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文中对高低机行星轮系齿轮氧氮化工艺进行详细的描述。工作经氧氮化处理后,表层形成致密的磁性氧化膜,具有较强的防锈能力,硬度高,韧性好,附磨,抗咬合。而且与纯氨氮化相比,氧氮化周期缩短1/3 ̄1/2。因此能节省能源和化工品。 相似文献
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根据现场发生的实际问题进行了技术攻关,提出用电化学退锡方法代替原来的化学退锡的方法,从而提高氮化齿轮氧化膜的质量,取得了良好的效果。 相似文献
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该文就2Cr13不锈钢氮化表面亮点问题进行了探讨.工艺试验和故障分析结果表明:预先热处理工艺对2Cr13不锈钢氮化表面质量有着重要影响,获得较细的回火索氏体组织是解决2Cr13不锈钢氮化后表面亮点的有效途径. 相似文献
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铝合金硫酸阳极化膜层颜色不均匀的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
铝合金经硫酸阳极氧化后膜层出现颜色不均匀的现象,严重影响批产质量和进度;对影响铝合金硫酸阳极氧化膜层颜色不均匀的各种因素进行全面分析,并结合生产实际,提出切实可行的措施,有效地解决了氧化膜颜色不均匀的问题。 相似文献
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激光气体氮化参量对TA2钛合金表面形态和硬度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
激光气体氮化TA2钛合金时,氮化区表面形态和硬度受激光加工参量影响很大。在不同的激光氮化参量作用下,氮化区内熔体的对流形式和程度不同,使TA2钛合金表面形态呈现不同的特征。激光氮化后,TA2钛合金表面硬度提高。氮化区域内生成硬质相TiN是TA2钛合金表面硬度得到提高的主要原因。 相似文献
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简要介绍了带式积分镜光束变换的原理。然后针对采用带式积分镜前后TA2钛合金表面激光气体氮化处理的氮化区颜色、氮化区宽度以及表面硬度进行了比较和分析,结果表明采用带式积分镜进行激光光束变换可以有效提高激光氮化处理的效率。 相似文献
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为实现更高工作频率的氮化镓(gallium nitride,GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件,采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝(aluminium nitride,AIN)势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析,系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm,研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时,跨导达到最大值(592mS/mm),截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率,同时避免器件出现短沟道效应,固定AlN势垒层厚度为4nm,研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大,50nm栅长的器件截止频率最高,但栅长为50nm时器件短沟道效应严重,此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比,当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25),器件短沟道效应得到抑制,且具有较高的截止频率。仿真结果表明,AlN HEMT具有较高的截止频率,同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应,为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。 相似文献
