有机电致发光器件在光通讯中的应用

本文介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构以及发光原理,探究OLED在光通讯中影响延迟时间的因素。通过构建延迟时间模型,实验分析发现外加电压、器件厚度以及器件的有效面积等因素对于延迟时间影响较大。通过实验改变OLED的有效面积时,发现OLED器件的面积越小,器件的能量利用率越高。     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。     

铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系

采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的总剂量辐射效应;根据器件迁移率的变化定性地分析了氧化层俘获电荷和界面态的生长变化与辐射剂量率、辐照剂量及时间的关系;研究了退火温度对器件退火的影响,对加速实验模拟方法作了初步的探讨。     

采用表面安装技术的电路板质量要求

由于元器件表面安装的特殊性,对电路板的选用提出了新的要求,如膨胀系数、连结的可靠性,以及很小的表面上的散热等.1.有机电路板这种电路板由一层有机树脂,经玻璃纤维加固后构成.单面压有铜箔,铜箔上刻制线路.选用的树脂要有以下特性:体积稳定、具有介质特性、阻燃性,与铜箔的粘附力强,质地坚硬以及机械性能好.     

科技成果

<正>中国制成第一块彩色柔性显示屏据人民网2013年8月10日报道,我国第一块彩色柔性显示屏(AMOLED)在华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室研制成功。这一显示屏采用华南理工自主开发的Ln-IZO金属氧化物TFT技术,显示尺寸0.12m,厚度100μm,质量不足1g,实现了彩色视频和图像显示。此显示屏具有超轻     

空间互联网应用的三层交换技术探讨及软实现

三层交换技术是运用现有路由技术和交换技术两者的优势,并将其有机地结合,很好地解决了网络路由器的瓶颈问题。文章提出基于Linux操作系统实现纯软件三层交换机,通过Linux网桥实现二层交换,使用开源软件Zebra进行三层路由,并且将二者有机地结合,使其实现＂一次路由,多次交换＂。最后,对软三层交换机的连通性及传输速率进行了实验验证与详细分析。     

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗，而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点，从而成为目前研究的热点，但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真，证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进，主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中，源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀，使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短；而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层，使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET，器件的导通电阻低至18mΩ·cm2，击穿电压高达1053V。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

微光视觉CCD在卫星云图观测中的应用

为满足气象云图观测对电荷耦合器件(CCD)的量子效率、器件规模、像素尺寸和动态范围等提出的更高要求,可选用超低噪声和高量子效率的微光视觉电荷耦合器件(L3VisionCCD)。分析了该种器件的电子倍增工作原理和性能特点,并给出CCD97器件的部分参数。讨论了L3VisionCCD器件用于云图观测时的增益选择与控制、动态范围控制,以及器件规模与实现等关键技术。分析表明,L3VisionCCD器件尤其适用于可见光云图观测,可进一步增大云图的动态范围。     

一种抑制微放电的宽带大功率定向耦合器设计

在卫星有效载荷系统中,3dB定向耦合器作为微波工程关键器件已得到广泛应用,而此类器件在太空真空环境中,常因真空环境下大功率工况引发的微放电效应形成谐振放电现象,影响耦合器性能与寿命,对于卫星系统日益增多的小型化及大功率需求,在器件设计时应充分考虑微放电效应并兼顾小型化要求,采用有效抑制手段以确保器件在轨稳定可靠。通过分析定向耦合器工作原理与不同结构耦合器之间的差异,阐述了真空环境下的微放电效应产生机理,针对性地采取基于奇偶模分析法的耦合线结构耦合器设计方法,选用高导热材料Rogers TC350+作为耦合器介质,利用软基板多层混压方式进行产品加工,通过仿真试验与真空环境实测,表明此类设计既具有体积小、重量轻的特点,又可有效抑制器件微放电效应,确保了耦合器的工作性能,满足卫星系统使用工况。     

PAL器件与PAL编程器

PAL—可编程阵列逻辑器件是七十年代末期出现的一种新型器件,由于它具有可编程性、高速、低价的优点,并可增加系统的保密性,因此在电路设计时,逐渐引起专业技术人员的重视。本文详细介绍了 PAL 器件的发展过程、分类以及应用方法,并开发了具有特色的汉化PAL 编程软件,以促进 PAL 器件在我国的开发利用。     

