SiC热防护涂层制备工艺研究

基于热力学理论分析和化学气相沉积工艺特点,设计了CVD-SiC工艺流程,进而在石墨基体上制备了SiC涂层。对涂层进行了SEM及XRD分析,考察了反应温度和体系压力对涂层形貌和结构的影响。研究表明,较低的体系压力有利于在较低的温度下制备高纯度的SiC涂层,在优化工艺条件下(n(H2)/n(MTS)=10,p=10kPa,t=1100℃)制备的SiC涂层结构致密,表面呈球形颗粒状,沿(111)面择优取向生长。     

石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究

研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2∶MTS=5∶3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。     

石墨基体电泳沉积法制备SiC涂层

采用电泳沉积法在石墨基体上涂敷SiC.通过对SiC悬浮液外部参数的控制,得到沉积时间、电压、添加剂量、固含量对沉积状况的影响.通过正交试验得到优化条件并在优化条件下制备样品,经烧结处理即得石墨的SiC涂层.用SEM观察涂层的微观结构,XRD用于烧结前后的相鉴定.结果表明,石墨基体上电泳沉积法制备均匀的SiC涂层简便可行.涂层为颗粒的物理堆积且存在孔隙,在实验烧结条件下SiC没有发生相变.     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

Ba_(0.75)Sr_(0.25)Al_2Si_2O_8粉体的制备及其抗氧化性能初步评价

采用凝胶固相反应法制备SiC陶瓷基复合材料EBC涂层用Ba0.75Sr0.25Al2Si2O8粉体,并以SiC陶瓷片为基体材料初步评价了BSAS涂层的抗氧化能力。通过DSC/TG确定了凝胶前驱体的热分解情况;利用XRD、SEM、粒度和热膨胀系数的测定对合成粉体进行了表征;对该粉体的抗氧化性能进行了初步评价。结果表明,1200℃下成功制备颗粒中位径3.9μm、分散均匀的BSAS粉体;粉体室温至1200℃的热膨胀系数为5.02×10-6 K-1,与SiC陶瓷有很好的热胀匹配;该涂层可在1300℃、大气环境下保持均匀无开裂,与基体结合紧密,可以基本满足现阶段国内航空用SiC陶瓷基复合材料抗氧化的要求。     

CVI工艺对CVI—SiC基体及C/SiC复合材料性能的影响

通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。     

沉积温度对TiB_2涂层的组成与形貌的影响

利用TiCl4-BCl3 -H2-Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)在石墨基体上沉积了TiB2涂层,并对涂层的物相、沉积速率、微观结构、表面形貌进行了分析.结果表明:沉积的涂层物相由TiB2组成.随着沉积温度的提高,沉积速率加快,涂层的显微硬度先增加后降低,950℃时达到最大值.沉积温度的升高,TiB2涂层颗粒尺寸明显增大,在900℃～950℃范围内能沉积出结构致密、颗粒尺寸适合的TiB2涂层.分析了TiB2涂层的沉积机理.     

沉积温度对碳芯SiC 纤维微观结构的影响

以沥青基碳单丝为基体,一甲基三氯硅烷为碳化硅前驱体,使用通电加热的冷壁CVD工艺,温度在1 473～1 773 K,制备了碳芯SiC纤维.采用扫描电子显微镜和拉曼光谱对纤维的表面形貌及结构进行了表征,研究了沉积温度对其结构的影响.结果表明,SiC涂层为β-SiC晶型.沉积温度的升高引起了沉积速率的增加以及SiC涂层晶粒尺寸的长大.同时,导致碳芯中心区域发生结构重排,引起了该区域取向度的提高以及晶粒尺寸的减小.     

沉积温度及走丝速度对SiC纤维拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌的影响

采用CVD工艺在W芯SiC纤维表面涂覆B4C涂层,通过扫描电镜和纤维拉伸测试研究沉积温度和走丝速度对W芯SiC纤维拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌的影响规律。结果表明,在1100℃以下不能获得B4C涂层。在一定的涂层参数下,可以获得与W芯SiC纤维的拉伸强度最接近(达3339MPa)的带B4C涂层的SiC纤维。且在其他涂层参数不变的情况下,为优化工艺参数,应符合沉积温度>1210℃时,走丝速度>0.055m/s;或沉积温度<1210℃时,走丝速度<0.055m/s。沉积温度影响SiC纤维的拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌,走丝速度影响SiC纤维的拉伸强度和B4C涂层厚度。     

电弧离子镀NiCrAlY涂层高温氧化行为

采用电弧离子镀技术在铸造镍基合金上沉积ＮｉＣｒＡｌＹ涂层，涂层均匀、致密与基体结合良好。测定了Ｋ１７合金和ＮｉＣｒＡｌＹ涂层在９００～１７００℃的氧化动力学曲线，试验结果表明： Ｋ１７合金和 ＮｉＣｒＡｌＹ涂层在不同温度静态空气中氧化动力学曲线基本符合抛物线规律。９００℃和１０００℃时，Ｋ１７合金上沉积ＮｉＣｒＡｌＹ涂层后，明显改善了合金的抗氧化性。１１００℃时，涂层的保护作用降低。随着氧化温度升高，涂层和基体之间元素扩散能力增强，Ｔｉ从基体扩散到涂层表面形成氧化物是导致涂层抗氧化性降低的原因之一。氧化膜从涂层上剥落下来，也导致了涂层抗氧化能力降低。