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本文对镀黑铬、黑镍、铝合金黑色电解着色、钛合金黑色电解氧化、镁合金黑色氧化、不锈钢黑色电解氧化,镀锌层黑色钝化等技术发展状况进行简要介绍。黑色涂(镀)膜,此处是指黑色电镀层、黑色电化学氧化层、黑色化学氧化层而言。黑色涂(镀)膜层不仅有美丽的外观,还具有优良的光学性能、耐蚀性能、耐磨性能,很高的集 相似文献
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硬铝的离子渗氮工艺介绍 总被引:1,自引:0,他引:1
在改进的离子氮化炉中进行AlZnMgCu系铝合金的离子渗氮,使其基体表面生成了一层高硬度、六角形结晶的亮黑色的氮化铝薄层。由于氮化过程中AlN层的体积膨胀,以及它与铝基体之间的热膨胀系数不同,在AlN层中出现了显微镜下可见的变形和显微裂纹。因此,要正确地调整氮化参数,必须使AlZnMgCu1.5合金基体上生成的结合力好的小于3μm厚的AlN层。 相似文献
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针对TC4钛合金气浮陀螺轴承离子氮化的要求,改进离子氮化炉的阴极结构,控制阴极托盘与防辉盘、阴极柱上端圆盘与间隙套、间隙套与阴极瓷管之间的间隙尺寸,使氮化过程中的气压、电压和电流密度均可在较大范围内调整,无内弧或击穿,辉光稳定,减小了瓷柱污染,氮化温度可≥900℃,使稍低于相变点则合金将有较佳综合性能;设计辅助工装,保证零件各部件的温差<10℃;经确定检测方法,优选离子氮化气氛、氮化温度及温度升降速度,消除污染后获得的氮化零件色泽金黄;最大氮化深度~0.5mm;表面硬度>Hm1000;球轴变形量<+4~7μm;球碗变形量<-15μm;研配后可达到设计要求,耐磨性能及抗咬合性能显著提高。 相似文献
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针对2A14铝合金局部硬质阳极氧化工艺进行了深入研究,提出以双重封闭后的铬酸阳极氧化膜代替传统的涂漆保护,作为2A14铝合金局部硬质阳极氧化的遮蔽层。利用极化曲线、阻抗谱(EIS)和点滴试验等测试方法,研究了双重封闭后铬酸阳极氧化膜的腐蚀行为,并与重铬酸钾封闭、水封闭后氧化膜进行比较。与重铬酸钾封闭、水封闭相比,双重封闭后铬酸阳极氧化膜的腐蚀电流密度下降2个数量级,氧化膜多孔层电阻R_p值提高500倍以上,氧化膜点滴试验时间提高2倍~5倍。结果表明,双重封闭技术能有效提高铬酸阳极氧化膜的封孔质量,增强了耐腐蚀、耐电压性能,可作为2A14铝合金局部硬质阳极氧化遮蔽层。采用该工艺制备的局部硬质阳极氧化膜均匀致密,厚度可达60μm,平均硬度可达360,满足设计要求(厚度≥40μm,硬度≥329)。 相似文献
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氮化钽(tantalum nitride, TaN)薄膜电阻电路是星载放大器、功分器等典型产品中必不可少的组成部分。在较大功率信号施加的条件下,TaN埋嵌电阻部位热效应较强,出现电路失效或烧毁的可能性也较其他部位大。星载微波单机应用环境条件恶劣,对于薄膜电阻的应用可靠性要求极高,常规侧重高温工况,热处理等条件下的氮化钽电阻功率耐受性研究无法得到实际星载应用工况中氮化钽电阻的功率特性,势必需要通过模拟实际应用工况和边界条件,通过设计制作氧化铝基板上不同尺寸TaN薄膜电阻样件,测量在施加不同电流的工况下电阻表面和电阻电极的温度,并根据电阻表面最大允许温升对应的电流,计算出可耐受的最大功率,完成了TaN薄膜电阻的功率耐受性研究。研究结果表明,在基板厚度一定时,随着电阻面积增大,薄膜电阻耐受功率呈增大趋势;较大尺寸薄膜电阻的功率耐受随着基板厚度的增加而降低。此研究结果对后续优化星用微波电路设计,提高宇航微波产品应用可靠性,减少不必要的设计冗余,有重要意义。 相似文献
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针对轻量化航天装备的可靠性服役对2195铝锂合金提出的高耐蚀性需求,采用环保型硫酸己二酸(50 g/L硫酸和10 g/L己二酸)溶液体系在2195铝锂合金表面制备阳极氧化膜,对所得的膜层通过沸水封闭、铬酸盐封闭、镍盐封闭和铈盐封闭4种封闭工艺进行后处理,并利用扫描电子显微镜、动电位极化曲线、电化学阻抗谱等方法对膜层表面的显微形貌和耐蚀性能进行表征。结果表明:相较于未封闭的阳极氧化膜,4种封闭工艺均提高了膜层的耐蚀性能,其中镍盐封闭后对基体的钝化效果最好,铬酸盐封闭次之,沸水封闭和铈盐封闭对膜层防腐性能提升有限。对电化学阻抗谱的进一步解析表明,4种膜层阻挡层电阻Rb均在105Ω·cm2数量级,膜层耐蚀能力主要来自于被水合及沉淀物充分填充的多孔层内部,相应的电阻Rp2的数值大小依次为镍盐封闭铬酸盐封闭沸水封闭≈铈盐封闭。 相似文献