基于LNOI的集成化光纤陀螺用功率分束器研究CSCD

设计了一种基于绝缘体上铌酸锂(LNOI)的片上多模干涉(MMI)波导功率分束器,在5μm×45μm的小尺上实现了1×2的片上分束功能,且满足集成化光纤陀螺的光路应用要求。通过理论公式和有限时域差分法对器件进行了关键参数计算和光场仿真,MMI干涉区长度为20μm,优化输出分支间距并增加宽度为1.7μm的锥型波导后,在100nm的光谱宽度中,功率分束器的归一化输出光强较为平坦,最低规一化输出光强为0.965,两输出分支的光功率不均匀度仅为10量级。     

浮秤用硅应变片的工作特性及其安装

本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生长,获得了等径度为99.6%的性能优良的铌酸锂单晶。     

基于铌酸锂晶体预偏置的电光调Q技术研究

为了优化调Q激光器谐振腔结构,基于铌酸锂晶体双折射特性,设计了铌酸锂晶体预偏置的电光调Q激光谐振腔,并理论分析和仿真了晶体预偏置角度的要求,获得了晶体预偏置角度与铌酸锂晶体长度之间的对应关系。最后以试验验证了该技术的可行性,获得了15.76ns脉宽、108mJ能量的调Q激光脉冲。     

高功率密度电动伺服系统高压驱动关键技术研究

高功率密度电动伺服控制系统的性能、可靠性与控制系统结构、主电路功率开关器件的驱动和保护设计密切相关.针对当前大功率高功率密度伺服系统快速发展的迫切需求,为使伺服系统具有优异的控制性能,且保障高压功率开关器件能稳定、可靠的工作,提出一种基于数字信号处理器和可编程逻辑器件组合的多轴高性能电动伺服控制系统设计方案.重点研究了主电路功率开关器件IGBT的驱动电路和吸收保护电路结构及参数优化方法,并提出一种集隔离、驱动、保护一体化软硬相结合的双重过流保护方案,详细说明了各保护参数的计算方法,所设计的四轴驱动控制器功重比达5.2kW/kg,伺服系统功重比达0.49kW/kg.实验结果证明:该伺服驱动控制系统具有实时性强、动态响应快、功率器件驱动保护电路性能稳定、可靠性高等优点.     

微波锂铁氧体

微波锂铁氧体是一种新型材料.本成果采用了特有的、锻烧的MgOTiO2混合物的镁钛离子取代铁离子,并选取适当的预烧、烧结、温变等新工艺,研制出一系列微波锂铁氧体高低功率材料,满足了闭锁式数字移项器高功率差相移环形器和高功率闭锁式快速开关等器件的需要,研制出C波段闭锁式数字移相器, 性能优良,是小阵面雷达的关键元件,经装机使用,满足技术指标要求,并已批量生产.     

集成低频脉冲功率解耦端口的机载电源系统

为了消除高峰均功率比低频脉冲负载对有限容量机载交流供电系统的周期性冲击等不利影响,对开关器件进行集成和复用,提出了能够同时提供功率解耦端口和直流输出端口的三端口功率解耦整流器。通过将三端口整流器与DC/DC变换器组合,构造出集成低频脉冲功率解耦端口的机载电源系统,实现了直流侧周期性脉动功率和交流源侧功率的解耦,并保证低频脉冲负载正常供电需求。详细分析了三端口整流器的工作原理,提出了与之相适应的功率控制方法和调制策略,基于开关器件分时复用原理,实现了交流端口到两个直流端口的功率传输和分配,并实现了两个直流端口功率切换过程的平滑过渡。实验结果验证了所提三端口脉冲功率解耦整流器的有效性和可行性。     

导电高分子电致变色智能热控器件

采用简单的旋涂、喷涂等方法,制备了一种由可溶性聚苯胺为主体电致变色智能热控器件.该器件的基底为聚酯,固体电解质为锂盐/聚丙烯腈.通过电切换调控,该器件发射率能够在0.46-0.75内调控,且红外光谱反射率变化大于38%.研究了厚度、预掺杂酸种类、浓度等对聚苯胺活性层发射特性的影响;考察了导电高分子聚苯胺层厚度、电切换电压等因素对涂层体系发射率调控的影响.结果表明发射率的调控范围与电化学还原的深度密切相关,通过调节材料厚度、掺杂酸种类等可有效提高发射率调控范围.该导电高分子电致变色智能热控涂层在航天器热控制方面展示了良好的应用前景.     

