一种特殊型面量规等分度多圆弧的测量

1测量原理图1为该型面量规工艺图，A点为φ60．2mm、φ40mm和φ38．7mm的中心；B、C、D点分别为φ29．3mm（三处）的中心，并在圆周上等分。图2为该型面量规测量原理图，本文要解决的是确定测量基准，求等分角和各圆孤直径由图2可知：当圆弧上P1（x1，y1）、P2（x2，y2）P3（x3     

一般密度核估计的一致相合性

V．S．M．Campos和C．C．Y．Dorea在2001年提出了关于（E，ξ）上的σ-有限测度v的一般密度函数P（x）的核估计pn（x），其中ECR，ξ是E的一个σ-域，得到了一些结果，并且验证了所得结论包含经典的连续密度核估计的结论，还进一步延伸了离散分布核估计的结论。以上面的理论为基础，继续探讨这种密度核估计的性质．在核函数满足一定的条件下，得到pn（x）是p（x）的一致渐近无偏估计。同时应用有关经验分布的一些知识，得到了一般核密度估计pn（x）的一致弱相合性和一致强相合性。     

关于一类函数的右导数

设f（x）在[0，1]有界，在[0，1]连续，并且limf（x）不存在，令F（x）＝∫f（t）dt，x∈[0.1]，讨论了F（x）在x＝0点右导数的存在性及其求法，同时指出了文献[1]的一个相关结论不能成立。     

基于SPSS对部件故障率的预测

提出一种优化的航材需求预测方法,利用汽车维修的数据,根据已知数据、数据分布和问题的不同,分别建立了fh1(x)=ah1+bh1x,fh2(x)=ah2x1/2+bh2,gx(x)=1/a2+bkx这3种模型(其中a,b为参数).对于fh1(x)采用线性回归,fh2(x),gk(x)采用非线性回归进行拟合;当数据拟合曲线误差较大时,采用精度加权值的方法来进行拟合,模型为h(x,y)=rhfh(x)+(1-rh)gk(y),其中rh=R2h/(R2h+R2k),且对所有参数进行了F检验.     

从一道习题看求偏导的方法

《高等数学》教材上常见到这样一道习题:f(x,y)=x y (y-1)arcsin(x/y)~(1/2),求f＇_x,(x,1),f＇_x(0,1),f＇_u(0,1)。此题看似普通,内涵颇多,能正确理解并完全做对的同学很少。究其原因,是对偏导定义、求偏导的方法等问题未能透彻理解。下面先看一种错误解法: 解:欲求f＇_x(x,1),f＇_x(0,1)及f＇_y(0,1),先求f＇_x(x,y),把y看作常量,对x求导,得:     

用常数变易法解线性非齐次微分方程

一、用常数变易法解一阶线性非齐次微分方程 我们知道一阶线性齐次微分方程y′+p(x)y=0 (1—1)的通解为y=ce~(-/p(x)dx) 怎样去求一阶线性非齐次微分方程y′+p(x)y=Q(x) (1—2)的通解呢?下面是其中的一种解法,称为常数变易法。     

一类中立型高维周期微分系统的周期解

文中利用指数型二分法,结合不动点定理考虑如下形式的中立型高维周期系统: 苦d/dt[x(t)+cx1]=A(t,x(t))x(t)+f(t,x1),得到其T-周期解存在的充分性条件,所得结论改进或推广了早先文献中周期解存在的相应结论。     

用分段线性连续函数逼近导函数

假设仅知道区间[a,b]上函数f(x)在等距节点a=x0相似文献   

关于递归序列的稳定性

研究递归序列,x（n＋1）=[α-βx（n-1）]/γ＋g（xn）,n=0,1…的总体特性,其中α,β,γ≥0,g（x）是定义在（-∞,＋∞）上的连续函数,并且满足一些条件。     

用边界元法计算变截面变轴力柱的屈曲

 1.变截面变轴力柱屈曲计算的边界元法 变截面变轴力柱的挠曲方程的一般形式为式中 d²/dx²[EI(x)dw/dx²]+p(x)d²x/dx²=0,E——弹性模量;W——挠度;I（x）——截面处的横截面惯性矩;P（x）——x截面处的轴向压力;x——轴向坐标。 （1）式是非线性常微分方程,本文采用微分方程分解法,将（1）式分解成两个二阶变系数常微分方程。     

ADAPTIVE MULTIPLE MODEL FILTER USING IMM AND STF

Consider a discrete- time stochastic hybridsystem　 x( k 1 ) =f( k, ( k) ,x( k) ,m( k 1 ) ) ζ( k,m( k 1 ) ) q( k) ( 1 )　 z( k 1 ) =h( k 1 ,x( k 1 ) ,m( k 1 ) ) v( k 1 ,m( k 1 ) ) ( 2 )where state x∈ Rn;measurement z∈ Rm;input∈ Rp;modeling noise q( k)∈ Rqis a zero- mean,Gaussian white noise with covariance Q( k) ;measurement noise v( k 1 )∈ Rm is also a zero-mean,Gaussian white noise with covariance R( k 1 ) ;q( k) and v( k) are statistically indepen-dent. Th…     