MTM反熔丝器件编程单元的空间应用适应性评估

文章结合航天应用空间环境要求以及MTM反熔丝器件的特点,对MTM反熔丝器件编程单元的航天应用特性进行了分析,提出了MTM反熔丝单元的可靠性评估方法,并对MTM反熔丝单元编程前后的可靠性进行了评估;从抗总剂量和抗单粒子效应两方面对MTM反熔丝器件的空间环境适应性进行试验验证。结果表明:MTM反熔丝工艺满足空间环境应用需要,采用该工艺的器件应用于航天器具有较高的可靠性和空间环境适应性。     

行星际粒子统计特征及其在深空探测用 器件失效概率预估中的应用

文章针对深空探测任务高能粒子辐射及所致器件失效定量评估问题,利用IMP-8在1973年—2001年的电子探测数据,统计了太阳电子事件通量的特征,证明事件通量符合对数正态分布。假设事件发生概率符合泊松分布,构建了行星际电子通量模型,再结合太阳质子通量模型、探测器轨道、行星际粒子在日球层的传播规律,得到不同置信度下空间粒子通量及其剂量。进一步结合器件累计失效剂量的试验数据,可定量评估器件失效概率。以一种典型的商用数据采集功能模块器件TL084和火星环绕探测任务为例,7个月转移轨道和3年火星轨道的任务期内,1 mm铝屏蔽下TL084的失效概率仅为1.01%。     

高热流CCD器件散热与精密控温技术

为保证空间相机 CCD 器件处于较小的温度波动范围,根据焦面组件的结构特点,通过仿真分析的方法,对空间相机大功率 CCD 器件的散热方法和精密温度控制策略作了初步研究。首先介绍了大功率CCD器件的热设计要求,分析了大功率CCD器件热控设计特点,提出了采用微型热管的技术途径解决小空间、高热流密度器件的热量收集与排散方案,采用了基于积分分离式PI控制的电加热主动控温策略。热分析结果表明,热控方案可以满足CCD器件的散热需求以及＆#177;0.2℃的高精度、高稳定度温度控制要求。     

一种新型继电器驱动器件及其应用

介绍了一种新型高可靠的继电器类开关驱动器件,以及由它组成的开关距阵控制电路。用此器件可以克服过去卫星遥控普遍存在的继电器驱动电路单点失效问题,并为“三化”打下了基础。     

一代全新的印制电路板：陶瓷印制电路板

随着LSI、VLSI技术和表面组装(SMT)技术的发展,以有机层压板材料、采用减成法工艺制成的传统印制电路板,正在向细线化、多层化、小孔化,以及全新的裸铜覆阻焊膜技术(SMOBC)的方向发展.与此同时,近年来又出现了以陶瓷为基板的新一代印制电路板.论述了此种电路板的特性、种类和应用.     

星载氮化镓固态功率放大器整机高可靠设计技术研究

为了满足星载应用对于固态功率放大器长寿命的应用需求，针对近年来研究较多的氮化镓（gallium nitride,GaN）固态功率放大器（solid state power amplifier,SSPA），阐述了器件存在的可靠性问题，提出了整机高可靠设计方法。首先，探讨了氮化镓器件的典型失效机理，给出了氮化镓器件在高场退化以及热退化方面的研究结果，分析了逆压电极化效应及热载流子效应引起器件退化的物理机制。其次，围绕降额设计、整机热设计以及电路稳定性设计，研究了如何针对氮化镓器件的特点实现星载固放的高可靠设计，并给出了典型的仿真及实验结果。最后，给出了典型的星载固态功率放大器空间环境模拟试验结果，产品在热真空试验、温循老炼以及高温老炼等试验过程中表现出了较高的稳定性和一致性，为氮化镓固态功率放大器的上星应用提供了有力的支撑。     

真空电子束焊在微波器件制造中的应用

简要介绍了微波器件制造中真空电子束焊的应用情况及特点．并就电子束焊对常用微波器件材料的可焊性、微波器件电子束焊常用的接头形式以及电子束焊与钎焊的比较等进行了分析与探讨、同时介绍了喇叭双功器及１６区平板天线的电子束焊技术。     

基于TS101的雷达信号处理板设计

信号处理是雷达实现功能的关键部分,选择信号处理的器件就成了非常重要的任务。论文介绍了Ku波段双天线频率扫描相控阵LFMCW多普勒雷达的系统组成,以及信号处理的实现方法,叙述了选择的各个器件及其性能参数。最后,总结提出了在PCB布线时应遵循的原则和注意的问题。     

在航天遥感器产品中推广与应用SMC/SMD产品和SMT技术

文章介绍了SMC/SMD器件和SMT技术在世界的发展状况和国内的应用概况,论述了航天遥感器在今后的设计中推广与应用SMT技术的重要性和必然性以及应用SMC/SMD器件需创造的条件。