微电子器件的散热技术

微电子器件的散热技术微电子器件封装的趋势是封装密度大幅度地增长，虽然由于器件技术的进步，使每个线路的功率平稳地降低．但由于每个芯片的线路总数目的增长和器件的封装密度的提高，而使功率消耗密度不断地增大。因此如何散热，对增加线路传输速度和可靠性是非常重要...     

功率MOSFET逆变器在VSCF电源中的应用

 以用于交直交飞机VSCF电源系统的SPWM逆变器作为研究对象。利用数字计算机对自然采样SPWM过程进行了数值分析,得到SPWM逆变器输出电压频谱与脉宽调制参数(M、N)之间的关系。同时,数值分析考虑了GTR存贮时间t_s和导通延迟时间t_0对SRWM频谱的影响。选择新型功率开关器件—功率MOSFET构成小容量VSCF电源的逆变器。并给出两种高效、可靠的功率MQSFET栅极驱动电路及逆变器的试验特性,     

锂/氟化碳电池热特性研究

针对锂/氟化碳电池放电过程产热问题,选用了3种不同型号的氟化碳材料,对材料的微观形貌、晶型和键型进行了分析,并使用等温量热仪测试了不同倍率下锂/氟化碳软包电池放电的产热功率和积分产热量,使用加速量热仪测量了锂/氟化碳电池的比热容。结果表明:氟化碳材料的放电电位与材料中C-F键的类型(键能)有关,进而影响电池放电过程中的产热量;C-F键偏离子型,放电电位越高,极化越小,放电过程中产热越少;锂氟化碳电池的放电倍率越大,电池的产热功率越大。     

前处理工艺对航空铝锂合金硫酸阳极氧化膜层性能影响

针对一种新研制的航空用Al-Li-Cu-Zn-Mg系铝锂合金,采用了光学显微镜、电子显微镜和能谱分析技术,分析碱腐蚀和三酸脱氧两种不同前处理工艺对铝锂合金硫酸阳极氧化膜层的外观、耐蚀性和疲劳性能的影响规律。结果表明:相比三酸脱氧工艺,碱腐蚀工艺对铝锂合金表面的腐蚀程度较深,晶界处的耐腐蚀能力较差,硫酸阳极氧化膜层表面形成了网状晶界形貌;采用碱腐蚀处理的试样疲劳寿命较三酸脱氧处理试样更低,而不同前处理后经过硫酸阳极氧化的试样疲劳寿命相差不大。不同前处理对铝锂合金的硫酸阳极氧化膜层的耐蚀性的影响不大。     

功率器件稳态温度预测的非稳态测试及精度分析

 结合功率器件非稳态导热的温度变化规律,采用非稳态的测试方法,对功率器件在不同条件下得到的时间常数及稳态温度的预测精度进行了测试和分析;并以此为依据,提出了一种综合利用功率器件升温及降温曲线,从而有效降低功率器件测试温升幅度的方法。实验及分析结果表明,在给定5%的误差范围内,单独采用温升测试数据对稳态温度进行预测时,温升测试幅度需达到总温升的70%左右。而综合利用升温及降温阶段的测试数据时,温升幅度可以降低至40%左右,对应的温升测试时间也缩短为前者的1/2。从而可以有效提高功率器件的热测试效率,并尽可能降低测试对器件造成的损害。     

高峰值功率激光脉冲组打孔技术

介绍在钕玻璃激光能量器件中安装一种装置，把原输出激光波形调制成一组峰值功率提高３～４倍的脉冲组，用该激光脉冲可大幅度减少打孔过程的熔融残留（再铸）层厚度和微裂纹深度，有效地提高了零件的机械疲劳强度和激光打孔能力。     

