高TcBi—Pb—Sr—Cu—Ca—O系氧化物超导材料的Meissner效…

对高ＴｃＢｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃｕ－Ｃａ－Ｏ系氧化物超导材料的多晶块状，多晶粉末状和单昌等三种样吕的Ｍｅｉｓｓｎｅｒ的效应和磁屏蔽效应进行了仔细测量和分析。块状样品具有较强的磁屏蔽能力，在ＺＦＣ和ＦＣ两种过程中的超导体的体积比之差最大约１０％左右；粉末样品和单昌样品的磁屏蔽能力很小。     

用一维恒温相变界面模型研究毛细芯蒸发器温度场

对ＣＰＬ毛细芯蒸发器提出了一维恒温相交界面模型：蒸发器壁、液体、蒸汽分别在横截面上的温度相同，即温度只有沿轴向才有变化；蒸发器壁、蒸汽分别和液体之间存在温度为饱和温度的汽液交界面，蒸发器壁、液体、蒸汽通过该交界面进行换热。根据此模型，应用带有特殊内热源项的一维能量守恒方程求解了温度场。在计算中估计并推荐了几个换热系数，给出边界条件后可得到蒸发器内温度场的数值解。蒸发器壁温的计算值与实验结果符合较好。     

相位差法测量磁传感器阵列的非平行度

随着磁传感器技术及磁测技术的发展,通过测量磁梯度张量进行磁探测及磁定位已成为磁探领域的新方法。但在磁梯度张量测量过程中,由于机械安装的误差导致的磁传感器阵列中各传感器的磁轴的不平行将会极大的降低磁定位的精度。本文提出了一种易于实现的磁传感器阵列非平行度测量方法--相位差法,并通过试验验证了其有效性。     

一种阵列天线逐通道相关在线标校法

由于发送端和接收端时钟的不一致性,导致低信噪比下阵列天线卫星移动通信的逐通道相关标校有很大的难度。在考虑易实现性和简易性基础上,提出了一种可以解决低信噪比下通道校正的多周期长时累积方法。该校准信号为由地面标校站产生的BPSK调制扩频信号,可以减少卫星设计的复杂度,且在不中断用户数据传输的基础上实现在线标校。该方法通过对接收信号打标、速率匹配等措施来解决收发时钟不一致导致的码偏和频偏问题。研究结果可以为阵列天线卫星通信技术提供支持。     

热铁盘法高速抛光CVD金刚石

利用高速热铁盘抛光设备对化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)金刚石进行抛光,分别进行温度、转速、压力以及抛光时间的实验.采用光学天平对抛光前后金刚石称重对比,采用工具显微镜和原子力显微镜对抛光后表面进行研究.结果表明:较高的抛光速度对提高表面质量以及抛光效率均比较有利.在抛光温度850 ℃,速度164 mm/s,压力24.892 N的条件下,抛光120 min后,金刚石表面的粗糙度由原来的R_a=9.67 μm下降到R_a=0.016 μm.原子力显微镜显示,抛光表面存在少数高度在60~70 nm之间的突峰,其高度是普通峰高的2~3倍,且峰的形状呈现出一定的方向性.这种表面微观规律与抛光时采用的直压式运动方式有关.      

溶液法制备PVDF薄膜电活性相方法

为了制备具有电活性相的聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜,采用了简单易操作的溶液涂膜方法,并研究了不同前驱体溶液浓度、搅拌时间以及热压工艺对PVDF不同电活性相的晶型结构形成的影响,利用X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对PVDF薄膜的晶型结构进行分析.结果表明:前驱体溶液浓度7%~10%,搅拌时间2~3h都有利于β相的形成,利用红外光谱,可以计算β相的含量,在前驱体溶液浓度7%,搅拌时间2h时得到最大的β相含量81.3%;热压对PVDF薄膜的晶型结构有很大的影响,经过热压处理的PVDF薄膜中γ相转变成更加致密的β相.      

高T_cBi－Pb－Sr－Cu－Ca－O系氧化物超导材料的Meissner效应和磁屏蔽效应

对高ＴｃＢｉ－Ｐｂ－ｓｒ－Ｃｕ－Ｃａ－Ｏ系氧化物超导材料的多晶块状、多晶粉末状和单晶等三种样品的Ｍｅｉｓｓｎｅｒ效应和磁屏蔽效应进行了仔细测量和分析．块状样品具有较强的磁屏蔽能力，在ＺＦＣ（Ｚｅｒｏ－ＦｉｅｌｄＣｏｏｌｅｄ）和ＦＣ（ＦｉｅｉｄＣｏｏｌｅｄ）两种过程中，超导体的体积比之差最大约１０％左右（μ０Ｈ≈２００Ｘ１０－４Ｔ）；粉末样品和单晶样品的磁屏蔽能力很小（７７Ｋ）．     

非磁性材料介电常数测量传输反射法改进研究CSCD

在传统NRW传输反射法的基础上,针对非磁性材料的介电常数测试,提出了一种改进算法。该方法分别从反射系数与传输系数入手,得到两种求解表达式,结合两种表达式的优缺点,克服了NRW算法中的厚度谐振与多值解问题,准确求解出材料的复介电常数,此外,针对测试中由于样品移动引起的位置模糊性问题,介绍了一种通过计算求解确定样品位置的方法。最后根据提出的方法编制了测试软件,并对常用微波介质材料进行了测试,完成了对比验证。     

热电薄膜材料的制备和制冷器件的数值模拟

论述了热电材料低维化和器件小型化的发展趋势以及在航空航天领域的应用.利用磁控溅射的方法,在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备了热电薄膜材料,并对其微观结构和性能进行了表征,结果表明:P型Bi-Sb-Te和N型Bi-Te-Se薄膜均表现出(015)的取向性.利用ANSYS有限元模拟软件热电耦合场分析单元对面内型薄膜热电制冷器进行了模拟,讨论了器件的工作电流和材料物性参数对器件制冷性能的影响,发现通过减小基底的厚度和热导率,可增大基底面内方向的热阻,实现热流沿热电臂的传输;基底的镂空设计和制冷区域高导热层的引入,有利于制冷温差的建立和制冷区域的均匀制冷,这些为薄膜型制冷器件的制备提供了指导.