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CUTTINGTEMPERATUREOFCBNTOOLSWHENMACHININGSTEELOFMEDIUMHARDNESSChenWuyi1(陈五一),DavidK.Aspinwal2,HanShuwen3(韩书文)1BeijingUniversi... 相似文献
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FATIGUEDISLOCATIONCONFIGURATIONSINHEXAGONALZIRCALOY-4¥XiaoLin(InstituteofEngineeringMech.,Xi'anJiaotongUniversity,Xi'an,China... 相似文献
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掺杂SiO2气凝胶结构及其热学特性研究 总被引:9,自引:0,他引:9
以正硅酸四乙酯为硅源,钛白粉为红外遮光剂,通过溶胶-凝胶及超临界干燥过程制备了钛白粉掺杂SiO2 气凝胶。用透射电镜、扫描电镜以及孔径分布仪对其结构进行了表征,并用动态热线法对其热学特性进行了测试。结果表明: 钛白粉能较均匀的分散在SiO2 气凝胶中;掺杂SiO2 气凝胶的孔洞大小分布在5~70nm ,峰值在20nm 附近,组成SiO2 网络的胶体颗粒为5~10nm ;随着钛白粉掺杂量的增加,掺杂SiO2 气凝胶的孔径分布峰高变矮,同时出现孔径为几纳米的微孔;热学测试结果显示钛白粉掺杂量为20w t% 的SiO2 气凝胶在常压、831K 时的热导率为0.035w m - 1K- 1。 相似文献
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梁家昌 《中国民航学院学报》1994,12(3):79-87
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带的性质有着明显的差别。1.17eV发光带的机理可用施主-受主对的复合发光来解释,其中施主-受主对系白处在Ga格位上的Si(SiGa)及其最邻近的Ga空位(VGa)所组成,记作SiGa-VGa。考虑到GaInP2中存在着很强的电子-格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序,所以在施主-受主对复合发光中应计及Franck-Condon位移△FC及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Es(DAP)。X—射线衍射实验表明,部分有序结构相当于成分调制,因而可用Kronig-Penney模型来计算Es(DAP)值。这样,我们就导出了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。 相似文献
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C/C复合材料防氧化复合涂层的制备及其性能 总被引:13,自引:1,他引:12
提出并制备一种C/C复合材料防氧化复合涂层,其基本结构为TiC粘结层/SiC氧阻挡层/ZrO2-MoSi2外涂层,研究了其制备工艺、组织结构、对各单一涂层的防氧化作用及效果进行了分析,并对其抗氧化性能进行了测试。通过比较四种成分组成的抗氧化陶瓷外层的抗氧化性能,结果表明:随着外涂层中MoSi2含量的增多,复合涂层的抗氧化性能增强,其中带有TiC/SiC/MoSi2涂层的C/C复合材料试样在1300 相似文献
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IMPROVEMENTSINMECHANICALPROPERTIESOFSINGLECRYSTALSUPERALLOYNASAIR100GuoXiping;ShiZhengxing;FuHengzhi(DepartmentofMalerialsSci... 相似文献
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THE 11TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA AEROSPACECO.(CASC)──BEIJING AEROSPACE PETROCHEMICAL TECHNOLOGY 下载免费PDF全文
《推进技术》1994,(2)
THEI11THRESEARCHINSTITUTEOFCHINAAEROSPACECO.(CASC)──BEIJINGAEROSPACEPETROCHEMICALTECHNOLOGY&EQUIPMENTSENGINEERINGCO.The11thre... 相似文献
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在Si上生长的异质GaAs外延薄膜(记作GaAs/Si)中,存在着深能级,它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于GaAs与Si之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与GaAs/Si的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的GaAs/Si样品是用MOCVD方法生长的,而且具有不同的[As]/[Ga]比。利用组态模型,通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化,获得了Franck-Condon位移。考虑了GaAs/Si的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Franck-Condon位移及带隙移动,修正了施主-受主对、导带-受主及施主-价带间跃迁的能量关系式,给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及GaAs/Si外延薄膜发光谱的特征,鉴定出GaAs/Si中的三个发光峰属施主-受主对复合发光,另外两个发光峰则是由As填隙-Ga空位的复合发光中心所产生。 相似文献
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INVESTIGATIONOFSENSITIVITYFORSILICONMICROMECHANICALTUNING┐FORKGYROSCOPERuanAiwa(阮爱武)1,LiWanyu(李万玉)2,FengPeide(冯培德)31Automatic... 相似文献
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TRANSITIONSIMULATIONUSINGGLM-EMBASEDCLOSEDEQUATIONSOFTURBULENCEGaoGe(4thDept.BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Be... 相似文献
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STUDYONIRONINGUSINGUPPER-BOUNDAPPROACHWuJianJun;MengXianyan(NorthwesternPolrtechnicalUniversity,,Xi'an,China,710072)STUDYONIR... 相似文献
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研究了凝固过程SiC、Al_2O_3、SiO_2颗粒增强Al-4%Mg复合材料中颗粒分布的影响。通过分析,建立了描述等轴晶凝固条件下,颗粒推移强烈程度的晶粒与颗粒质量比模型,模型预测与试验结果吻合良好。 相似文献
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HIGHORDERACCURACYSCHEMEFOR2-DTRANSONICFLOWS¥LiHaidong;LiuQiusheng;ShenMengyu(DepartmentofEngineeringMechanics,TsinghuaUnivers... 相似文献