微波烧结制备MoSi2 及SiC/ MoSi2 纳米复合陶瓷

采用微波烧结法制备了MoSi2和10vol%SiC/MoSi2纳米复合陶瓷。通过SiC预加热体的混合式加热法和合理的保温结构设计,实现了MoSi2低温阶段的快速升温,提高了温度均匀性。密度和力学性能测试结果表明,1 450℃保温60 min烧结工艺下,MoSi2试样的相对密度达到93.4%,断裂韧度4.5 MPa.m1/2,维氏硬度为10.53 GPa,弯曲强度为186 MPa。10vol%SiC/MoSi2试样尽管相对密度下降为90.3%,但各项力学性能均优于MoSi2试样。相比1 650℃热压烧结,微波烧结温度降低了200℃,MoSi2和SiC/MoSi2试样致密性有所下降,但力学性能有较大提高,尤其是MoSi2试样。断口扫描分析表明,微波烧结试样相对热压烧结试样基体晶粒更细,孔隙细小且分布均匀;SiC/MoSi2试样微波烧结的晶粒细化效果不如MoSi2明显。     

基于低温烧结银的航天功率模块基板大面积连接工艺改进

由于传统航空功率模块中大面积基板连接采用锡铅焊料,可靠性不佳,本文采用烧结银进行大面积基板连接,研究了接头的力学性能、断裂模式和显微组织。结果表明:接头力学性能良好,平均剪切强度为45.18 MPa,呈现出内聚失效和韧性断裂模式,粘接层的孔隙率为4.82%,显微结构致密均匀,界面结合良好。改进的大面积烧结银工艺只需印刷一次焊膏,采用快速升温速率提高烧结银致密度,并将烧结压力降至2 MPa,可以满足航天功率模块中基板连接的要求。     

纳米银浆低温烧结工艺及应用可靠性

为了探索纳米银浆在大功率器件组装中的应用可靠性，亟待获得纳米银浆的烧结特性和热力学性能。本文对不同烧结温度、烧结时间、升温速率、烧结方式的纳米银浆样件烧结强度，结合烧结形貌进行了系统研究，并与航天电子产品中常规的互连材料Au80Sn20焊料、Sn90.5Ag3Cu0.5焊料以及H20E导电胶的散热性进行了对比分析。研究结果表明：采用可控升温速率空气氛围的烧结方式，在200 ℃下保温90 min，银浆样件的剪切强度最高可达40 MPa。纳米银浆导热性能与Au80Sn20相当，明显高于H20E和SAC305。在经历严酷的热应力和机械应力试验后，其剪切强度保持稳定，因此纳米银浆作为高导热连接材料在宇航大功率器件组装中具有良好的应用前景。     

用一种简易方法制造碳化硅成形体

本文对用聚碳硅烷粘结剂制作碳化硅成形体的工艺条件进行了研究。结果表明:聚碳硅烷用量控制在12％左右,提高所用聚碳硅烷的分子量和最终烧结温度,减慢升温速率,增加预制体密度,选用细颗粒碳化硅粉料或增加反复浸渗烧结次数,均可提高成形体的性能。用该方法烧结到1250℃就可制得弯曲强度为30～45MPa的碳化硅成形体。     

ZrO_2纳米级粉体烧结初期致密化过程

纳米粉体在烧结初期有２个明显不同的烧结动力学特征阶段：第１阶段粒子间界面扩散引起的纳米粒子重排的扩散蠕变是烧结致密化的主要机理,动力学关系表现为线收缩率与时间呈直线关系,纳米粉体的高烧结性就源于这个阶段;第２阶段的烧结动力学关系则可以用传统的晶界扩散传质致密化理论来解释     

收口式大曲率复材零件整体成型固化制度实施方法研究

研究了大厚度半封闭式金属阴模整体成型复合材料收口式翼尖罩的固化制度.通过4组对比试验,找出了收口式翼尖罩类复合材料零件及其模具形式符合工艺规范中固化制度的实施方法,成功满足了规范中升温阶段对零件升温速率及恒温阶段对零件保温时间的要求,验证了大厚度半封闭式金属阴模整体成型复材零件的工艺可行性及可控性.     

丝网多孔发散冷却面板烧结新工艺探索

丝网多孔发散冷却面板是液氢液氧发动机燃烧室的关键部件，是用多层金属丝网通过轧制和烧结复合而成的。制备面板通常采用的真空平压烧结工艺，烧结温度高，保温时间长，造成面板表面与陶瓷涂层隔板的粘结，严重影响了表面质量。本文探讨了真空吊挂烧结、真空表面活化烧结和热压烧结三种新工艺，表明三种工艺都可得到质量好的烧结表面，结强度 明显提高。真空吊挂烧结工艺更具有实际的应用意义。     

Mo-Cu复合材料选区激光烧结成形及后处理工艺技术研究

介绍了覆膜金属钼粉选区激光烧结快速成形技术,对其激光烧结成形动态过程进行了试验研究,获得了优化的成形工艺参数;开发了成形件的后处理工艺(真空炉高温烧结钼骨架结合渗铜工艺),并制作了后处理试验件;所得到的钼铜材料具有可加工、耐烧蚀、高电导和高热导的特点.     

