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对氢气泡法产生的时间线进行数字化,把图像的灰度分布存入数组进行运算,识别氢气泡时间线的前缘和后缘。根据距氢气泡发生线最近的两条时间线的前缘或后缘间距以及氢气泡时间线的时间间隔,计算流速分布。本文还提出一种测量湍流结构的速度的方法,简称结构相关法:对两幅一定时间间隔的氢气泡图像进行数字化得到灰度数组,圈定拟序结构的一部分,利用相关原理比较两图像的数组,得到所圈定拟序结构的位移,进而求得其运动速度。 相似文献
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采用氢气泡流动显示技术,研究了壁面不同展向间距粗糙元对近壁湍流拟序结构的影响.实验中粗糙元布置在氢泡丝前,其间距按如下两种排列设置:粗糙元直径的0、1和3倍,等间距1、2和4cm;每种情况粗糙元直径均为2.3、4和6mm.基于平均流速和水力直径的流动雷诺数从14000到48000变化.实验观测了光滑壁面和粗糙元壁面的近壁湍流拟序结构条带特征.发现:对于两种不同排列,相同雷诺数和相同粗糙元间距条件下条带有量纲间距均随着粗糙元直径增大而减小,条带有量纲高度均随粗糙元直径的增大而增大;相同雷诺数和相同直径粗糙元条件下条带有量纲间距均随着展向间距增大而增大,条带有量纲高度均随展向间距的增大而减小.粗糙元壁面湍流条带有量纲间距均比光滑壁面小,条带有量纲高度均比光滑壁面大.研究结果对近壁湍流的流动控制具有重要指导意义. 相似文献
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用氢气泡法显示了两种大涡,即平板起动涡和细干扰线在圆盘前诱发的大涡的内部流动结构。它们的轴向流,涡核的孤立波,以及向破裂的演变。 相似文献
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分子标记测速法(MTV)和粒子成像测速法(PIV)常被用于流动显示和流场成像测量,但在示踪粒子跟随性差、示踪粒子分布不均匀时,示踪粒子的引入会给PIV带来速度测量系统误差,而不需引入示踪粒子的MTV因荧光寿命长度限制,主要应用在高速和超声速流动测量中。为了发展无需示踪粒子、可适用于低速气流场的二维流速成像方法,本文介绍了一种基于激光诱导红外荧光的新型分子标记测速法,并在二氧化碳气体轴对称湍流射流中进行了速度测量与验证。在红外分子标记测速法中,通过红外脉冲激光选择性激发气体小分子的共振振动能级跃迁实现分子的标记,随后通过红外相机对不同时刻下跟随流场流动的激发态分子记录其发射荧光分布,进而处理得到流动速度场信息。通过考虑分子振动能量传递过程模型、有限荧光寿命、横向速度分量和分子扩散运动对荧光分布的影响,实现从荧光分布图像定量获取速度场分布。将该方法应用于5~51 m/s速度的二氧化碳湍流射流中,得到了射流轴向速度的径向分布,速度测量的相对不确定度优于8%,径向空间分辨率达到107μm,且该速度分布与湍流射流理论结果及前人实验测量结果符合较好。利用该方法分辨了射流在不同轴向位置的径向速度分布... 相似文献
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研究了栅格翼的绕流特性。采用氢气泡法和丝线法在水洞和风洞中进行实验 ,显示了栅格翼的自由涡系 ,迎角 0°~ 40°范围内各网孔内的流态。还对栅格翼绕流的基本特性以及流动机理作了讨论和分析。 相似文献
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采用以氢气泡为示踪粒子的数字粒子图像测速技术(digitalparticleimagevelocimetry,DPIV)对三种不同雷诺数下的圆柱绕流进行了研究。一般DPIV拍摄时相机固定,可得出一种速度场分布。笔者采用静止坐标,用简单的方法可以达到相机随流场移动的效果,DPIV处理结果可以看到一些更深入的情况。 相似文献
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利用大涡破碎器(LEBU)测量和考察了跨越平板湍流表面边界屋的速度型和动量厚度沿展向的分布,结果表明,LEBU的存在有可能扩大了层内流动参数沿展向的非均匀性;此外,还介绍了一个两对反向旋转的纵向涡模型,真实存在于风洞的横截面上,影响了展向非均匀性。使用本文介绍的一种沿展向非均匀性处理方法,对表面湍流摩阻估算的结果与使用摩擦阻力天平直接测量的结果基本一致。 相似文献
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对在不锈钢基体上用离子束混合技术沉积的C-SiC涂层,进行了二次离子质谱(SIMS)及傅氏变换红外吸收光谱(FI-IR)的分析。研究了不锈钢基体涂覆H+辐照前后的氢浓度分布以及H^ 辐照前后涂层的红外光谱振动吸收峰的变化,对SiC涂层阻氢的机理进行了探讨。 相似文献
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研究气泡变形对于分析泡状流中气泡的受力和运动具有重要意义.设计了一种可确定稀疏泡状流中气泡空间坐标与变形参数的图像测量技术:原始图像经预处理和增强后,结合形态学方法识别出变形气泡投影的闭合轮廓.改进了分水岭方法对气泡投影进行分割,并用对称直线法确定投影中心改进Hough变换,得到椭球气泡模型的投影椭圆参数.提出了一种由两幅投影轮廓重构三维气泡模型的算法并分析了实验误差.该技术可较准确地测得气泡空间坐标和变形参数:投影椭圆的参数误差小于3个像素,气泡识别误差小于15%. 相似文献
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本文从工厂实际出发,在宏观力学性能分析后,对临氢压力管道进行金相微观分析,评价管道的材料损伤程度和安全状况,以预测现役管线的剩余寿命。 相似文献
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对不锈钢基体上离子束混合沉积的C-SiC涂层进行了H^ 辐照模拟试验,由SIMS测量H^ 辐照前后氢的浓试分布,采用沟电子能谱(XPS)对H^ 辐照前后涂层元素C和Si进行了内层电子结合能的测量分析,研究C及Si的化学键态的变化与H的关系,探讨SiC涂层阻氢机理。 相似文献