一种新型半导体硅温敏传感器

一种新型半导体硅温敏传感器已研制成功。它是以半导体中载流子的迁移率随着温度的升高而减小为工作原理,具有正的温度系数(在20℃时,α≈0.7%/℃),灵敏度高,具有良好的线性,温度范围宽(-55～+200℃),响应快。由于采用了半导体平面工艺,所以可以大批量生产,成本低,稳定可靠。可以应用于工业上的温度测量和控制、家用电器中的测温控温以及医疗卫生、环境监测、气象研究等;还可以应用于电子线路中的温度补偿和过热保护。     

抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.     

一种小型高性能铷频率标准

业已研制出一种小型通用铷气泡频率标准,来满足在各种应用中对精密振荡器日益增长的需要。本文介绍一种新的已研制成功的频率标准的设计原理和性能特性。新型铷频率标准在电气和结构设计上都体现了新的特点和改进,例如,不带滤光泡的小型双气泡型光学微波部件,采用了许多集成电路的一种改进型的伺服电子仪器,而且采用了母板和插入式组件,因此结构简单,适于制作。由于在吸收泡内采用了天然铷来取代同位素R_b~(87),因此,取消了滤光泡,实现了光学微波部件的小型化。上述特点使新型铷频率标准具有体积小(2升)、重量轻(2.9公斤)和工作温度范围宽(-20℃—+60℃)的特点。已经进行一系列测量来表征新型铷频率标准的性能。尽管尺寸已显著缩小,但是和实验室所使用的大得多的铷频率标准相比较,它已显示出极好的长期、短期稳定度和在长期工作条件下具有高的环境稳定性。     

Σ-演算的范畴模型

Σ-演算是并发演算CC的子理论,集中体现CC中的并行运算部分的特征。本文将并发通信系统看作是由状态加变换构成的动态系统,建立了Σ-演算的范畴模型(Categorical ModeI),其基本思想是:把Σ-演算中的公式对应于范畴构造中的对象(Objects),Σ-演算中的推演对应于范畴中的态射(Morphisms),从而通过Σ-演算的结构操作语义自然地得到一种范畴结构。这种方法可以推广到其它并发理论之中,例如网论和逻辑方法(如线性逻辑Linear Logic),从而范畴论可以作为描述并发、通信和非确定性行为的统一的形式化框架。     

一种采用介质谐振器的X波段GaAsFET振荡器

一种采用介质谐振器的高稳定X波段GaAsFET振荡器已经研制出来。这种振荡器的频率稳定度低于±1MHz(-40℃～85℃),其外形尺寸大大地缩小了(20.3mm×12.6mm×8.8mm)。为介质谐振器研制了一种新材料Ba(NiTa)为O3—Ba(ZrZnTa)为O3,这种新型材料具有非常高的Q值和高的温度稳定性。在10GHz和Tf=0ppm/℃时,谐振器的特性为K=29,Q=10000。     

双频发射机交叉调制干扰的测试

一、引言双频发射机是卫星上遥测系统中的一个系统。它有两个频率输出(设为F_(c1)和F_(c2)<1000MHz),它们在调试和功率放大级分开为两个彼此独立的通道。F_(c1)和F_(c2)的频率是固定的。双频发射机的输出信号采用了相位调制(φM)方式,从设计和使用者角度来讲,都是希望调制信号具有良好的调制线性和隔离度,并且输出载波频率要稳定。在该机的测试     

基于C8051F061的微机补偿晶体振荡器

设计了一种基于C8051F061芯片的新型微机补偿晶体振荡器(简称MCXO).由于C8051F061单片机丰富的硬件资源、同时充分发挥了软件的作用使得本设计具有结构简单、体积小、功耗低、开机预热时间短等优点,主要技术指标为:频率温度稳定度为±5×10-8(-40℃～+85℃),体积为(35×23×10)mm3,平均功耗不大于60mW.     