不同工艺粉末对超音速火焰喷涂WC-10Co-4Cr涂层性能的影响

对比分析了采用烧结破碎和团聚烧结工艺制备的两种WC-10Co-4Cr粉末的物理性能和物相组成。采用超音速火焰喷涂技术对两种粉末进行了涂层制备,并对两种涂层的性能进行对比评价,结果表明:团聚烧结粉末制备涂层的硬度、孔隙率和抗冲蚀磨损性能均优于烧结破碎粉末制备涂层,但其结合强度略低于烧结破碎粉末制备涂层。     

激光烧结快速成形中的软件系统研究

详细介绍了激光烧结快速成形机的控制软件系统及其实际应用效果.该软件系统结合激光快速成形技术的工艺特点,采用了数据处理与加工控制并行处理的运行机制.     

覆膜陶瓷粉末的选择性激光烧结工艺研究及参数优化

研究了选择性激光烧结成形制造过程中激光功率密度、扫描速度、预热温度和激光束扫描间距对烧结成形件致密度的影响,通过正交试验及方差分析,判定了各工艺参数的显著性及其重要性顺序,并给出覆膜陶瓷粉末烧结的最佳工艺参数。     

填加造孔剂法制备泡沫铝及其吸能性能

以尿素为造孔剂,采用填加造孔剂法制备泡沫铝,系统研究了成型烧结温度、孔隙率和孔径大小对泡沫铝吸能性能的影响,在此过程中采用电子万能试验机和数字图像相关(DIC)技术同步测试分析。结果表明:填加造孔剂法可以良好的控制泡沫铝的孔隙率和孔径;泡沫铝的最佳成型烧结温度为650℃,在此温度下,泡沫铝的压缩屈服强度达到10.7 MPa;随着孔隙率的降低,泡沫铝的屈服强度和平台应力逐渐提高,材料吸能性能有显著增强;当孔径小于2.0 mm时,随着孔径的增大,材料的吸能性能小幅提高。DIC技术可以直观的表征泡沫材料力学行为,具有良好的工程应用前景。     

基于DLMS技术粉末烧结参数优化控制系统分析

从激光系统、扫描系统、粉末系统对直接激光金属烧结参数进行了分析,数值模拟了金属粉末烧结温度场,并结合γ'相析出强化相强化机理分析,建立了烧结参数优化控制模型,为烧结参数优化提供了理论基础;在此基础上提出了实时性烧结参数优化控制系统的雏形.     

先驱体转化法制备致密SiC／Si3N4复相陶瓷异形件—烧结工艺研究

研究了以陶瓷先驱体为粘合剂成型并转化制备致密ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷异形件的烧结工艺及其对烧结体的结构和性能的影响。     

氧化钇稳定氧化锆多孔陶瓷的制备与性能

以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型方法,制备出防/隔热的摩尔分数为8%Y_2O_3-ZrO_2(8YSZ)多孔陶瓷.在浆料中初始固相含量固定为10%体积分数的基础上,研究了烧结温度对8ySZ陶瓷材料的气孔率、开气孔率、孔径尺寸分布及显微结构的影响,分析了压缩强度、热导率与结构之间的关系.通过改变烧结温度,所制备的8YSZ多孔陶瓷的气孔率为65%～74%,孔隙分布均匀,平均孔径为0.68～1.82μm,压缩强度为7.92～13.15 MPa,室温热导率[最低可达0.053 W/(m·K)],比相应的致密陶瓷[～2.2 W/(m·K)]低一个数量级,且随着气孔率的增加而降低.     

刹车材料扇形片包边工艺的研究

对刹车材料扇形片包边工艺中最重要的收口工艺展开了研究.结果表明采用不用整形器的烧结工艺,生产效率成培增加.     

多级轴流压气机级间参数测量的试验研究

较详细地介绍了某多级压气机修改前后,利用叶型受感部测取各级转子出口总压、总温分布的试验方法和结果。试验结果证明该方法是可行的,得到的转子出口流场数据是可信的。叶型受感部较大限度地降低了插入式探针对转子出口流场的干扰,为研究多级压气机级间匹配关系探索了一种新的测量方法。      

烧结过程透气性指数的神经网络软测量模型的研究

烧结过程的透气性状态是烧结过程一个非常重要的状态参数,它决定了烧结过程顺利进行的程度,影响着烧结块的产量、质量。但对于这一重要的状态参数有时由于经济或技术上的原因,很难通过传感器对这些过程变量进行在线测量。提出一种软测量技术,它利用易测过程变量,依据这些易测过程变量与难以直接测量的待测过程变量之间的数学关系(软测量模型),通过各种数学计算和估计方法,从而实现对待测过程变量的测量。仿真试验证明,这种技术是行之有效的。     

航天器用薄膜温度传感器的研制及性能研究

飞行器以高超声速飞行时瞬间温升可达1 600℃以上,为了保证飞行器的可靠和运行安全,准确实时测量热防护系统表面温度显得尤为重要。针对高温环境实时测温的技术难题,结合磁控溅射技术和陶瓷烧结技术,提出了一种引线和传感器基底一体化的微小型高温薄膜温度传感器结构。采用高温检定炉对传感器陶瓷基底的高温绝缘性进行了测试,并使用多种微观形貌表征方法对传感器主要结构材料进行筛选,得到薄膜温度传感器制备所需的最佳材料组合。进行了薄膜温度传感器静态标定和综合性能高温考核试验,结果表明,所研制传感器灵敏度、重复性的变化与标准热电偶基本保持一致,在实际环境温度低于1 500℃时,传感器测量误差不超过4‰,可在1 200℃高温环境中连续准确测温6 h以上,且测温上限高达1 800℃,验证了该传感器在高温环境中进行测温的可行性和实用性,为航天器表面温度测量和热防护系统优化提供科学依据。