发动机喷嘴表面化学改性抗结焦积碳

针对航空发动机喷嘴产生大量结焦积碳并影响其技术性能和使用寿命的问题,采用化学强氧化-阴极还原法,在航空发动机喷嘴材料表面制备了稳定的富铬氧化层.利用扫描电子显微镜、能谱仪和接触角测量仪对样品表面表征,开展静态结焦质量评定和动态航空发动机台架燃烧实验,探讨化学改性抑制结焦积碳的机制.结果表明,材料表面平整,氧化膜颗粒排列堆积紧密;喷嘴材料的抗结焦性能与其表面成分和界面张力密切相关;静态抑制结焦率最大约12.5%,动态燃烧实验效果更显著.     

基于电子束蒸发沉积的曲面纳米薄膜均匀性研究

半球谐振子金属化是半球谐振陀螺研制过程中的重要环节，针对半球表面薄膜制备均匀性难以实现的问题，提出了一种将薄膜沉积实验和光学模拟相结合的方法。本文采用电子束蒸发技术在半球上沉积Au薄膜，利用台阶仪测量球面上不同位点的薄膜厚度，将平面上的膜厚等效为半球曲面上的膜厚，研究球面薄膜的均匀性，得出了在半球内外表面上薄膜的膜厚分布；同时对薄膜沉积均匀性进行光学模拟，将半球探测器上辐照度等效为实验中沉积所得到的薄膜厚度，计算得出的半球探测器上辐照度分布与实验测量结果一致性较好，可为半球谐振子纳米薄膜的均匀性制备提供理论基础。     

半球谐振子镀膜残余应力对品质因数影响特性分析

针对半球谐振子表面金属薄膜残余应力分布情况,对半球谐振子Q值的影响特性进行仿真。根据仿真结果,采用多自由度磁控溅射及基底均匀加热的方法进行薄膜沉积工艺试验。控制多自由度旋转机构自传、公转、摆动参数分别为7(r/min)、12(r/min)、15(°)/s,基体均匀加热至120℃,溅射时间26min后得到100nm左右的膜层厚度。在真空状态下对半球谐振子镀膜后品质因数进行检测,结果表明可有效控制镀膜后Q值衰减不大于30%。     

组合材料芯片技术应用及Zn-Al合金镀层材料优选

基于组合材料芯片技术原理,通过离子束溅射方法,在低碳钢基片上快速制备了全组份范围的二元Zn-Al薄膜材料样品库,研究了不同热处理条件对薄膜组份互扩散过程的影响.使用XRD及EDS等手段表征薄膜的成分和结构,并采用原子力显微镜和透射电了显微镜观察形貌;使用纳米压痕仪测试材料芯片样品的压痕硬度和弹性模量;使用电化学方法测试平衡电位和极化电阻.在获得薄膜材料样品组成-结构-性能(力学性能和耐腐蚀性能)关联特性的基础上,对具有良好力学性能和耐腐蚀性能的二元Zn-A1合金镀层材料提出了成分设计和优化方案,即选择兼具良好力学性能和耐蚀性能的Al-Zn镀层材料,成分配比应控制为约30at%Zn含量.     

直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的光电和红外发射特性

以锌、铝合金(ω(Al)=3%)为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了系列掺铝氧化锌ZnO:Al(ZAO)薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、霍耳效应及红外发射率测量仪等测试仪器或方法表征了样品的结构、形貌、光学、电学及红外发射特性.测得样品最低电阻率达到1.8×10^-6(Ω·m),最大禁带宽度为3.47?eV,可见光区平均透过率达到90%,8~14?μm波段平均红外发射率在0.26~0.9之间.上述特性均随衬底温度和溅射功率的变化有着规律的变化.当方块电阻小于45?Ω时,薄膜在8~14?μm波段平均红外发射率与方块电阻遵循二阶函数变化规律.     

