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无线电技术的发展,使得石英晶体振荡器的应用日趋普遍。近几年来,数字集成电路的迅速推广应用,对石英晶体振荡器提出了新的要求。本文介绍的ZBM型薄膜电路石英晶体振荡器和ZH型混合电路石英晶体振荡器,是分别直接驱动MOS型和TTL型数字集成电路的新型件器。 相似文献
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介绍了晶体振荡器在国内外的广泛应用和MCXO晶振的原理方案及其较之TCXO晶振的各种优越性。MCXO晶体振荡器结合了SC切等特殊晶体的特性及微型计算机技术,对晶体振荡器和高准确度频率源的长远发展有重要意义。 相似文献
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本文综述了贝尔实验室在应用计算机方面的经验,包括模拟和设计、数据采集、数据分析、元件选择和其它各种各样的工作。过去,石英晶体振荡器可以很容易地应用线性电路模型来模拟。虽然存在非线性模型(例如,Spicc.Capitol等),但它们不能被用来对晶体振荡器进行闭环分析,因为其中包括有高Q参数。然而最近Waterloo大学研究的WATAND程序已变得很有效并可适用于石英晶体振荡器的闭环非线性分析。在贝尔实验室,线性和非线性两种分析程序正用于评价新设计,同时特别注意元件变化对工艺的影响。计算机完成原始数据采集任务的方法是对温度补偿晶体振荡器进行频率温度测量。附加的应用是对振荡器进行最后的室温检验,以便确定波形特征、功率损耗、电源灵敏性和频率牵引范围(对于压控晶体振荡器)。应用实时元件选择的方法有助于把电阻组合选择来与根据温度试验数据的分析所确定的数值相适应。在压控晶体振荡器和温度补偿压控晶体振荡器中,用实时元件选择的方法来调整变容二极管的工作点,使频率一电压牵引特性最佳。其他应用包括:对性能数据进行统计分析,以便于计划产量;使用模-数和数-模变换器模拟数字补偿流程图来与以微处理器为基础的计算机相对接,以及模拟双转角晶体切型的温度特性。 相似文献
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首先讨论了限制压控晶体振荡器频偏扩展的原因,和扩展频偏的方法。对常用的加电感扩展频偏网络进行了较详细的理论分析。还讨论了压控晶体振荡器的主要技术指标和电路设计时遇到的问题,并提出了相应的改进措施。研制的宽频偏线性压控晶体振荡器取得了较好的结果。现已应用于实际工程之中。 相似文献
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早在60年代初期,晶体振荡器的温度补偿技术就被成功地使用了。自那时以来,出现了大量的补偿网络和补偿技术,并都取得了不同程度的效果。本文论述应用于精密晶体振荡器补偿的几个主要方法。这些方法列于图1。实验模拟 相似文献
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讨论应用单片微型计算机对晶体振荡器进行数字温度补偿的原理,给出系统方框图和单片微机程序流程图,也对校准值的插值运算作了介绍,在-20~+50℃温度范围内,获得了小于±1×10~(-7)频率稳定度的温补晶体振荡器。 相似文献
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无电极(BVA)石英晶体振荡器已在法国的Besancon研制成功并由瑞士的Neuchat-el oscilloquartz S.A.进行工业化生产。这种谐振器使石英晶体振荡器的长期性能得到改善。由于允许较高的激励电平,所以也保证了较好的短期稳定度[5][6]。已经用三种不同的振荡器获得了实验结 相似文献
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本文论述高速飞行器运行时的恶劣环境对石英晶体振荡器频率稳定度的影响,研究了晶体振荡器的频率振动效应和热效应,论述了把运算放大器用于控温电路对解决低温环境下恒温器快速加热的优越性。研制的两种晶体振荡器分别通过了功率谱密度为0.20g~2/Hz和0.16g~2/Hz的随机振动例行试验;在—30℃的低温条件下加电半小时达到基本稳定状态;频率日老化率达到10~(-9)~10~(-10)量级。文章还叙述了设计中应注意的问题,并给出了具体电路。 相似文献
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文中叙述了小型抗振石英晶体振荡器,它的输出频率为204.8kHz,在-40℃~85℃的温度范围内总频率误差小于20×10-6。为适应弹上的工作条件,在设计中采用了3.2768MHz高频晶体和CMOS集成电路做为振荡和频率部分,并在结构设计和安装中做了一些改进。简化了晶体振荡器的技术程序和提高了它的可靠性。分析了晶振的工作情况,介绍了它的电路参数和设计原理及实验中出现的主要问题。结果表明:小型抗振石英晶体振荡器满足了设计和工作要求。 相似文献
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详细介绍了高频宽频偏压控晶体振荡器的工作原理,根据技术指标给出了实际电路,并对电路进行了分析,最后给出测试结果。 相似文献
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本文从压控晶体振荡器的基本原理出发,建立了通用的网络变换模型,编写了压控网络的计算机辅助设计程序,程序设计结果与实验结果基本一致。 相似文献