WQI型晶体管直流稳压电源的原理与维修

论述ＷＱＩ型晶体管直流稳压电源工作原理，分析了其故障产生的原因，详细说明了稳压电源的维修方法。     

微波放大器稳定性分析与设计

提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤，总结了放大器稳定性设计方法。     

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电

对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究.给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析.研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重.     

3DG111F等四种双极晶体管空间总剂量效应研究

3DG111F等4种双极晶体管在航天器驱动电子设备中有着重要的应用。研究和掌握空间辐射环境对这些器件产生的总剂量效应有助于了解单机总剂量效应。文章对3DG111F等4种双极晶体管进行了总剂量辐照试验、测量及试验结果分析。研究结果可为单机总剂量效应的分析提供试验依据。     

遥测用固态微波脉冲功率放大器的CAD

介绍用微波计算机辅助设计软件优化设计大功率固态微波脉冲功率放大器的方法，重点描述了这种方法的几个关键技术和分析、设计过程，包括建立晶体管的模型，确定电路的拓扑结构和偏置电路的形式，仿真、优化、公差分析等等。用惠普公司的微波计算机辅助设计软件—ＨＰ－ＥＥＳＯＦ软件优化设计了一个输出功率为１１０Ｗ的脉冲功率放大器，并进行了安装、调试和测试，测试的结果完全符合设计的要求。     

碳纳米管处理器原型诞生

据美国GigaOM网站报道,日前,斯坦福大学的研究人员在《自然》杂志上发表文章,宣布他们已经制成了包含142个碳纳米管晶体管的中央处理器芯片。碳纳米管能用于制造更小的晶体管,催生功能更强大、效率更高的处理器。碳纳米管处理器的实现,意味着硅半导体之后,处理器的速度将更快,能效将更高。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

GaAs金属半导体场效应管振荡器的一种准线性设计方法

这里介绍一种砷化钾金属半导体场效应管(GaAs MESFET)振荡器简易的准线性设计方法。将产生功率Pgen表示为FET栅、漏射频电压的函数,在本征场效应晶体管端的电压幅值受到限制的条件下,Pgen有可能达到最大值。由此,得出了用反馈电路元件实现GaAs MESFET振荡器的方法,并用准线性方法设计,采用微波集成电路技术来制作X波段GaAs MESFET振荡器。     

国内空管雷达技术发展与建议

一、概述 空管雷达是ATM（空中交通管理）系统监视空中飞行情况的重要信息源之一，是确保飞行安全、实现雷达管制和提高空域容量的基础。随着雷达技术的进步和微电子技术的快速发展，空管雷达的技术水平也得到了巨大发展。尤其是进入20世纪90年代以来，随着射频大功率晶体管器件的成熟与商品化，空管雷达进入了全固态时代，国际上出现大量全固态、可无人值守的空管雷达。全固态空管雷达大量采用集成化、微电子化的设备，从而在系统可靠性、稳定性、自动化和商品化水平上有很大提高，使空管雷达发展到一个更为实用的阶段。     

复旦大学成功研制出半浮栅晶体管器件

<正>据中国科技部网站2013年8月29日消息,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,近期取得重大突破,成功研发出半浮栅晶体管(SFGT)。采用该新器件构成的动态随机存储器,无需电容器便可实现传统动态随机存储器全部功能,不但成本大幅降低,而且集成度更高,读写速度更快。此外,半浮栅晶体管还可应用于主动式图像传感器芯片,提高感光单元密度,从而提升图像传感器的分辨率和灵敏度。半浮栅晶体管     