扫描辐射计内光路反射镜中SiO2／Ag薄膜系统的失效分析

SiO_2/Ag薄膜系统是扫描辐射计内光路反射镜的主要组成部分。采用高分辨扫描俄歇微探针(SAM)和扫描电镜分析对SiO_2/Ag 薄膜系统失效进行了较为全面的分析研究。通过扫描电镜观察发现,失效的反射镜表面SiO_2薄膜上存在大量析出物,借助于SAM分析,表明这些析出物主要是银和铜,析出物表面伴随有硫化和氧化。SAM的深度剖面结果说明,有析出物存在的区域,各薄膜层中存在原子间的扩散。文章就反射镜中Ag、Cu、和O的扩散和穿透行为进行了讨论,认为SiO_2薄膜致密度较差是导致反射镜失效的主要原因之一。     

掺杂纳米硅薄膜的生长特性

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅薄膜.探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律.利用高分辨电镜(HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨.得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性,即杂质原子绝大部分是非活性的,只有很少一部分在薄膜中起施主作用.大部分非活性的杂质原子存在于晶粒间界.     

硼酸金属化合物的制备及其电催化活性

采用电化学沉积法于室温、碱性条件下在氧化铟锡(ITO,Indium Tin Oxide)表面制备了硼酸钴(CoBi)、硼酸镍(NiBi)、硼酸锰(MnBi)、硼酸铑(RhBi)、硼酸钯(PdBi)几种无定形的硼酸金属化合物薄膜,并对其形貌和结构进行表征,结果表明几种薄膜均为无定形结构.将这几种硼酸金属化合物应用于电化学催化水氧化制氧,对比其催化活性,发现CoBi,NiBi,RhBi具有较高的催化性能,而MnBi和PdBi催化活性较低.进一步研究硼酸pH值对CoBi电催化水分解的影响.发现硼酸有利于金属化合物的制备,pH7~11范围内,HBO₃^2-作为质子受体含量逐渐增大,能接受放氧过程产生的质子,促进催化水分解过程的进行.所得催化剂可自我修复,实现循环利用.     

AZ91D镁合金低压交流氧化成膜机制

基于一种低的交流电压条件(10 V),在NaOH和Na₂SiO₃的混合溶液体系中,对AZ91D镁合金进行电化学阳极氧化处理.利用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、电化学测试技术等手段研究了AZ91D镁合金表面阳极氧化的成膜过程、膜层生长的特点以及氧化工艺参数对膜层性能的影响规律.试验结果表明:在10 V这样低的交流电压下,在镁合金表面获得的氧化膜层表面均匀,为无孔洞的平层状膜层,其生长过程呈叠加式特点;获得的氧化膜层的主要成分为Mg₂SiO₄;在质量分数为3.5%的NaCl溶液中,经过电化学阳极氧化的镁合金的耐蚀性优于未经处理的镁合金.      

离子束增强沉积TiB2薄膜的耐蚀性能研究

研究了在紫铜基材上用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）沉积ＴｉＢ２薄膜后，在６００，７００和８００℃的空气中氧化的动力学曲线；在ＩＮＨ２ＳＯ４溶液中，用动电位扫描法测定了其极化曲线和极化阻力，用ＳＥＭ观察了其形貌，用俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）分析了膜的成份，用Ｘ－射线衍射仪（ＸＲＤ）研究了膜的微观结构；讨论了ＴｉＢ２薄膜具有优良耐蚀性的机理。     

硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性.因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业.对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理,通过固相反应法(SPR)制备过渡金属硅化物薄膜,即经过对过渡金属硅化物(薄膜)/Si系统进行各种温度、不同时间的热处理,制备出各种过渡金属硅化物薄膜.对于制成的各种硅化物薄膜,用X射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认.并且,由这两种分析方法表明:各种过渡金属硅化物薄膜在硅衬底上各形成了单一相的均匀层硅化物薄膜.     

混合球磨对YAl_2颗粒形貌及表面改性的影响

采用扫描电镜、能谱分析、透射电镜等分析方法研究了球磨对YAl₂及YAl₂/Mg颗粒的组织形貌、YAl₂颗粒在YAl₂/Mg颗粒中的分散性及YAl₂/Mg界面结合状况的影响.结果表明:YAl₂颗粒经球磨20 h后,其平均粒径约为1.5 μm,颗粒边缘尖角数量明显减少,呈圆滑的近球形.加入Mg颗粒进行混合球磨20 h后,YAl₂颗粒在混合颗粒中呈弥散分布,且表面包裹一层单质Mg,YAl₂/Mg的界面为直接结合型,未发现有界面反应.     

