较佳的变形工艺窗口为1095～1150℃、0.001～0.04 s^-1;最佳变形工艺参数在1125℃、0.001 s^-1附近,对应的塑性变形机制主要为动态再结晶。     

Ag/TiO2/ITO紫外探测器的制备及其光电性能

采用胶体晶体模板技术,结合磁控溅射工艺,制备出光电性能较为优异的 Ag反点阵列/TiO2/ITO三明治结构紫外探测器。通过扫描电子显微镜( SEM)、XRD、四探针测试仪及半导体参数测试仪对探测器的微观结构和光电性能进行了测试与表征。结果表明：反点阵列孔径对探测器光电性能影响较为显著;随着孔径增大,探测器的暗电流逐渐增大,光电流先增大后减小,响应时间逐渐延长;孔径为4.2μm时,探测器的光电性能达到最佳;孔径较大的反点阵列电极,具有较高的电导率、较低的紫外光透过率以及较大的光生电子-空穴的复合概率。     

介观尺度的材料设计、制备与组装技术研究进展

结合本专业组的工作,对近年来介观尺度的材料设计、制备与组装技术进行了综述,着重阐述了反点阵列和核壳结构的制备与组装技术,以及结构的设计与控制。在此基础上,分析了其发展前景和今后的研究方向。     

薄膜生长工艺对TiO_2基紫外探测器光电性能的影响

分别采用磁控溅射和溶胶-凝胶工艺制备了相同厚度的TiO2薄膜,并用以制备了金属-半导体-金属(MSM)结构TiO2基紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了TiO2薄膜生长工艺对探测器光电性能的影响规律。结果表明:磁控溅射工艺下,探测器的光电流虽然较低,但响应时间和暗电流远小于溶胶-凝胶工艺制备的探测器,其具备了高辐射灵敏度和快速响应特性。磁控溅射工艺制备的TiO2薄膜结构较为致密,晶界和缺陷较少,方阻较高,这是其取得优良的光电特性的原因。     

化学液相沉积制备PbSe薄膜生长过程及其性能研究

采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究了PbSe薄膜的生长过程以及沉积时间对薄膜相结构、表面形貌和红外透光性能的影响.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜致密度增大,Se/Pb原子比增加,都为表面富Se的PbSe薄膜;在不同沉积时...