氮化铝薄膜及复合体波谐振器

为了在超高频范围内对基模振荡器进行控制和运用滤波器,开展了对于小型体波谐振器的基本材料和器件特性的研究。本文报道了氮化铝(ALN)在构成复合谐振器几何形状和边缘支撑型晶片结构方面的性能。 ALN薄膜是在直流平板磁控管溅镀装置中,用中间电极溅射出来的AL和等离子气体中的N_2之间的等离子体反应生成的。一般溅镀条件是:溅镀压力=1×10~(-3)毛,空气含氮量=99.999％基片温度=200℃,直流功率-225瓦,溅镀率=1.2微米/小时。ALN薄膜的品质用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射法和奥格(Auger)电子分光镜进行鉴定。检测结果说明,溅镀的ALN薄膜具有严格的晶向结构,其C轴垂直于Si(硅)基片表面。对于由1.7微米ALN薄膜和8微米Si基片组成的谐振器,测出的基频串联谐振频率为328.53兆赫,基频并联谐振频率为328.61兆赫。这种规格谐振器的Q值约有7500,它在-20℃至+120℃范围内的实测温度系数约为-4×10~(-8)/℃。对于具有1.7微米ALN薄膜和6微米Si基片的谐振器,实测的温度系数是-6×10~(-6)/℃。这种规格谐振器的Q值约为5000,它的基频串联谐振频率是524.11兆赫,而基频并联谐振频率是524.45兆赫。应用微电子半导体加工技术,已经制成了边缘支撑型ALN晶片。晶片厚度为1.0至7微米,面积约为300平方微米。这种晶片是边缘支撑型的,这与以前报道的底膜支撑型薄膜是不相同的。厚度为6.5微米的典型ALN晶片在790兆赫附近产生基模谐振,耦合系数为10.3％。在-20℃至120℃范围内测得的温度系数可达到-20.5×10~(-6)/℃。目前,已按外延特性制造出具有水平C轴的氧化锌ZnO晶片。这种晶片显示出切变波谐振特性,这意味着晶片有很高的谐振Q和比较简单的模式结构。     

非仿射参数依赖LPV模型的变体飞行器H∞控制

变体飞行器可以在不同的飞行环境及飞行任务下自适应地进行结构变形,从而确保飞行过程中具有最优的气动性能。以一类翼展可变的飞行器模型为对象,研究了一种针对非仿射参数依赖结构的线性变参数(LPV)系统的控制问题。在Jacobian线性化基础上,将变体过程中的非线性模型精确拟合为以翼展变形率为时变参数的LPV系统。与大多数LPV控制不同的是,此系统为多项式参数依赖结构,不具有仿射参数依赖形式。利用线性分式表示(LFR)将具有非仿射参数依赖结构的LPV模型转换为等价的线性时不变(LTI)系统。为保证变体过程的稳定,针对此LFR形式的变体模型,在满足二次Lyapunov稳定的线性矩阵不等式(LMI)条件基础上,设计了一类基于状态反馈的H∞控制器。仿真结果表明,上述控制器在外部存在干扰的情况下,能够保证变体过程的全局稳定性。因此基于LFR转换的控制器设计方法不再局限于仿射参数依赖形式,对于广泛LPV系统具有普遍适用性。     

双酚B型氰酸酯的制备与性能

研究了碱性催化法合成非晶态双酚B型氰酸酯的制备工艺,利用红外光谱(FTIR)、核磁共振(NMR)、热分析(DSC)、流变仪等方法分析了双酚B型氰酸酯的结构性能和工艺特性,研究和测试了树脂固化物介电性能、耐热性能和力学性能.研究结果表明,制备的双酚B型氰酸酯纯度高,200 ℃时的凝胶时间在100 min以上;该型氰酸酯具有较低的粘度(η_25℃=470 mPa·s,η_40℃=210 mPa·s),适于室温树脂传递模塑(RTM,Resin Transfer Molding)成型工艺;250 ℃固化后的介电常数为2.75,介质损耗角正切0.007(10 GHz),玻璃化转变温度299 ℃,弯曲强度174 MPa,模量3.2 GPa,综合性能优异.     

