EHF频段低噪声接收机

文章描述了为某预研课题研制的7套EHF频段低噪声接收机组成、设计及测试结果。接收机实现44GHz的低噪声放大、44GHz/4GHz的变频、中频放大等功能,7套接收机噪声系数3～5．3dB,典型增益55～58dB,输出1 dB压缩点均大于15 dBm。本振部分采用恒温槽晶振和锁相倍频技术,提供稳定的微波本振信号。     

EHF波段波导到微带的对脊鳍线过渡研究

文章针对毫米波集成电路的需要,提出并分析了EHF波段波导-微带对脊鳍线过渡结构。在集成电路系统要求的42GHz～46GHz频段内,背靠背过渡段插入损耗小于0.1dB,回波损耗大于20dB,仿真结果表明该过渡结构满足设计要求。     

使用负反馈技术设计宽带低噪声放大器

负反馈技术是实现宽带放大器电路设计的重要方法之一,得到了非常广泛的应用。文中叙述负反馈技术的基本原理,介绍分别使用串联和并联负反馈技术实现4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的设计情况。测试结果与CAD仿真基本吻合,4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的噪声系数分别小于1.5dB和1.6dB。     

基于噪声抵消技术的射频宽带低噪声放大器设计

基于SMIC 0.181μm CMOS工艺,设计一款可用于1GHz~2GHz射频接收机前端的低噪声放大器。放大器利用共栅结构实现输入阻抗匹配,采用噪声抵消技术实现低噪声,核心电路尺寸为600μm×650μm。仿真结果表明,在1GHz~2GHz频率范围内,输入反射系数小于-10dB,噪声系数低于3.63dB,输入1dB压缩点在1.414GHz为-6.93dBm,在1.8V电源电压下,主体电路的功耗为18.8mW。     

C频段低噪声放大器的设计

低噪声放大器是射频接收前端中的关键部件,它可以大大改善整个接收机的信噪比。介绍一种C频段低噪声放大器的设计过程,并且给出电路实测结果。该放大器由两级NEC的场效应管NE334S01级联组成,在ADS 2011中进行电路仿真,并依照仿真结果制作印制板图。放大器实物测试结果显示,在3.6GHz~4.2GHz范围内增益为(30±2)dB,噪声温度小于45K,输入、输出驻波比均小于1.5:1,达到了预期要求。     

一种用于并行GPS接收机的1.1～1.7 GHz宽带低噪声放大器

介绍应用于并行GPS接收机系统的1.1～1.7GHz的宽带低噪声放大器。采用带有源级电感负反馈的cascode结构,输入采用前置切比雪夫3阶LC ladder带通滤波器展宽频带,并具有单端输入转双端输出的功能。该电路仿真基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,结果表明,LNA带宽为1.1～1.7GHz,频带内输入回波损耗小于-10dB,功率增益大于14dB,带内噪声系数最小可达到3.2dB,输入1dB压缩点在1.36GHz为-6.35dBm。在1.8V电源电压下,主体电路消耗18mA电流。     

基于鳍线过渡的W波段低噪声放大器设计

对W波段鳍线过渡进行分析,设计并制作采用Spline曲线形式的鳍线过渡。在整个W波段,单个过渡结构插入损耗小于1.6dB,回波损耗小于-12dB,实现了良好的宽带性能。基于该鳍线过渡,设计一种W波段低噪声放大器,芯片选用MMIC单片CGY2190UH,整机在80GHz~100GHz之间增益大于20dB,平坦度小于3dB。     

基于双驱动调制的低噪声微波光子混频器

微波光子混频技术是利用光域频谱搬移间接实现微波信号与中频信号之间的频率变换,它具有工作频段高、瞬时带宽大、多通道并行处理能力强等优势。本文设计采用双驱动调制器实现光域微波信号下变频功能,通过对该微波光子混频器的建模与仿真,分析了影响混频器变频性能的因素。并且针对该架构开发了相应的变频模块,同时配置了相应的前置低噪声放大器与中频滤波器来进一步抑制噪声、改善杂散抑制度。通过测试,该模块在24GHz-28GHz频率范围内变频增益＞0dB,噪声系数＜20dB,SFDR约为102dB.Hz2/3,较传统级联调制器方案的微波光子混频器在变频效率与噪声性能方面有显著提升     

Ku波段低噪声放大器的设计

设计一款Ku波段低噪声放大器,放大器采用两级PHEMT晶体管(VMMK1225)级联结构,单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,在11.7GHz～12.5GHz的工作频段内放大器噪声系数小于0.23 dB,带内增益大于31dB,输入、输出驻波比小于1.6。仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求。     

毫米波频段LTCC微带到带状线过渡结构设计

文章研究了两种可应用于毫米波频段的LTCC微带到带状线的过渡结构,包括一种微带到带状线的垂直过渡和一种微带到带状线的同层过渡.利用三维电磁场仿真软件对这两种互连过渡结构进行仿真和优化,仿真结果表明在25GHz～ 40GHz的工作频带内微带到带状线垂直过渡的回波损耗大于22dB,在35GHz内端到端插损优于0.5dB,40GHz内插损优于1dB;微带到带状线同层过渡的回波损耗大于32dB,40GHz内端到端插损优于0.5dB.测试结果表明,在40GHz内两种过渡结构的性能优良,能很好地满足工程应用的要求.