强流脉冲电子束烧蚀法沉积Li NbO3铁电薄膜

介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术     

一种新颖的在线自校正死区补偿策略

为解决正弦脉宽调制(SPWM)电压源逆变器在低频和轻载时死区效应所导致的相电压、相电流畸变和转矩脉动等问题,提出了一种新颖的在线自校正死区补偿策略。该策略考虑了死区时间、功率器件管压降、开通时间、关断时间等对逆变器输出电流的影响,而且对直流母线电压和载波频率的波动进行了自校正在线计算补偿。最后,对输出电流进行了死区补偿前和补偿后的对比试验,结果表明该方法具有较好的补偿效果。     

瞄准吊舱捷联惯导系统快速传递对准方法

 新型瞄准吊舱系统中安装捷联惯导系统,使其在跟踪、探测目标的同时具备一定的自主导航能力。吊舱系统中的捷联惯导一般采用较低精度的惯性器件配置,且传递对准实现过程受到机动条件的严格限制。针对该问题提出了一种“比力积分/角速度匹配”传递对准方法,利用主惯导导航信息与惯性器件输出,以及子惯导惯性器件输出实现子惯导的对准。推导了基于主、子惯导系统误差的数学模型,详细分析了器件精度与低动态条件对系统状态量可观测度的影响,并针对低精度惯性器件与低动态条件下的传递对准性能进行了数字仿真。仿真结果表明,该方法在器件低精度与低动态条件下,对准性能达到5′,优于常规传递对准方法,可满足瞄准吊舱捷联惯导系统的快速对准性能要求。     

机载相控阵雷达铁氧体移相器制造工艺

移相器是电扫描相控阵雷达的关键器件。本文介绍了双模互易式铁氧体移相器的材料制备、降低器件激励功率及保证器件性能一致性等工艺。     

国外激光加工技术的发展和应用(下)

激光清洗微电子器件制造中最令人头痛的是有机物和微粒污染。对于亚微米尺度的半导体器件来说,其失效缺陷是微粒污染造成的。加工中,灰尘直径只及器件最小几何尺寸的1/3至1/10就能造成器件失效。传统的超声清洗和强声清洗对微米级及更小尺寸的微粒越来越无能为力了。目前正在研究开发以下几种激光清面:①微粒或表面吸收激光能量后,热扩散产生的力使微粒离开表面;②激光能量被微粒周围和下面的转移介质(例如,少量的水)吸收,导致介质爆炸性汽化,把微粒推离材料表面;③激光能量被基体材料吸收,然后把吸附的转移介质加热,产生爆炸性汽化。初步试验表明,这些激光辅助去除微粒(LAPR)的方法是有效的,使半导体器件生产成品率的提高有了光明的前景。上述清洗方法同样适用于要求特别严格的光学器件表面。     

用时间分辨法实现半导体激光器特性脉冲测试

提出了一种基于时间分辨的脉冲式半导体激光器特性测试新方法,并研制了相应的测试系统。该方法根据脉冲驱动源的时序,同步产生采样窗口信号,然后根据采样窗采集半导体激光器的注入电流、端电压和输出光功率等数据,进而获得表征器件特性的曲线和参数。该方法解决了半导体激光器特性测试中的2个关键问题：一是现有的连续测试方法造成的器件温升,影响测试准确性和安全性;二是解决了脉冲驱动源与测试的同步问题。文中给出了最小脉冲宽度达100 ns的窄脉冲驱动的L-I-V测试曲线和测试参数。     

基于SYSTEM Ⅱ的新型微波中功率计量系统

SYSTEMⅡ功率传递系统是微波小功率计量领域内应用比较广泛的测试系统之一,通过对传统中功率计量方法的分析研究,提出了利用SYSTEMⅡ功率传递系统实现中功率计量的构建方案。采用低反射系数等效信号源结构,构成反射系数小、输出稳定、输出电平可调的中功率等效信号源;采用中功率衰减器和SYSTEMⅡ功率传递系统中含有的高精度终端式小功率座构成中功率传递标准,通过交替比较法,实现微波中功率计的高精度自动校准。