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《北华航天工业学院学报》2015,(5)
建立了强夯加固风成砂地基的分析模型,利用有限元分析软件ANSYS/LS-DYNA对强夯作用下的风成砂地基进行了模拟分析,对夯锤采用刚体模型,土体采用Drucker-Prager塑性模型进行模拟,考虑夯锤和土体接触面之间的接触。结合工程实例,分析了3000k N·m夯击能下风成砂地基的夯沉量随夯击次数的变化规律、夯后沉降量随深度的变化规律以及不同深度处土体塑性应变随夯击次数的变化规律等,所得结论可为强夯的设计施工提供参考依据。 相似文献
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总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一。为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估。该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值。60Co γ射线辐照试验结果表明:加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150 krad(Si),可以满足相关任务应用需要。该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考。 相似文献
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在空间环境中,嵌入式SRAM 易受高能粒子的作用发生单粒子软错误,针对这一现象,文章研究了深亚微米工艺下嵌入式SRAM 的单粒子软错误加固技术,提出了版图级、电路级与系统级加固技术相结合的SRAM 加固方法以实现减小硬件开销、提高抗单粒子软错误的能力。并基于该方法设计了电路级与TMR(三模冗余)系统级加固相结合、电路级与EDAC(纠检错码)系统级加固相结合和只做电路级加固的3 种测试芯片。在兰州近物所使用Kr 粒子对所设计的测试芯片进行单粒子软错误实验,实验结果表明,系统级加固的SRAM 抗单粒子软错误能力与写入频率有关,其中当SRAM 的写入频率小于0. 1s 时,较只做电路级加固的芯片,系统级和电路级加固相结合的SRAM 可实现翻转bit 数降低2 个数量级,从而大大优化了SRAM 抗单粒子软错误的性能。并根据实验数据量化了加固措施、写频率和SRAM 单粒子翻转截面之间的关系,以指导在抗辐照ASIC(专用集成电路)设计中同时兼顾资源开销和可靠性的SRAM 加固方案的选择。 相似文献
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继原子弹和氢弹服役之后,核武器中又出现了一种核电磁脉冲弹,该弹在大气层以上爆炸,产生大量定向或不定向的强电磁脉冲,这些核武器产生的电磁脉冲对未加固的电子和电气设备具有瞬时效应或永久效应,为防止电磁脉冲对军用电子和电气设备方舱的破坏作用,需要对这类方舱进行抗核电磁脉冲加固,为此本文介绍了核电磁脉冲效应及其破坏机理,军用方舱抗核电磁脉冲加固和电磁脉冲试验。 相似文献
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弹上电子设备抗核加固的设计方案研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对核电磁脉冲效应的机理和影响分析 ,并在对国内元器件抗核加固设计水平及生产能力进行调研的基础上 ,提出了一种可行的弹上电子设备抗核加固设计方案 ,为在地面待发射状态下和在主动飞行段实现导弹武器的抗NEMP打下了研究基础 相似文献
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分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论. 相似文献
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结合工程实例,详细探讨了建筑工程地基软弱土层承载力不足的加固地基施工方法和技术措施,并对其施工效果进行了观测、验算和评析. 相似文献
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针对中继卫星在轨自动跟踪精度测试基准值建立和有效数据获取的难题,根据在天线电轴跟踪零点附近角误差电压灵敏度正比于波束指向角误差灵敏度的特性,提出了采用角误差电压灵敏度作为基准值,天线稳定跟踪目标时的方位角误差电压和俯仰角误差电压作为测试数据,通过数据处理得出在轨自动跟踪误差,然后与差波束零点(天线电轴)与和波束接收信号最大值轴之差相加,得出在轨自动跟踪精度的测试方法。并制定测试方案和测试流程,在轨进行了实施。与地面测试结果进行比较,数据相近,验证了测试方法的可行性和有效性。采用该方法测试难度小,便于实施,测试结果不受天线安装误差、卫星姿态变化等因素的影响,解决了中继卫星在轨自动跟踪精度测试的难题。 相似文献
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