一类高阶有理差分动力系统

讨论了高阶有理差分方程xn 1=(αxn-k 1)/(-1 xnxn-1…xn-k 1),for n=0,1,…,其中α<0,k∈{1,2,…},x-k 1,…,x0都是实数,并且使得x-k 1…x0≠1。给出了这类方程解的明确表达式,并对其解的稳定性和收敛性也做了进一步讨论。     

一类具有分布时滞和离散时滞中立型积分微分方程周期解

考虑了具有分布和离散时滞的方程tt dd t x(t)(-)B(t,s)x(s)ds =C(t,s)x(s)ds +i=l(t,x(t -(t)))+b(t) ∫-∞ A(t,x(t))x(t)+ ∫-∞ ∑giτi周期解的存在性问题。文章通过利用线性系统的指数二分性和 Krasnoselskii不动点定理得到了1上述方程周期解存在唯一的充分条件,结论推广和改进了已有文献的结果,并通过一个例子说明该结果的优越性。     

Thermoelectric Properties of Mg2Si1-xSnx Synthesized by Bulk Mechanical Alloying

Bulk mechanical alloying （BMA） has been successfully applied to solid-state synthesis of p-type and n-type thermoelectric materials Mg2Si1-xSnx （x = 0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1） from element-powders at the room temperature in a relatively short time. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity of the Mg2Si1-xSnx are quite sensitive to the x-content. With the x-content rising, the electrical conductivity increases. When x = 0.6, it reaches the lowest and Mg2Si shows an n-type of semi-conducting However, when x = 0.2 and T 〉525 K, the Seebeck coefficient of the samples will change the opposite way. While x≥0.4, the samples present a p-type of semi-conducting. The figure of merit, Z of Mg2Si1-xSnx will be obtained in the range from 300 K to 700 K. When x = 0.6, Z proves to be higher than that of other samples at 300 K≤ T≤650 K.     

Thermoelectric Properties of Mg_2Si_(1-x)Sn_x Synthesized by Bulk Mechanical Alloying

Bulk mechanical alloying (BMA) has been successfully applied to solid-state synthesis of p-type and n-type thermoelectric mate-rials Mg2Si1–xSnx (x = 0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) from element-powders at the room temperature in a relatively short time. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity of the Mg2Si1–xSnx are quite sensitive to the x-content. With the x-content rising, the electrical conductivity increases. When x = 0.6, it reaches the lowest and Mg2Si shows an n-type of semi-conducting. However, when x = 0.2 and T >525 K, the Seebeck coefficient of the samples will change the opposite way. While x≥0.4, the samples present a p-type of semi-conducting. The figure of merit, Z of Mg2Si1–xSnx will be obtained in the range from 300 K to 700 K. When x = 0.6, Z proves to be higher than that of other samples at 300 K≤T≤650 K.     

Banach空间中的常微分方程边值问题的拟上下解方法

利用拟上下解方法,研究了一阶非线性微分方程边值问题u′(t)=f(t,u(t)),u(0)-u(T)=x1,x1≥0拟解的存在性,并通过线性微分方程的解来构造算子,从而得到单调迭代序列,进而得到该边值问题的最大最小拟解对。     

带冲击的两相气膜冷却特性数值模拟

用数值模拟方法研究了带冲击的气膜冷却系统的流场结构，示出了气流和冲击腔内的螺旋流动、气膜孔下游的肺状低压区、横截而对称双漩涡以及由双漩涡形成的交叉双锥形水蒸气体积分数等值面。比较了体积分数为0．5的水蒸气膜与纯空气膜的冷却效率，得到水蒸气膜平均冷却效率高于空气膜。在x=3d处高出31．6％。在x=26d处高山19％。水蒸气膜与空气膜相比换热系数变化不大。     

关于非扩张映像的修正粘滞迭代格式

设H是Hilbert空间,X是Banach空间,C是H或X中的非空闭凸子集,T是C→C的非扩张映射,且f是C→C的压缩映射。受H．K．Xu对粘滞迭代算法讨论的启发,提出一种新的粘滞迭代算法,xn＋1=T[（1-αn）xn＋αnf（xn）],n≥0,其中x0∈C,C是Banach空间中的非空闭凸子集,分别在Hilbert空间和Banach空间框架下证明了序列{xn}是强收敛的。     

用口诀,巧算重积分

在重积分的计算中,一般解题步骤是:先画出积分区域图,由区域的边界方程来确定积分变量的上、下限,将重积分化为累次积分。以二重积分例:在直角坐标系下,若区域D为a≤x≤b,V_1(x)≤y≤甲_2(x) 如图一所示,则采用公式一,     

压力对有序LixTiS2电子性质的影响

采用基于密度泛函理论的局域密度近似（LDA）,计算了压力对LixTiS2（x=0.0．25,0．5,0．75,1）的晶格结构和电子结构的影响。研究发现,对于同一“含量的LixTiS2,随着压力的增大,LixTiS2的晶格参数有规律的减小,插层化合物中Li的含量越高,材料越难被压缩;在压强等于1GPa左右时各体系的总能量达到最小值。各体系的费米能级随着压力的增大而降低;各原子的电子能态密度产生了漂移,压力还导致了S原子和．Ti原子p-d杂化减弱。“原子和S原子的共价相互作用得到了增强