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相似文献
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1.
对新型双相不锈钢2205与奥氏体不锈钢1Cr18Ni9Ti进行钎焊性试验。通过设计波纹板结构模盒,模盒爆破强度试验,开展钎焊接头微观组织结构分析,钎焊接头元素扩散行为及其影响分析,钎焊接头元素扩散能力计算分析,结果认为2205与1Cr18Ni9Ti钎焊可形成结合强度优良的钎焊接头。  相似文献   

2.
核电站堆内装置热电倡传感器的密封接头与铠装传感器集束钎焊,选用氩气保护下的高频钎焊工艺,高频电源GH100-H9 100kW 25~450kHz。钎料Au—Ni合金,其钎焊温度恰与集束件材料OCr18Ni9Ti的热处理温度相同。钎料为φ0.8mm丝材,辅以定量细屑状钎料,焊前准备工作镀镍、清洗,采用中间停电的三工步加热法,使集束件受热均匀,焊后检验,24.52MPa下无渗漏;剖切镜检,焊透率及热影响区合格;热电偶的电性能,包括线电阻、绝缘电阻、热电势的变动均在允许范围内。  相似文献   

3.
在钎焊温度1 080℃、保温时间0~15min条件下,用Ti-28Ni钎料对Ti60与高铌TiAl合金钎焊连接进行了研究。用SEM,EDS等方法对接头微观组织进行分析,并研究了保温时间对接头连接界面微观组织和力学性能的影响。结果表明:获得的接头无气孔和热裂纹,接头的典型界面结构为Ti60/α+(α+β)/Ti_2Ni+(α+B2)/α+Ti_3Al/Ti_3Al/B2/高铌TiAl合金;当保温时间较短时,断裂发生在钎缝处,钎缝区含大量Ti_2Ni相,随着保温时间的延长,Ti_2Ni相逐渐消失,α+Ti_3Al网状区面积不断增大且向Ti60合金侧偏移,保温时间过长时,接头断裂位置由钎缝区向高铌TiAl合金母材侧偏移,断裂形式为脆性断裂。保温时间10min时,接头平均剪切强度达到最大值139 MPa。  相似文献   

4.
对A—TIG技术的发展情况、机理进行了阐述,通过课题研究自主研制出了针对ICr18Ni9Ti和S-03两种材料的焊接用活性剂,用所研制出的活性剂进行了厚度为6mm、8mm的1Cr18Ni9Ti平板对接试件及6mm厚度S-03钢材料平板对接试件的自动和手工A-TIG焊接,完全满足QJ1842-95《结构钢、不锈钢熔焊技术条件》Ⅰ级接头要求,表明所研制的活性剂及工艺技术具有较强的工程适应性。  相似文献   

5.
采用几种钎料对碳纤维复合材料与钛合金进行真空钎焊,重点探讨了含Ti钎料钎焊碳纤维复合材料与钛合金连接界面的微观组织。研究表明,含Ti钎料润湿连接碳纤维复合材料与钛合金TC4的过程可分为五个阶段:钎料与母材的物理接触以及钎料的熔化;原子的扩散;反应层的生成;反应层沉积变厚,润湿复合材料;形成接头。研究结果对于碳纤维复合材料与钛合金的连接及在重要航天器中的应用具有重要参考价值。  相似文献   

6.
针对目前我国安装位置卫星钛导管氩弧焊存在的导管装配精度要求高、焊接周期长,接头焊缝凹陷严重等问题,在远离高频加热装置7米处,进行了模拟卫星安装位置的φ6×1mm钛导管氩气保护感应钎焊试验。试验时使用了可分式钎焊钳和70Ti—15Cu—15Ni钎料。从感应钎焊的钛导管接头的拉伸强度,液压,检漏和振动等试验结果来看,该工艺有可能替代我们目前使用的不添加焊丝的全位置氩弧焊连接工艺。  相似文献   

7.
针对Si_3N_4/TC4复合结构钎焊连接问题,研究了钎料和母材中活性元素Ti对Si_3N_4/TC4接头润湿性、界面结合机制和力学性能的影响。进行了润湿、接头显微组织分析和剪切强度试验,结果表明:活性元素Ti对于钎料在陶瓷表面的润湿起主要作用,Ag-Cu钎料通过TC4母材中Ti元素的长程扩散进入Si_3N_4界面虽然实现润湿,但形成的反应产物并不明显,陶瓷/钎料界面成为断裂薄弱区域。Ag-Cu-Ti钎料中Ti元素在Si_3N_4一侧界面富集形成TiN+Ti_5Si_3反应层,对钎料在陶瓷界面润湿性和接头断裂脆性都具有改善作用,接头剪切强度达到267.3 MPa。  相似文献   

8.
采用Ti基快速凝固钎料对TiAl基合金和42CrMo钢的真空钎焊进行研究,对分别在三种工艺条件下获得的接头性能进行了比较。通过扫描电镜和X射线衍射对接头组织进行了分析,确定了快速凝固钎料在界面层中的生成相。  相似文献   

9.
为了避免在铝合金焊接中产生晶粒长大、溶蚀等缺陷,提高铝合金的钎焊质量,本文在Al-Si共晶钎料的基础上加入合金元素Cu和其它微量元素,研制新的低熔点钎料,最后确定新钎料为Al19Cu9Si。该钎料的熔点为543℃,比BAl86.5SiMg钎料的熔点降低了40℃,试验结果表明新钎料具有良好的润湿性、流动性,接头的剪切强度、抗腐蚀性能均满足铝合金钎焊要求。  相似文献   

10.
采用Ni/Ti中间层,部分瞬间液相法(Partial Transient Liquid-Phase,简称PTLP)连接C/C复合材料和GH3044,通过SEM+EDS对接头的微观结构和元素分布进行了表征,并分析了接头形成机理。研究表明,这种方法可实现C/C复合材料与中间层、中间层与GH3044界面处的良好结合;所得接头截面为GH3044/扩散层/残余Ni层/Ni-Ti金属间化合物层/炭化物反应层/C/C复合材料;随保温时间的延长,接头中金属间化合物Ni3Ti不断生长,同时两侧的Ni、NiTi被逐渐消耗。另外,因为C/C复合材料和GH3044的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)差别很大,所以冷却过程中产生了较大的热应力,导致C/C复合材料/中间层界面附近出现了大尺寸裂纹,使接头性能下降,其剪切强度仅有9.78 MPa。  相似文献   

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