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基于SMIC 0. 18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种工作在0.6V超低电源电压下的混频器.该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构,并与开关级构成折叠结构,大大降低了电源电压;电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压,减小了MOS管的阈值电压,实现了超低电压超低功耗的设计;并采用电流复用技术,改善了电路的噪声性能,并提高了其转换增益和线性度.该混频器核心电路尺寸为460μm×400μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575MHz,1400MHz和175MHz时,仿真表明,该混频器转换增益(Gc)为6.1dB,双边带噪声系数为14dB,输入1dB压缩点为-16.67dBm,在0.6V的电源电压条件下,功耗仅为0.76mW,可用于航空航天领域的电子系统中. 相似文献
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本文介绍一种高可靠、长寿命频率源的设计。为了可靠的工作,该装置采用了备用结构型式,并用体波和声表面波谐振器来保证极低的相位噪声和寄生输出。500MHz 和400MHz 多路输出是由25MHz 参考输入或由一个内部100MHz 温度补偿晶体振荡器直接合成而产生的。当使用外部参考时,25MHz 输入滤波器和两个50MHz、100MHz 附加晶体滤波器保证在最后倍频之前将相位噪声本底减小到理论最小值。500MHz 倍频输出信号用两端口SAW 谐振器进行滤波。这些谐振器在50欧匹配系统中,工作的输入功率电平为+15dBm。滤波电路还保证将内外产生的调制边带减小到可以忽略的程度。在离载波大于2MHz 间隔频率上,其单边带相位噪声低于-174dBc/Hz。同样,在所有频率上,寄生信号均低于-110dBc。频率源工作在有电噪声的环境中。良好的有源、无源滤波和封装屏蔽可保证最小的导电和辐射敏感性。对系统的苛刻要求决定采用无单点故障的备用重复结构。提出的封装设想是使组件的内部连接最短,并使两个备用发生器在物理和电气上互不相关。 相似文献
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设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。 相似文献
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低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益( GC )为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中. 相似文献
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多路纳秒时差自动测量系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一个适于多个频标相位和长短期频率比对的高精度测量系统。比对信号采用5MHz,与一个分辨力为Ins的计数器相配,时差测量的理论分辨力为0.2ps;相位测量的本底噪声为±0.3ps(rms);频率测量的本底噪声为4×10^(-13)/τ(τ<100S)。还对系统中的差拍器的设计原则和具体实施考虑作了介绍。 相似文献
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详细介绍了在脉冲功率放大链相位噪声检定系统中的信号处理系统的设计方案、工作原理及功能。本系统是整个检定系统的重要组成部分,在整个系统中担负着将放大器链的噪声信号进行转换、采集、存储、传输、处理和显示等任务,它由硬件电路和系统软件两大部分组成。硬件电路主要由采集单元、存储单元、控制单元、时钟单元及计算机接口等几个模块组成,其功能是:将模拟信号转换为数字信号,暂存采集到的信号数据,并将数据送人计算机内存中。电路中设有自检功能,从而增加了调试的透明度,也提高了系统工作的可靠性。系统软件由控制软件和分析处理软件组成,前者负责控制硬件进行自检,以及谐调各部件间按一定的时序工作;后者负责将噪声数据进行各种数据处理(时域、频域分析),并根据检定系统的测试指标要求(噪底、起伏特性等)给出正确的测量结果。软件设计采用多层菜单式动态显示技术,图文并茂,显示醒目直观。整个检定系统经多次联试试验后,结果表明,本信号处理系统方案设计合理,工作稳定可靠,功能强,维护方便。将本系统的设计思想应用于雷达发射机稳定性测试系统中也取得了很好的效果。 相似文献
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在理想共面波导CPW(coplanar-waveguide)上周期性加载微电子机械系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)开关,实现了4位Ka波段分布线式DMTL(distributed MEMS transmission line)移相器的建模和仿真。通过改变驱动电压来调整MEMS桥的高度,从而改变CPW的相速达到实时延迟。并采用HFSS全波分析和ADS电路分析工具,经仿真计算表明在38GHz以下移相器具有良好的移相精度(3°)、较低的插损(S21在-10dB以下)及回波损耗(S11〈-4dB),在弹载相控阵收发组件上具有较大应用价值。 相似文献
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为了克服压控振荡器(VCO)输出线性调频(LFM)信号频率线性度较差的缺点,本文提出了基于直接数字合成(DDS)技术产生步进频连续波信号的近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统,该系统具有距离分辨率高、频率精度高以及波形产生和波形控制较为简单的优点。首先,本文通过步进频连续波信号的探测原理分析了该信号的一维距离像、距离分辨率以及距离模糊的特点;然后,通过波动方程推导出近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统的重构算法;最后,在微波暗室搭建了半实物仿真成像系统,验证了步进频连续波信号在近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统中应用的可行性和有效性。 相似文献
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针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4~90.4 μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8~129 μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。 相似文献
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连续波信号特性综合测试仪是为半主动寻的系统研制的雷达照射信号综合特性测试设备,用于测试照射源发射信号的调频调幅噪声和其它调制参数。该机采用了延迟线微波鉴频、低噪声放大、脉冲计数鉴相、快速数据采集,谱分析和谱细化等先进技术。测试仪功能齐全,自动化程度高,使用方便,并且采用了新颖的箱式结构,电磁兼容性能好,适合于靶场测试。 相似文献