YAG、GGG晶体机械损伤层X射线检测

介绍了在普通Ｘ射线衍射仪上利用旋转样品台，通过精确调鳌，使晶面法线处于衍射平面，从而进行晶体机械加工损伤层的Ｘ射线衍射分析．衍射分析结果表明，研磨后的晶体表面是由破碎镶嵌层、裂纹及晶格畸变等损伤层组成．配合腐蚀实验，确定出不同工艺方法产生的损伤程度及损伤层深度，并证实通过控制机械化学抛光时间能够实现ＹＡＧ、ＧＧＧ晶体的无损伤加．     

KDP晶体潮解抛光行程的分析

在对KDP晶体潮解抛光原理进行阐述的基础上,对KDP晶体潮解抛光过程进行了运动学分析,得到了KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程的表达式。根据抛光行程表达式和计算条件,分别计算了载样盘转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、摆动周期取不同值时KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程,并绘制了抛光行程曲线,通过对抛光行程曲线的分析,得到了这些参数对抛光行程的影响规律。     

有机非线性光学晶体的光电特性及其应用

论述了有机非线性光学晶体材料的光电特性、研究现状以及在先进航空武器装备中的应用前景。     

KDP晶体的磁流变抛光工艺研究

研究了磁流变液中水含量对KDP工件表面粗糙度的影响;通过在磁流变液循环系统中控制磁流变液的参数,实现了去除函数的稳定,为修形工艺奠定了基础;在自研的KDMRF-200磁流变机床上进行修形实验,口径为Φ75mm的KDP工件面形精度由0.936λ(PV)收敛到0.321λ(PV),低频误差明显改善。     

超精密加工中研抛分布力测量方法的探讨

在研磨盘的不同位置打深盲孔,近于贯穿,仅留下薄薄一圆形平膜片,作为抛光法向压力的敏感元件。此圆平膜片半径,厚度由位移敏感元件灵敏度及抛光所容许的外扰（对实际工作状态影响足够小）决定。在此孔中安置光纤位移传感器测量圆平膜片的变形位移,就可解算出抛光时研磨盘的局部压力。信号调制后通过多路遥测装置或电刷滑环等集流器将信号引出。     

CLBO晶体的半固结磨粒研磨加工研究

通过对CLBO晶体半固结磨粒研磨过程进行研究,经过粗研和精研后,CLBO晶体表面粗糙度达到1ns且表面无划痕.并从加工表面的扫描电镜图可知,CLBO晶体半固结磨粒研磨的材料去除机理是延性去除模式.     

离子束加工KDP晶体材料表面粗糙度演变

针对KDP晶体材料在离子束加工时晶体表面粗糙度变化情况进行了研究,研究了束电压和束电流的大小对KDP晶体表面粗糙度的影响,采用PSD功率谱分析方法探究了KDP晶体在离子束加工前后表面粗糙度频域分布及其演变情况,研究结果表明KDP晶体表面粗糙度的变化不仅与加工工艺参数有关还与材料本身性质有关,在采用较大入射角时可以使晶体表面的高频段误差得到改善.     

实现高效率低损伤研磨加工的磨料优化研究

大功率激光系统对于熔石英光学元件提出了苛刻的加工要求,研磨作为加工环节之一,对于光学元件的加工周期和损伤控制具有非常重要的作用。采用计算机控制小磨头方法进行研磨加工时,在加工工艺参数相同的条件下,磨料是直接决定效率和损伤的关键因素。本文分别从材料去除效率和研磨加工损伤两方面对磨料进行对比分析,通过理论仿真得出磨料的规律特性,再结合实验研究进行规律验证,基于高效率和低损伤进行磨料优化选取,并讨论分别给出粗研、精研的磨料和工艺。     

异形长径比孔腔的光整加工

比较了粘弹性磨料流抛光工艺与柔性磨体振动抛光工艺在抛光大长径比孔腔时在粗糙度、效率方面的差异，通过理论分析和实验证明，得出柔性磨体振动抛光工艺在抛光效率和抛光精度上优于粘弹性磨料流抛光工艺     