50MHz温度补偿晶体振荡器的研制

本文简要地讨论了采用50MHz三次泛音晶体的温度补偿晶体振荡器,分析了振荡电路,介绍了热敏电阻网络的计算方法。为改进计算而采用了比较简便直观的逐次渐近法。最后,给出了实验电路及测量结果。结果表明补偿后的50MHz晶振在宽温度范围内(-40℃～+60℃)具有±1×10~(-6)的频率稳定度。     

红外高温计

以微处理机为基础的非接触型 Raynger 2数据系统(温度范围为-30到+3000℃),可以输出(实时)瞬时温度、最高、最低温度,平均温度及温度差。而且如果需要的话,还可以连续输出。再装上专用的滤镜就能确保读数不受 CO_2水蒸汽的影响。应用方面包括生产过程的监控,维护中的故障判断,连续的在线分析,远距离电站热量的判读,     

一种利用正交变换的MIMO差分模型线性辨识算法

本文提出一种利用正交变换对多输入-多输出差分模型进行线性辨识的算法。这种算法具有以下优点:(1)由于正交变换具有保范性质,本算法能有效地避免病态问题;(2)模型阶次与参数可同时估计,从而它非常便于实际应用。     

温度补偿振荡器用SC切谐振器

本文介绍对SC切TCXO谐振器的频温一切角特性的测定情况。θ值是在下转折点温度范围+100℃至-70℃的数值。根据这种谐振器的频率温度(f-T)特性,测出了在不同温度范围(即-40℃—+75℃, -54℃—+85℃和0℃—+60℃)的最佳切角、最小频率偏移和最大频率-温度斜率。业已发现,用普通切割设备就能很容易达到切角公差。初步的滞后测量结果表明,SC切谐振器可以使TCXO的稳定度得到明显提高。     

一种专用的晶体振荡器电路M101及其应用

传统的晶体振荡器大都是采用以三极管为主的分立元件搭起来的,这种晶体振荡器的准确度可达到1×10-9/d以上的老化指标和10-10/τ以上的频率稳定性,应用也很广泛,但是它的线路比较复杂,不便于小型化,对于准确要求在1×10-8/d或低于1×10-8/d的晶体振荡器,可以采用一种新型的集成电路M101来实现.它的线路实现起来简单,可靠性高,开机特性(用AT切晶体,在稳定的室温下不加温控线路)可达到1×10-7/d专用集成电路主要介绍M101的使用情况.     

以软件为主实现IBM-PC/XT及其兼容机的GP-IB接口

IBM-PC/XT 及其兼容机(简称 PC 机)的 GP-IB 接口可以用大规模集成电路芯片来实现。但是,这种大规模集成电路芯片较昂贵,为此,开发了一种市场上容易买到、且价兼的芯片而以软件为主来实现具有控者、讲者和听者功能的 GP-IB 接口。文中介绍了这种接口的设计考虑、逻辑图和流程图。     

环境温度对汽油缸内直喷汽车排放的影响

选取2辆典型汽油缸内直喷汽车(GDIV),在环境舱内进行了不同环境温度下,车辆冷启动和热启动后按照全球轻型车统一测试循环(WLTC)运行时的排气污染物试验,测量并分析了GDIV排气中的气态污染物和颗粒物,旨在为GDIV排放系统设计、控制策略制定以及评价汽车排放对环境影响的相关研究提供理论依据。研究结果表明:环境温度对GDIV试验车辆冷启动和热启动的颗粒物数量(PN)和颗粒物质量(PM)排放因子影响显著。环境温度低于14℃,冷启动工况下行驶时PN排放难以满足国Ⅵ排放标准限值,总碳氢化合物(THC)和CO的排放因子受温度的影响显著,热启动时影响不明显。无论是热启动还是冷启动工况,当温度从-7℃逐步上升到40℃时,试验车辆的CO₂排放因子呈现先减少后增加的变化规律,2辆车在热启动时的CO₂排放因子比冷启动时平均降低4%和7%。冷启动和热启动时,氮氧化物(NO_x)排放因子受温度的影响均没有明显的规律。      

高性能电源滤波器研制成功

最近航空航天部二院二○三所研制出三种高性能滤波器,它具有工作电流大、体积小的特点、能在恶劣环境中使用〔相对湿度 93％(30℃)、环境温度-20—— 50℃〕。其技术指标达到80年代国际水平、但价格仅为国外的十分之一。主要技术指标如下:     

一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器

使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz,1570MHz和5.42MHz.测试表明:在1V电源电压下,驱动差分负载阻抗1000Ω时,混频器消耗电流约为1.37mA,变频增益( G_C )超过2.11dB,输入1dB压缩点( P _in-1dB)约为-13dBm;若加入运放驱动,变频增益可超过14dB,但会带来线性度的降低、功耗以及面积的增加.