空管一次雷达的市场需求及发展

一、概述 空管一次雷达（PSR）是ATC系统监视空中飞行情况的重要信息源之一，是确保飞行安全、实现雷达管制和提高空域容量的基础。随着雷达技术的进步和微电子技术的快速发展，PSR的技术水平也获得了很大发展。尤其是进入20世纪90年代以来，随着射频大功率晶体管器件的成熟与商品化，PSR进入了全固态时代，国际上相继出现一批全固态、可无人值守的PSR，如美国西屋公司的ARSR-4雷达、雷声公司的ASR-IOSS雷达和ITT吉尔菲兰公司的PAR-2000雷达等。全固态PSR大量采用集成化、微电子化的设备，并增加独立的气象探测通道，从而在系统可靠性、稳定性、自动化和商品化水平上有很大提高，使PSR发展到一个更为实用的阶段。     

航天大功率电动伺服系统功率驱动设计及验证技术

针对运载火箭30 kW以上功率等级电动伺服控制驱动器的研制要求，设计了一种强环境适应的大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率驱动模组。通过对火箭固体助推发动机工作环境分析，设计了基于光耦驱动器件的功率驱动与保护电路;为有效提升功率驱动模组在高压大电流工作时的可靠性，采用降低功率主回路杂散电感与IGBT有源钳位闭环控制相结合的方法，有效抑制IGBT在大电流关断时的电压尖峰;通过对动力电进行滤波处理，有效解决高压高频信号通过线缆传输时对控制驱动器内、外部的电磁干扰问题;通过IGBT功率驱动电路的单双脉冲测试及连续功率测试，有效验证IGBT功率驱动模组的高压驱动能力，为大功率电动伺服系统的可靠性提供技术支撑。     

航天趣闻（六）

乘“太空出租飞船”到太空旅游 什么是“太空出租飞船”？载人航天发展至今还从来没有听说过有“太空出租飞船”。这是什么时候发明的？是哪一国发明的？为什么要发展“太空出租飞船”？当一听到“太空出租飞船”这个名词时大家可能会有这样的想法和问题。其实所谓“太空出租飞船”是一种形象的比喻，主要是用来说明未来的载人飞船不是由国家或政府出资建造的，而是由民营企业或公司建造的。当有人因公或因私要到太空去，即可租用这种飞船。     

C波段5瓦GaAs场效应晶体管功率放大器

研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。     

欧美通信卫星的发展简史和市场竞争现状（一）

从理想到现实 １９４５年，通信卫星之父克拉克先生第一个提出利用赤道上空相隔 １２０度的三个发射机覆盖全球。这一地球同步轨道卫星的设想引导人们研制出今天广泛应用的通信卫星。在克拉克提出全球通信卫星系统后１０年左右的时间里，美国在德国Ｖ－２火箭技术的基础上进行了运载火箭技术的相关研究工作。二战后火箭技术的发展和晶体管的发明为实现航天通信的梦想奠定了基础。 １９５７年，前苏联发射了第一颗人造地球卫星旅伴１号，动摇了美国世界科技先驱的形象。美随即投资航天科研并予以政策支持。在美国航宇局的科学试验项目以及国…     

GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10¹⁴,4×10¹⁴和1×10¹⁵protons/cm²。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气（2DEG）浓度和迁移率在辐照后有所降低。     

GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

新一轮信息技术发展背景下，砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注，文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能，推导晶体管的I-V特性方程，建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系，以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰，文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度，文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。     

为“嫦娥”披“嫁衣”,做“花轿”——记中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所

夜晚,一颗流星划过天空,流下炫丽的光彩。我们知道那是陨石飞过大气层燃烧时形成的景象。那么奔赴月球的嫦娥二号卫星是靠什么飞出大气层而毫发无伤的呢？     

信道化接收机用的2～4GHz高增益晶体管放大器

本文简介一个增益为55dB,瞬时带宽2GHz,带内平坦度优于3dB,噪声系数小于5dB,三阶截止点高于14dBm的晶体管放大器研制过程。该放大器已用于机载杂波干扰机中作为信道化接收机前端,性能良好可靠。     

大动态范围输出跟随器的分析与设计

文章从实际的一些限定条件出发,对大动态范围输出的晶体管阻容耦合跟随器进行了分析。确定了晶体管工作点和输出范围的关系,提供了一种对晶体管要求较低的跟随器输出电路的设计新方法。