Sol-gel法制备CuSO4,Cu(AC)2掺杂SnO2的气敏性能研究

以溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备纳米SnO2及其不同比例的铜源掺杂物.采用热分析(TG-DTA),XRD等手段对其产物进行表征,利用静态配气法测试了掺杂产物的气敏性能.实验结果表明:采用Sol-gel法制备掺杂SnO2的气敏性能,同时受铜源和掺杂量的影响,且掺杂产物对乙醇不很敏感,但在150℃工作温度下对0.005%的H2S具有36367倍的高灵敏度.     

过渡金属氧化物表面修饰氢气传感器

以SnO2系为敏感材料制备气敏元件,在元件的表面涂敷一层Fe2O3,MnO2或CuO掺杂的活性氧化铝修饰膜,有效地隔离并消除乙醇、烟雾、有机蒸气等杂散气体对元件的干扰.     

La2O3对Li2O-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃性能的影响

以丙烯酰胺、N，N’-亚甲基双丙烯酰胺、碳酸锂、硝酸铝和正硅酸乙酯为原料，采用丙烯酰胺凝胶法成功地制备出多组分氧化物Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）微晶玻璃超微粉末，并掺杂了稀土氧化物La2O3。将粉体压制烧结得到微晶玻璃块体。用IR，XRD，SEM等测试手段研究了掺杂对微晶玻璃组织与性能的影响，测定了微晶玻璃的热膨胀系数。实验表明：La2O3的加入使微晶玻璃的相变温度降低到900℃；掺杂后微晶玻璃的粒径减小；丙烯酰胺凝胶法制备的Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）微晶玻璃热膨胀系数达到10^2数量级，掺La2O3，使Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）微晶玻璃的热膨胀系数增大。     

ZnO薄膜气敏元件

通过在Al2O3衬底上粉末溅射ZnO做出了气敏特性和稳定性较好的ZnO薄膜气敏元件,实现ZnO薄膜的实用化,表明了ZnO是除SnO2外又一种新的气敏基材料.文中还对ZnO薄膜有关气敏特性和元件的气敏电流IG随酒气浓度C变化的规律进行了介绍.     

粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏元件性能测试

给出了SnO2/10?O2(0.4mm×0.6mm×0.4mm)元件的温耗特性曲线,研究了老化的温度和时间,研究了气敏电流Ig与气体浓度C的关系,并给出了一个普遍适用的规律.     

掺杂SiO2气凝胶结构及其热学特性研究

以正硅酸四乙酯为硅源,钛白粉为红外遮光剂,通过溶胶－凝胶及超临界干燥过程制备了钛白粉掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶。用透射电镜、扫描电镜以及孔径分布仪对其结构进行了表征,并用动态热线法对其热学特性进行了测试。结果表明： 钛白粉能较均匀的分散在ＳｉＯ２ 气凝胶中;掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔洞大小分布在５～７０ｎｍ ,峰值在２０ｎｍ 附近,组成ＳｉＯ２ 网络的胶体颗粒为５～１０ｎｍ ;随着钛白粉掺杂量的增加,掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔径分布峰高变矮,同时出现孔径为几纳米的微孔;热学测试结果显示钛白粉掺杂量为２０ｗ ｔ％ 的ＳｉＯ２ 气凝胶在常压、８３１Ｋ 时的热导率为０．０３５ｗ ｍ － １Ｋ－ １。     

WO3基低浓度NO2气敏传感器的研究

分别采用改进前后的溶胶-凝胶法制备WO3纳米材料,制作成直热式球形气敏元件,对低浓度的NO2气体进行测试.结果表明,改进后的溶胶-凝胶法制备的WO3材料,粒径小,表面疏松,对低浓度甚至极低浓度的NO2气体有很好的灵敏度,响应恢复时间很快,选择性好,而且所有元件都在较低的工作电压下有最高的灵敏度,说明工作温度低有利于降低功耗.     

用新元件的磁敏固态传感器

 本文在文献〔1〕的基础上采用国产新型磁敏元件——磁敏二极管互补对和磁敏三极管,做成四种新的磁敏固态传感器:（1）单磁敏三极管传感器;（2）磁敏二极管互补对传感器;（3）磁敏二极管与磁敏三极管组合传感器;（4）双磁敏二极管对的桥式传感器。文中示出四种传感器的实用电路图。同时,对四种性能的传感器都进行了性能测试和分析比较。这四种传感器在多用途、通用性和低速性能几方面都优于文献〔4～7〕中介绍的传感器。     

WO3基三甲胺气敏传感器的研制

采用溶胶-凝胶法制备了WO3材料,利用扫描电镜、透射电镜等现代分析测试手段,分析了材料的微观结构,并以其为基材掺杂少量的Pd制成了检测鱼鲜度的三甲胺(TMA)气敏传感器.研究发现该传感器具有工作温度低,响应下限低,灵敏度高,选择性及稳定性好等特点.     

以天然石墨为原料制备高性能材料的研究

以天然石墨为原料，进行多组元掺杂制备了SiC-B4C-ZrC/C复合材料。研究了ZrO2的加入量对材料性能的影响。实验结果表明：加入少量的（小于8％）ZrO2石墨材料的力学性能和电学性能明显得到提高；而继续添加ZrO2，石墨材料的力学性能和电学性能则有所下降。     

溶胶共凝法制备准连续密度梯度SiO2气凝胶

针对气凝胶在航空航天领域的应用需求,为了进一步拓展单一密度气凝胶的应用范围,对密度梯度SiO2气胶的制备进行了研究.采用自建密度梯度制备成型装置,以正硅酸乙酯为有机硅源,经溶胶共凝工艺,结合CO2超临干燥技术,获得密度范围在60~160 mg/cm3的准连续密度梯度SiO2气凝胶.采用光学显微镜、扫描电子显微镜、X线相...     

