共查询到19条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
对CVD金刚石膜的离子束铣削、电子束加工、激光加工、化学辅助机械抛光、热化学抛光等抛光技术的加工方法与原理进行了介绍,分析了这些方法的优点和不足之处。并展望了CVD金刚石薄膜抛光技术的发展方向。 相似文献
3.
4.
用于合成金刚石薄膜的微波等离子体CVD系统 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了一套功率容量大、结构合理、工作稳定的微波等离子体CVD系统。描述了系统的基本结构和性能,讨论了它的特点。作者利用该系统,在单晶Si等衬底材料上成功地合成了金刚石薄膜。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数。并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响。采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明-100V偏压下获得的类金刚石薄膜有最佳的SP3含量。扫描电镜测试表明,在(111)硅基片上获得致密的膜,但在高速钢基体上沉膜堆积现象比较严重,不易获得优质类金刚石膜。同时也给出了类金刚石的原子力显微照片(AFM),表明稳弧参数对类金刚石薄膜表面形貌有较大的影响。 相似文献
10.
类金刚石薄膜的微/纳米机械和摩擦性能 总被引:2,自引:1,他引:2
采用真空磁过滤等离子电弧沉积的方法在9Crl8钢上沉积不同厚度的DLC膜。为了检测成膜质量,在较宽的载荷范围内分别使用显微硬度、纳米压痕和划痕技术表征9Crl8钢和DLC/9Crl8的机械和摩擦性能。结果显示,9Crl8和DLC的纳米硬度和弹性模量分别为8GPa、250GPa和60GPa、600GPa,9Crl8、DLC和有机膜的摩擦系数分别为0.35、0.20和0.13。纳米压痕和划痕技术能为DLC/9Crl8提供丰富的近表面弹塑性变形和摩擦、磨损等信息。DLC/9Crl8的机械和摩擦性能的研究可以用来评估膜的承载和抗磨损性能。 相似文献
11.
介绍了单晶金刚石微型刀具的应用和技术特点,研究探讨了单晶金刚石微型刀具的设计原理和制造工艺,并探究了用"金刚石磨金刚石"方法加工金刚石微型刀具的可行性和潜力. 相似文献
12.
13.
金刚石超精密切削刀具技术概述 总被引:2,自引:0,他引:2
罗松保 《航空精密制造技术》2007,43(1):1-4
分析了国内外金刚石超精密切削刀具技术的发展概况,并从金刚石超精密切削刀具的精度控制、金刚石超精密切削刀具的选择以及金刚石超精密切削刀具的制造技术等方面进行了探讨。 相似文献
14.
简单介绍了铸铁结合剂金刚石砂轮电火花整形的原理,对电火花整形的影响因素进行了分析,为以后金属结合剂金刚石砂轮的电火花整形实验提供了一些经验。 相似文献
15.
根据金属结合剂金刚石微粉砂轮电火花修整对脉冲电源的要求,研制出一种新型的电火花修整用脉冲电源,并介绍了该电源的设计、工作原理和特点。 相似文献
16.
真空感应钎焊单层金刚石砂轮的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在真空条件下用Ni-Cr合金做钎料进行了钎焊单层金刚石砂轮的实验研究,实现了金刚石与钢基体间的牢固化学冶金结合。通过扫描电镜X射线能谱,结合X射线衍射结构分析,发现Ni-Cr合金中的Cr原子与金刚石表面的碳原子反应生成稳定连续的Cr3C2膜,在钢基体结合界面上生成(FexCry)C,这是实现合金层与金刚石及钢基体之间都有较高结合强度的主要因素。通过磨削实验验证了金刚石确实有较高的把持强度。 相似文献
17.
18.
比较研究多种气膜冷却模型的冷却效果 总被引:2,自引:4,他引:2
计算并比较了高性能航空燃气发动机尾喷管扩张调节片采用以下几种气膜冷却结构的冷却效果 :缝槽气膜冷却、离散小孔气膜冷却、缝槽 /小孔复合气膜冷却 ,发展了用单排孔和缝槽气膜的有效温比计算多排孔和缝槽 /小孔复合气膜有效温比的公式 ,计算了考虑喷管内高温燃气辐射和气膜冷却作用下喷管壁面的温度分布 ,为高性能航空燃气发动机高温部件冷却结构的选型提供了有益的参考。 相似文献
19.
YU Wei* LU Xue-qin LU Wan-bing HAN Li FU Guang-sheng College of Physics Science Technology Hebei University Baoding China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
Nanocrystalline (nc) 3C-SiC films on the Si substrate were prepared by the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposi-tion (HW-PECVD) technique. With the SiH4-CH4 gas flow ratio changing, the films exhibit different photoluminescence (PL) character-istics. Under the stoichiometric condition, the PL peak redshift from 470 nm to 515 nm is detected with the increase of excitation wave-length, which can be attributed to the quantum confinement effect radiation of 3C-SiC nanocrystals of different sizes. However, the ap-pearance of an additional PL band at 436 nm in Si-rich film might be sourced back to the excess of Si defect centers in it. This is also the case for C-rich film for its PL band lying at 570 nm. The results above quoted indicate an important influence of gas flow ratio on the PL properties of the SiC films providing an effective guidance for analyzing the luminescence mechanism and exploring the high-efficiency light emission of the SiC films. 相似文献