FCD1软脆光学镜片的高效研磨加工

针对FCD1软脆光学镜片高效高成品率的精密加工问题,本研究提出了一种使用复合结合剂金刚石丸片的精研加工技术,其金刚石丸片研具采用了金属、树脂和添加剂等复合结合剂。在精研过程中,丸片表层金刚石磨粒对工件的切深一致性避免了工件表面易出现的深划痕,可有效减少后道抛光工序加工时间,从而提高FCD1软脆光学镜片的生产效率和成品率。     

LD2合金中温钎焊接头组织与拉伸性能

采用制备的一种新型中温铝基钎料箔(熔点513~529℃),在530~550℃对LD2铝合金进行真空钎焊试验。测试钎焊接头的室温抗拉性能,采用扫描电镜(SEM)及能谱仪(DES)对钎焊接头组织和断口形貌进行观察分析。试验结果表明,制备的钎料可用于LD2铝合金的真空钎焊,在优化工艺规范下可获得致密的接头,焊后经热处理,钎焊接头平均室温抗拉强度可达300MPa,断口是以典型韧窝为特征的塑性断口。     

硬脆性材料复合加工技术综述

重点介绍了各类硬脆性材料复合加工技术,简要描述了其特点和发展趋势。     

KDP晶体飞刀铣削加工参数对表面质量影响的实验研究

本文通过实验研究了刀具前角、背吃刀量及进给量对KDP晶体表面粗糙度及表面波纹度的影响规律.研究结果表明,采用单点金刚石飞刀铣削方法加工KDP晶体光学元件的最佳刀具前角为-45°;背吃刀量对已加工表面的粗糙度影响不大;表面粗糙度随进给量增加而增大;已加工表面的波纹度与机床的工作状态有关,需采用合理的加工参数组合来保证.     

切削速度对单晶锗脆塑转变的影响

采用纳米压痕仪对单晶锗(100)(110)(111)晶面进行了纳米划痕实验,分析不同划痕速度对单晶锗不同晶面脆塑转变临界状态变化规律的影响,采用原子力显微镜对样品表面进行扫描观测。结果表明:划痕速度增加,单晶锗产生塑性去除的区域增大;但划痕速度过大,就会降低单晶锗产生塑性去除的区域。预测了在超精密切削加工中切削速度对单晶锗发生脆塑转变时的临界状态的影响规律,为实际超精密切削加工单晶锗零件提供数据支持。     

金属-碳共晶点熔化温坪温度的确定

为了让ITS90温标能够更好地向高温方向传播,利用金属-碳共晶点作为传递标准,其测量结果的不确定度得到了很好的提高,因此,金属-碳共晶点熔化温坪温度的确定就显得尤为重要。本文从转折点熔化温度的定义出发,利用移动平均法,选取二阶差分曲线过零点的值作为熔化温坪温度。本方法避开了人为因素造成的B类不确定度,同时可以消除噪声带来的影响。     

特种高温合金深小孔的电火花加工

为加工高熔点钨钼合金冷却管小孔 (深径比≥ 130 ) ,在普通电火花机床上增设了附加装置 (工件电极和工具电极夹持系统、导向系统等 ) ,制作了新型电极 ,获得了良好的效果。     

高熔点金属电弧喷涂制模涂层缺陷产生机理及控制术

在利用高熔点金属电弧喷涂技术制作快速模具的过程中,经常产生裂纹,分层剥离和胀起等缺陷,导致涂层缺陷的重要原因是涂层内残余应力.缺陷常发生在涂层最薄弱的位置.改变喷涂工艺,使涂层厚度尽量均匀,增加工艺补充,减少结构的应力集中,可以有效地减少或消除缺陷.     

Swsy-S型低霜点湿度发生器的研制

介绍了适用于湿度校准实验室使用的Swsy-S型低霜点湿度发生器,阐述了其工作原理、硬件组成和软件功能,并给出了实验结果和分析结论,该装置为露点湿度计校准提供了一种准确、可靠的湿度发生设备.     

钼-铌合金原料品质对单晶制备的影响

主要讨论了钼-铌合金原料品质,包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响。结果表明:高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,在20 kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶,但其经过两次电子束熔炼获得的Ф(12~17)mm原料棒C元素质量分数降为6.3×10-3%、O元素质量分数降低了近2个数量级,仅为1.4×10-3%,能稳定地生长制备出Ф31 mm×735 mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18 mm或小于Ф11 mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶。