光柱显示器件与数码管的混合驱动方法

光柱显示器件就是把若干个发光元件按纵向排列组成的一个光柱，它有红、绿、黄等多种发光颜色供设计者选择，它被广泛应用于模拟量的显示，是现代仪表不可或缺的输出设备。目前，专门用于驱动光柱的集成电路已有应用，我们把它叫做硬件驱动方法。为了降低仪表的制造成本，可以采用单片机直接驱动光柱显示器件，我们把它叫做软件驱动方法。在一些小型应用系统中，软件驱动方法不失为一种经济实用的方法。本文向读者介绍一种光柱显示器件与数码管的混合驱动技术。     

成果简介

1 离子束刻蚀机 离子束刻蚀技术是近年新发展起来的一种超精细加工技术,现已成为研究和制作大规模集成电路、声表面波器件、微波器件、磁泡器件、集成电路、超导器件、动压气体轴承、光栅、红外器件、透射电镜样品、超高频压电晶体器件等新型器件以及航天器长     

提高HDL综合质量的探讨

提出了EDA工具QuartusⅡ和LeonardoSpeetrum组合方式在Altera公司CPLD器件开发中的应用．解决了目前集成电路设计的复杂和门级电路不易管理的一些问题。同时给出了可编程逻辑器件的开发流程以及在设计思路和语言使用上来简化、优化电路设计以提高HDL综合质量的几点探讨。     

X射线光刻机中应用的精密定位工作台

为适应超大规模集成电路器件的发展,微电路图形的特征线宽愈来愈细的特点,发展了电子束光刻及Ｘ射线光刻,而Ｘ射线光刻由于其极高的分辨率,对未来的大规模集成电路器件的制作具有很大的应用潜力。随之而来的是要有高精度的定位工作台,以保证高套刻精度的要求。     

柔性热电薄膜器件的研究进展

针对柔性热电薄膜器件的最新研究进展,从柔性基底、热电材料、薄膜沉积工艺、过渡层的引入和器件设计等几个方面归纳总结了在热电器件制作过程中材料和工艺选择方面应注意的问题。对各类柔性热电薄膜器件的性能对比分析表明:目前性能最佳的柔性器件采用的材料是(Bi,Sb)2Te3类合金,其单个热电偶对在1K的温差下可输出0.1~0.3mV的电压;在内阻足够低的条件下,单个热电偶对在1K温差下的输出电压与热电材料的Seebeck系数相等;增加热电薄膜的厚度能够有效地降低热电偶对的内阻,进而提高器件的输出电压。     

超微粒SnO2薄膜器件气敏特性的研究

本文介绍了作者采用半导体IC平面工艺技术,成功地研制出了超微粒SnO_2薄膜器件,并对该器件的氧气敏感特性作了研究,得到了该器件的主要特性参数。对其灵敏度特性曲线的研究表明:该器件不仅对低浓度氧气敏感,而且对高浓度氧气也敏感;并得到了超微粒SnO_2薄膜器件灵敏度特性所遵循的客观规律,即logR_s=0.72logC+0.85。     

微波集成电路用陶瓷材料

本文对微波集成电路中衬底、谐振器、电容器、电阻器等无源器件所用的陶瓷材料作了较为详细的介绍。     

微处理机发展及应用

1947年发明第一只点接触型晶体管以来,电子工业发生了巨大的变化,特别是1959年平面型晶体管的出现,为集成电路的发展创造了条件。自此,每封装中的元件数几乎按着每年翻一倍的速度迅速发展起来,分立元件(1元件/封装)渐渐被集成器件所取代,(大、中功率元件除外),集成器件的集成度也不断提高。小规模集成电路(SSI)每封装仅几十个元件,中规模集成电路(MSI)每封装几百元件。大规模集成电路(LSI)每封装达几千元件。目前出现的超大规模集成电路(VSI),每封装达几十万元件(存贮器)或几万元件(逻辑电路)。也就是要在一块5毫米×5毫米左右的芯片(chip)上制作几万甚至     

微处理机结构评

微处理机不管是作为像一组位片集成电路那样的单片计算机,还是作为组装的微处理机系统,其发展都异常迅速。在短短地七年里,微处理机从一组集成电路(打算代替专用袖珍计算器的普通电路)开始,逐渐发展成一套系列器件,所有这些     

基于用研结合的国产集成电路研制方法研究

传统的国产集成电路研制方法由于缺乏用户方的深度参与,用研沟通不够,致使器件研制特性与用户需求之间具有不能完全对应的风险。论述了一种基于用研结合思想,通过在传统研制流程中嵌入有效的用户试用和评估环节进行国产集成电路研制的方法。基于用研结合的,能够同步集成电路的研制进程进行试用验证,保证了国产集成电路在每个设计阶段设计与需求的相符性,保证了研制质量、加快了国产集成电路研制进度,为装备研制提供了基础保障。     

双面厚膜混合集成工艺

本课题研究利用双面厚膜混合集成工艺取代分立元件的立体封装工艺,以满足运载火箭上电子设备小型化、轻量化和高可靠的要求。厚膜混合集成电路是以丝网印烧工艺为基础,在绝缘基片上印制导体、焊区、无源元件,再装以半导体有源器件及有特殊要求的无源元件所形成的具有一定功能的组件。该电路生产设备简单,研制周期短,元件参数范围广,对外贴元器件的类型没有限制,适用多种焊接工艺,设计组装灵活,兼备半导体电路和分立元件的优点。本成果采用双面厚膜混合集成工艺,有效地解决了外贴元件多、尺寸大与装配表面小的矛盾。本工艺采用双面布局设计,…     

可编程器件的VHDL设计

新型的可编程逻辑器件（ＰＬＤ）已经显著改变了数字系统的设计过程，且超高速集成电路硬件描述语言（ＶＨＤＬ）在设计流程中的作用日益显著，简要讨论在ＰＬＤ的ＶＨＤＬ设计中的一些注意事项，以期提高ＶＨＤＬ编码的效率和精确度。     

航空电子小型化技术的发展

本文对航空电子小型化技术发展专用半导体集成电路(ASIC)、混合集成电路(HIC)和表面安装技术(SMT)做了介绍,并分析了它们用于航空电子设备的优点和问题。     

用于雷达的X波段五位数字式移相器设计

描述了用于雷达的X波段GaAsHMIC（混合微波集成电路）五位数字式移相器的设计过程。该设计采用了一种新型的电路结构，取得了较好的微波特性，同时大大减小了其尺寸。     

可编程逻辑器件的VHDL设计

新型的可编程逻辑器件（ＰＬＤ）已经显著改变了数字系统的设计过程，且超高速集成电路硬件描述语言（ＶＨＤＬ）在设计流程中的作用也日益显著。简要讨论在ＰＬＤ的ＶＨＤＬ设计中的一些注意事项，以期提高ＶＨＤＬ编码的效率和精确度。     

武装直升机机载设备关键制造技术（下）

武装直升机机载设备关键制造技术（下）中国航空信息中心饶勤３关键制造技术国外发展现状及途径１．单片微波集成电路和专用集成电路制造技术综合航空电子系统的实现必须以先进微电子元器件的发展为基础。因此，各国在研制综合航空电子系统之前都对超高速集成电路、单片微...     

磁控溅射用W-Ti合金靶材的研究进展

W-Ti合金靶材可作为原材料,通过磁控溅射技术,制备W-Ti、W-Ti-N、W-Ti-O等功能薄膜,应用于集成电路、薄膜太阳能电池等领域。本文介绍了W-Ti合金靶材的性能指标、各种制备技术和应用领域,提出高纯度、全致密、少富Ti相、小粒径、大尺寸、低成本是W-Ti合金靶材的重要方向。     

ADC1210型12位A/D转换器的应用开发

 一、引言 ADC1210是美国National Semiconductor公司生产的一种低功耗、中速、低价格的12位二进制码（原码、或反码、或偏置码）逐次逼近式A/D转换器。该器件采用CMOS工艺和薄膜工艺相结合的微电子技术制成。器件中包含了R-2R梯形薄膜电阻网络、CMOS模拟开关和逐次逼近逻辑电路、以及场效应管电压比较器等有关电路。其基本技术指标为分辨     

基于CPLD／FPGA的航空逆变电源控制电路

随着电子技术的不断发展与进步，电子系统的设计方法发生了巨大的变化，EDA技术的芯片设计正在成为电子系统设计的主流，逐步替代了传统的设计方法，大规模可编程器件CPLD／FPGA是当今应用最为广泛的可编程专用集成电路，本文将介绍其在航空逆变电源控制电路上的应用，说明了它具有缩短开发周期，降低成本，提高系统可靠性等优点，这项新的EDA技术对促进航空事业的快速发展有着积极的意义。     

强流脉冲电子束烧蚀法沉积Li NbO3铁电薄膜

介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术