铝热合成FeNiCr/NiAl-TiC涂层的时效研究

用铝热反应合成工艺在钢管内表面制备出了FeNiCr/NiAl-TiC复合涂层.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和透射电子显微镜(TEM)等分析手段研究了涂层显微结构以及固溶时效对FeNiCr/NiAl-TiC涂层显微结构的影响.研究表明,FeNiCr/NiAl-TiC复合涂层由TiC,NiAl,α-FeNiCr三相组成,晶粒细小,合金基体由α-FeNiCr和NiAl两相组成,其中NiAl相尺寸约为100nm.经过固溶时效,物相组成不变,TiC形态和尺寸稳定,α-FeNiCr基体中NiAl相的尺寸约为400nm,时效后NiAl和α-FeNiCr仍保持共格关系.      

硅溶胶在镁合金阳极氧化反应中的成膜作用

采用溶胶化学与电化学相结合的新型表面处理方法——将自制的硅溶胶添加到电解质溶液中进行阳极氧化.以AZ91D镁合金及镁锂合金为研究基材,研究体系分别为硅酸钠和氢氧化钠溶液,通过对不同溶胶添加量下的溶液电导率、反应击穿电压、氧化膜层厚度及微观形貌、膜层表面成分及XRD结果分析,来探讨溶胶粒子在成膜过程中的作用.结果表明:溶胶粒子的加入增大了阳极表面的电阻,使得反应的击穿电压升高,从而导致了膜层厚度增加;同时硅溶胶粒子参与了阳极氧化反应,其在高温高压的条件下与MgO生成了Mg₂SiO₄.      

稀土元素对Al-Ni-Gd-Y合金晶化行为的影响

利用差示扫描量热仪(DSC)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)研究了稀土元素(RE)对Al-Ni-Gd-Y非晶合金晶化行为的影响.Al-Ni-Gd-Y非晶合金的初始晶化温度随着稀土元素含量的增加而升高.在Al_(88-x)Ni₆Gd₆Y _x ( x =1,2,3,4)系中,随着Y含量的增加,初始晶化产物由面心立方Al(fcc-Al)变成为fcc-Al+Al₃Gd/Al₃Y+未知相.研究了热处理工艺对Al₈₆Ni₈Gd₃Y₃合金力学性能的影响,其中,当Al₈₆Ni₈Gd₃Y₃在568K下保温10min时,其显微硬度及韧性较高,析出尺寸为1~3nm的fcc-Al纳米晶颗粒.     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现:掺磷的nc-Si:H薄膜XRD 峰位的二倍衍射角约为33°.掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到:较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长.适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长.      

腐蚀环境下铜薄膜传感器金属结构裂纹监测

铜薄膜传感器在飞机金属结构损伤监测过程中,将长期面临大气腐蚀环境的影响。针对此背景,研究了铜薄膜传感器在腐蚀环境下的耐蚀性能,及腐蚀后的疲劳裂纹监测性能。首先,采用脉冲偏压多弧离子镀技术在不同弧电流和基体负偏压水平下制备了一系列铜薄膜,对其耐蚀性能进行了对比研究。结果表明,在弧电流60 A和基体负偏压250 V时沉积的铜薄膜耐蚀性能最佳。然后,结合耐蚀性能最佳的沉积工艺参数,在2A12-T4铝合金中心孔板试件上制备了同心环状铜薄膜传感器阵列,并开展了盐雾腐蚀试验。最后,对腐蚀试验后的铜薄膜传感器进行了疲劳裂纹监测试验。结果表明:铜薄膜传感器在腐蚀环境下具有良好的耐蚀性能,耐蚀时间达1 000 h;腐蚀试验后的铜薄膜传感器对裂纹变化敏感,能实现对裂纹定量监测,监测精度为1 mm,监测结果具有良好的可重复性。