SiO2 改性ZrO2 气凝胶高温稳定性

以ZrOCl2·8H2O 为锆源,以环氧丙烷( PO) 为凝胶促进剂制备ZrO2 凝胶,将ZrO2 凝胶置于正硅
酸乙酯乙醇溶液中老化,再结合高温超临界干燥工艺制备了SiO2 改性ZrO2 气凝胶。通过对比ZrO2 气凝胶和
SiO2 改性ZrO2 气凝胶高温结构转变讨论了SiO2 改性对ZrO2 气凝胶高温结构的影响。采用FT-IR、XRD、SEM
和TEM 等分析手段对样品进行高温结构表征。结果表明:采用正硅酸乙酯乙醇溶液老化ZrO2 凝胶后,在ZrO2
凝胶粒子表面形成了一层SiO2 包裹层,这层SiO2 包裹层显著抑制了ZrO2 的扩散、成核和生长过程,高温稳定
性得以显著提高。     

纳米SiO2改性环氧复合泡沫塑料研究

为了提高环氧复合泡沫塑料（ESF）的性能，扩大应用范围，采用超声波和高剪切分散工艺制备了纳米SiO2改性ESF。结果表明：纳米SiO2的添加量质量分数为3%时，改性效果最好，其拉伸强度、弯曲强度和不加纳米粒子的ESF相比，分别提高了41%、19%；采用扫描电镜（SEM）对材料的断口形貌进行了观察，从微观结构上研究了纳米SiO2的加入对ESF性能的影响；对材料的介电性能测试表明，纳米SiO2粒子的加入对ESF的高频介电性能影响不显著；动态力学分析（DMA）研究表明纳米SiO2粒子质量分数为1%时，ESF的Tg提高了4℃。     

热处理对纤维增强SiO2气凝胶性能的影响

采用溶胶一凝胶法制备了纤维增强SiO_2气凝胶隔热材料,对基体SiO_2气凝胶及复合材料进行不同温度的热处理.利用扫描电镜、比表面积和孔径测试仪和导热仪等手段对处理后材料的微观结构和常温隔热性能进行表征.结果表明:复合材料经低于700℃处理后,材料基体的微观结构略有变化,常温隔热性能基本保持不变;经1000℃处理的纳米结构发生了烧结、纳米孔含量减少,常温隔热性能显著降低.     

La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的制备及微波吸收性能

采用溶胶-凝胶自蔓延法制备 La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4,并研究不同掺杂量对样品微观结构、电磁参数及微波吸收性能的影响。通过 X 射线衍射仪、扫描电镜研究了样品的相结构和微观形貌,使用振动样品磁强计与矢量网络分析仪分别对样品的静态磁性能及在1～12GHz 的电磁参数进行了研究,并计算了不同厚度（3 mm、5 mm、8 mm）下材料的反射损耗。研究表明,适量掺杂 La3＋能够提高 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的吸波性能,并使吸收频带向高频移动。其中样品 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 La0．04 Fe2 O4与石蜡混合厚度为5mm 时,最小反射损耗为－28．4dB,小于－10dB 带宽为3．7GHz。     

透明导电氧化物薄膜材料研究进展

透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则。化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物。根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种。在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导。进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用。In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力。此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点。     

纳米铜铬复合氧化物对RDX热分解的催化作用

为了研究纳米CuO.Cr2O3复合物的催化性能，采用室温固相化学反应法制备出不同铜、铬质量比的纳米CuO.Cr2O3复合物，测出产物的粒径约为15nm，用DSC测试了纳米CuO.Cr2O3复合物对RDX热分解的催化作用。结果表明．：纳米CuO.Cr2O3复合物对RDX热分解有较好的催化效果，它使RDX的分解峰温提前了11．1℃，活化能降低了17kJ/mol，其作用明显优于纳米CuO和纳米Cr2O3及其混合物。     

微量Al 掺杂对2D C/ SiC 性能的影响

以二维编织碳纤维碳布为预制体,采用聚铝碳硅烷(PACS)为聚合物前驱体,应用化学气相渗透(CVI)结合聚合物浸渗-裂解(PIP)工艺制备微量Al掺杂2D C/SiC复合材料。研究微量Al掺杂对C/SiC微观结构、力学、热膨胀和氧-乙炔焰烧蚀性能的影响。结果表明:掺杂微量Al未改变C/SiC的微观结构和热膨胀性能,也未降低其韧性和强度;但微量Al掺杂提高了C/SiC的抗烧蚀性能,含微量Al的SiC氧化形成微量Al熔于SiO2的固熔体,微量Al提高了SiO2的黏度和致密度,减小SiO2挥发,较未掺杂Al的C/SiC相比,线烧蚀率降低了26%。     

SiO2气凝胶制备及疏水改性研究

采用六甲基二硅氮烷(HMDZ)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为表面改性剂,对正硅酸乙酯(TEOS)经溶胶-凝胶过程制备的凝胶进行表面改性,大幅度简化了洗涤过程,常压干燥制备了疏水SiO2气凝胶,并研究了表面改性剂对SiO2气凝胶结构和性能的影响.结果表明,所制备的疏水SiO2气凝胶有良好的疏水性能,吸附水量低于3%,与水的接触角大于130°;疏水SiO2气凝胶的密度、比表面积和孔隙率分别为150～225 kg/m3、750～900 m2/g和88%～93%,其颗粒尺寸为1～100 nm.     

SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。