专用测试设备校准技术方案

针对专用测试设备校准难的问题 ,分析了专用测试设备的特点和校准途径 ,提出了专用测试设备校准技术管理平台的解决方案 ,归纳了几种常用的校准方法     

基于机内测试的故障注入系统设计

随着机内测试(Built-in Test, BIT)的深入研究和广泛应用,对其验证和评价提出了迫切要求,也使这一领域成为新的研究热点.通过故障注入的方式检测BIT性能是一种有效的验证其测试性水平的方法.在综合国内外相关研究的基础上,详细分析了BIT验证和评价的重要性、迫切性及其实用价值,着重阐述了关于BIT验证和评价的故障注入系统设计方案,并给出了系统实现的总体结构框图、工作流程图、系统中各子模块的关系图以及实验数据等.在硬/软件设计实现的基础上,进行了初步的BIT验证实验,模拟一定数量的故障注入到被测电路中,用以验证BIT测试的有效性.结果表明该故障注入系统能够满足验证BIT设计指标的要求,达到了预期的初步设计目的.      

综合测试设备校准技术研究

简要论述了综合测试设备校准技术的现状和技术特点,提出了系统校准的方法,并给出了基于虚拟仪器技术和LX I仪器总线技术建立综合测试设备校准装置的设计方案。     

发动机流量测控设备校准系统设计与实现

为了验证发动机流量测控设备的准确性和可靠性,本文建立一套流量测控设备的校准系统,实现对发动机流量测控设备进行校准。完成了发动机流量测控设备校准系统的不确定度分析,设计了校准系统中的关键硬件系统,开发了校准系统软件系统,从而实现对发动机流量测控设备的自动控制和校准,该校准系统具有配置灵活和操作简单的特点。     

晶体管老化筛选设备计量参数的校准

晶体管老化筛选设备是对大功率、小功率三极管（NPN、PNP型）、二极管等电子元器件进行老化筛选的计量装置。通过对被筛选的晶体管施加电压、电流等影响量来对晶体管的可靠性进行检查。介绍了老化筛选装置输出的基极电压、集电极电压、集电极电流等参数的校准方法以及对同一个参数采用不同校准方法的比较研究。     

装备时延校准及监控技术研究CSCD

装备时延校准误差是靶场测控系统中事件记录和交会定位的重要误差因素,其精确校准是实现装备时间同步的关键技术。针对装备时延问题展开研究,提出了一种物理含义清晰、易于测量的装备时延定义,实现了离散站点装备时延校准,验证了基于改进型B码的装备时延校准监控的有效性。试验结果表明,时延校准的精度达到了十微秒量级。     

测试设备统计过程控制方法及其实现

针对测试设备计量保证的具体情况,采用计量确认与统计过程控制组合方法,实现测试设备校准间隔的确定和不确定度的评价。设计了校准间隔确定和统计过程控制计算软件,使得整个控制过程在局域网上操作方便简单。     

计量校准测试实验室综合管理系统的设计与实现

针对计量校准测试实验室存在管控力不强、工作效率低等问题,开发了符合计量校准测试实验室业务工作模式的计量综合管理系统,实现了检定校准测试工作基于过程控制的网络化运行,实现测量标准档案、计量资源以及图书资料等各种资料档案的信息化管控,促进了质量管理体系运行模式的进一步优化,达到了“过程控得住,文件管得好,工作效率高”的目标,具有较大的应用推广价值。给出了系统总体设计和采用的一些关键技术。     

便携式多功能校准仪在专用测试设备现场校准中的应用

航天工程专用测试设备具有系统复杂、参数多、不易移动的特点,常用校准方法复杂度高、效率低、成本高。为保证航天工程科研生产的顺利进行,专用测试设备的准确可靠及可溯源性越来越受到研制、生产和使用方的重视,并介绍了五种常用的专用测试设备校准方法。并针对目前常用校准方法的不足,提出将便携式多功能校准仪应用在专用测试设备现场校准的新方法,给出了不确定度分析。     

航天专用测试设备计量管理浅析

基于航天专用测试设备的特点、计量管理现状,针对当前专用测试设备计量管理模式进行分析,对未来专用测试设备的管理提出发展思路和建议,为航天产品提供可靠的计量保证。     

(0.1～1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计

本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0.1~1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器（LNA）。该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明：工作频率为(0.1~1.8)GHz,在室温条件下,增益为30dB,噪声系数<0.82dB,增益平坦度<0.5dB,输入输出回波损耗<-10dB,直流功耗为41.8mW;在-40℃低温条件下,增益为32dB,增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致,噪声系数<0.69dB。设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性。