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研究了以先驱体为粘合剂制备SiC/Si3N4复相陶瓷异型件的成型工艺,以及各成工艺参数对后续烧成,烧结工艺和制品性能的影响。 相似文献
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研究了以先驱体为粘合剂制备SiC/Si3N4复相陶瓷异型件的烧成工艺,以及升温制度等对制品质量的影响。 相似文献
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本文对国外用聚硅氮烷或其它聚合物裂解制造Si2N4或Si3N4-SiC陶瓷材料的研究进行了扼要的综述,着重介绍了聚硅氮烷的制造方法,并展望了其应用前景。 相似文献
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研究了以陶瓷先驱体为粘合剂成型并转化制备致密SiC/Si3N4复相陶瓷异形件的烧结工艺及其对烧结体的结构和性能的影响。 相似文献
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以Y2O3-Al2O3和MgO-Al2O3为烧结结助剂体系,研究了烧结助剂体系及其含量对Cf/SiC复合材料密度与动力学性能的影响,结果表明,以Y2O3-Al2O3为烧结助剂时,复合的力学性能优于烧结肋剂为MgO-Al2O3时复合材料的力学性能,当烧结助剂为Y2O3-Al2O3时,随着烧结助剂含时的增加,复合材料力学笥能不断提高,断裂韧性在烧结助剂含量为12%时达到最大值14.83MPa.m^1/2,进一步增中烧结助剂的含量,复合材料的抗弯强度叶有提高,但断裂韧性急剧降低,烧结助剂含量超过15%后,抗弯强度也急剧降低,结果同时证明,复合材料的断裂行为取决于纤维/基体间的界面结合强度,即纤维/基体间的界面结合情况是决定纤维增强陶瓷基复合材料力学笥能的关键因素。 相似文献
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所俊%郑文伟%肖加余%陈朝辉 《宇航材料工艺》2000,30(2):29-32
主要研究了先驱体转化法制备碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料的浸渍工艺条件,探讨了不同温度,压力对PCS/DVB溶液法和PCS熔融法浸渍效率的影响,优化出最佳浸渍工艺参数。结果表明,温度对PCS/DVB溶液粘度影响较大,升高温度可急剧降低PCS/DVB溶液的粘度,有利于浸渍。PCS/DVB溶液法浸渍的最佳工艺参数为:50-60度,2MPa,PCS熔融法浸渍的最佳工艺参数为:300度,2MPa,采用PCS/DVB溶液法浸渍时的浸渍效率优于PCS熔融法,经四个浸渍裂解周期后溶液法制备的材料密度(1.53g/cm3-1.61g/cm3)明显优于先驱体熔融法(1.43g/cm3-1.52g/cm3) 相似文献
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本文通过XRD和SEM分析了热压Si_3N_4/TiC的显微组织特征,研究了添加TiC粒子对Si_3N_4陶瓷力学性能的影响。结果表明:在Si_3N_4/TiC颗粒复合材料中,TiC与裂纹前端的交互作用使裂纹发生偏转,增加了裂纹扩展阻力,使断裂韧性值提高,断口形貌趋于复杂;同时TiC与Si_3N_4的弱界面结合以及TiC团聚体的存在使Si_3N_4/TiC在韧性增加的同时强度降低。K_(IC)增加越显著,强度下降越明显。 相似文献
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以Y2 O3-Al2 O3和MgO -Al2 O3为烧结助剂体系 ,研究了烧结助剂体系及其含量对Cf/SiC复合材料密度与力学性能的影响。结果表明 ,以Y2 O3-Al2 O3为烧结助剂时 ,复合材料的力学性能优于烧结助剂为MgO -Al2 O3时复合材料的力学性能。当烧结助剂为Y2 O3-Al2 O3时 ,随着烧结助剂含量的增加 ,复合材料力学性能不断提高 ,断裂韧性在烧结助剂含量为 12 %时达到最大值 14.83MPa·m1/ 2 。进一步增加烧结助剂的含量 ,复合材料的抗弯强度虽有提高 ,但断裂韧性急剧降低。烧结助剂含量超过 15%后 ,抗弯强度也急剧降低。结果同时证明 ,复合材料的断裂行为取决于纤维 /基体间的界面结合强度 ,即纤维 /基体间的界面结合情况是决定纤维增强陶瓷基复合材料力学性能的关键因素 相似文献
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王建方%陈朝辉%刘希丛%肖加余%郑文伟 《宇航材料工艺》2001,31(4):40-43
应用物理学的逾渗理论对PIP法制备Cf/SiC复合材料浸渍和裂解过程进行了模拟解释和分析,并在此基础上对工艺进行了优化,使Cf/SiC复合材料的密度由原来的1.75g/cm^3提高到2.03g/cm^3,强度由原来的300MPa提高到500MPa。 相似文献
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简科%林红吉%陈朝辉%马青松 《宇航材料工艺》2004,34(5):6-9
综述了影响碳纤维增强陶瓷基复合材料成本的主要因素,比较了采用不同先驱体原料和制备工艺制备的陶瓷基复合材料的制备周期、成本及性能,为先驱体转化制备低成本陶瓷基复合材料提供一些参考。 相似文献
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采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si_3N_4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m~(1/2),介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15~18,虚部约为6~8;反射衰减随(SiC)C_f的含量和厚度的增加而向低频移动。 相似文献