P4VP系列高分子微波吸收材料的研究

聚4-乙烯基吡啶(P4VP)、聚4-乙烯基吡啶与聚a-甲基丙烯酸(PMAA)的高分子复合物和Fe~(3 )、Fe~(2 )可以形成高分子金属络合物。通过红外光谱、顺磁共振谱、穆斯堡尔谱初步分析了络合物的结构和电子自旋状态。分析表明,络合物为非对称的八面体结构,金属离子配位数为6,电子处于低自旋态。磁化率测量表明,络合物为顺磁性物质,络合物的体积电阻率在10~5～10~8Ωcm范围内,络合物均能良好对应一定的微波吸收频带(衰减>10dB)。     

含左手材料的单、双层结构微波吸波材料设计

提出了含左手材料的单层微波吸波结构及具有不同结构形式的双层微波吸波材料的设计方案。建立了用于描述其吸波性质的物理模型,利用转移矩阵方法逐一推导出了他们的吸波原理,提出了针对每种微波吸波材料结构的、在设计过程中必须遵从的设计原则。介绍了上述吸波结构的一般设计方法,并给出了经理论推导得出的、在设计过程中可能用到的计算公式。     

薄涂层吸收材料对表面波的衰减研究

本文通过平面模型研究了在大的弯曲金属表面上的薄层吸收材料中的能量过程,导出了表面波衰减常数的计算公式,提出了优选材料的电磁参数和展宽频带的方法。通过优选国内现有材料进行模拟计算得到了具有良好特性的薄涂层材料的例子。     

关于爬行波和薄层涂覆吸收材料

本文综合文献中关于爬行波性质的一些描述,并根据文献中关于导体圆柱及涂覆透明介质的导体圆柱的严格场理论分析结果,利用近似的模型分析了涂覆薄层吸收材料的大圆柱表面的吸收特性;阐明了材料对爬行波的吸收机理,通过举例近似计算的结果表明薄层材料对大圆柱情形十分有效,对材料参数的要求也不很苛刻,定性分析对任意曲面上的表面波也有参考价值。     

利用平面上表面波模型研究吸收材料对表面波的作用

本文利用平面上产生表面波的模型,定性地研究吸收材料对表面波的作用机理,包括吸收材料的参数、厚度和频率对衰减常数的影响,吸收材料影响能量的传播等。因为表面波与物体表面曲率有关,用平面模型研究是一种粗略的近似,但其定性的结果是有实际意义的。     

微波与红外兼容的新型隐身材料

本文报道导电高聚物在3cm 波段的电磁参量、吸收特性以及它在8～20μm 的红外波段的红外发射率特性的研究结果。以此为依据结合导电高聚物的结构特点以及它的物理化学特性评价导电高聚物作为兼容微皮和红外隐身材料的可能性。     

斜入射情况下的微波吸收材料性能

本文讨论斜入射情况下的微波吸收材料性能,计算结果表明:电磁波在斜入射时有一临界入射角θ_c。如果入射角θ<θ_c,则在反射方向上的反射系数或近似不变,或比垂直入射时小;如果θ>θ_c,则反射功率将随着θ的增加而变大。单层涂覆型微波吸收材料,其θ_c一般为32°左右,双层结构型的θ_c为45°左右。对于不同的极化和不同的工作频率,θ_c值也有差异。非磁性微波吸收材料,在低于吸收峰所对应频率的低频端,其θ_c为零,在高频端,随着频率的升高,θ_c也在增加。无论是平行极化,还是垂直极化,其微波吸收性能随入射角的变化规律是相似的。     

在微波吸收室中用时域法减少反射

一、概 述 为在微波吸收室中获得低反射,要恰当地选择吸收材料。用更掉现有微波室中的吸波材料来改善吸收室的性能事实上是不可行的。幸而时域测量法为我们提供了改善现有天线测试场散射的简易有效的方法。虽然人们对吸波室所用的吸收材料已经给于很多的     

大分子视黄基席夫碱盐微波吸收剂的制备

合成了一种大分子视黄基席夫碱盐微波吸收剂,通过元素分析,红外光谱（IR）,电子自旋共振波谱（ESR）等一系列测试手段对这种微波吸收剂的结构进行了鉴定,并对其介电常数,磁导率及密度进行了测试,对电磁参数的测试结果表明,该络合物具有较好的吸波性能。     

吸波材料对电磁波的吸收与反射

本文从麦克斯韦方程组、边界条件和物质方程出发,导出单层平板形吸波体的输入阻抗、电压反射系数和功率反射系数,进而导出多层平板形吸波体各层间界面处的输入阻抗和电压反射系数。     

电路模拟多层雷达吸收波材料的设计

提出一种把电路模拟技术与多层雷达吸波材料相结合的设计方法，将一个感性或容性是并插入靠近金属背衬的材料层中，并按照控制输入阻抗的要求安排其余的层，在仔细并参数和各层材料参数后，引结构能在宽频带范围内呈现小的反射，同时，与通常设计相比，层数更少，总厚度也更小。本文给出几个应用电感屏和电意容屏的设计例子，均有比通常设计更好的特性。     

吸波Cf和SiCf的制备及其微波电磁特性

探讨吸波Cf和吸波SiCf的制备方法方法和微波电磁特性，降低Cf的碳化温度、改变Cf的截面形状和大小、对Cf进行表面改性以及对Cf进行掺杂改性能制备出吸波性能优良的Cf，采用高温处理，对纤维进行表面改性和掺杂异种元素可制备出吸波SiCf.