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遥测弹上直流电源是为弹上设备供电的中间变换电源。导弹起飞前,它由地面28V电源供电;在导弹起飞后,由弹上28V电池供电,二者间的切换由继电器组合实现,如图1所示。在试验过程中,曾出现由地面电源切换到弹上电池供电后,弹上直流电源无输出的故障,致使遥测设... 相似文献
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其实这些都是通过由卫星和地面测控站等组成的天地通信网络实现的。在我国,为实现指挥中心与航天员的直接对话,成功建立了二级通信网络,由庞大的地面测控网和飞船测控与通信分系统组成。各地面站通过位于太平洋上空的同步通信卫星, 相似文献
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用Г(α,β)作为元器件失效率的验前信息,由贝叶斯定理和矩法拟合逐级推断出几种常见结构形式下的指数寿命型系统可靠性置信下限近似解。这里的参数α,β宜由专家同法间接确定,从而避免了零次失效这一敏感问题的发生。 相似文献
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航天技术二次应用范例(三十)步幅控制器中国航天工业总公司502所利用军工技术优势开发出的民用产品──轻工包装机械系统控制器,在近10年中,已由简单到复杂,由单一功能到多功能,由最初的BFK步幅控制器发展到今天的第五代BFK-5型步幅控制器。1986年... 相似文献
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惠更斯着陆器直径2.7米,呈铁饼状,重319千克,由防热外罩和降落舱组成。防热外罩由多层耐热材料制成,用于在进人大气层时保护罩内的降落舱。降落舱由上/下平台、前盖和后锥组成,其中上平台用于安装降落伞、S频段发射机和天线等服务系统,下平台的两个面用于安装科学仪器。软件采用Ada程序语言,电源采用5组锂-二氧化硫蓄电池,总容量1600瓦时。 相似文献
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可编程数字锁相环的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种可编程数字锁相环。它由单片机和数字锁相环构成。其中锁相环的工作状态和参数由单片机处理和控制。这样能较好地解决稳态误差与稳态建立时间之间的矛盾,基本上实现了在保证稳态误差小的同时,可大幅度地缩短稳态建立时间的目的,使原来的数字锁相环的性能更优。 相似文献
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一名航天员曾经这样描述在太空度过的一天:“拉开窗帘看宇宙空间。阳光灿烂,天色真美。可是不大一会儿。太阳没有了。天暗下来了,黑夜来临了,我们想又该睡觉了吧。真是有趣极了,一会儿是早晨.一会儿是黑夜……”在航天飞机绕地飞行期间。约90分钟一个昼夜周期,航天飞机由地球阳面进入阴面时.就如同由白天进入黄昏黑夜一样。 相似文献
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再入机动飞行器数学仿真研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文讨论了再入机动飞行器三自由度和六自由度仿真和分析。三自由度仿真研究了再入机动飞行器的导引规律和减速控制规律,证明了其合理性,且精度是满足要求的。而六自由度仿真说明了飞行器再入过程中虽然有静稳定和静不稳定交替出现的飞行状态,且动压变化大,如控制系统和制导方法设计良好,其精度仍可满足要求 相似文献
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本科模拟电路理论及实验课程教学内容和教学方法的改革与实践 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要介绍了模拟电路课程改革的内容和方法:首先是改革陈旧的思想观念、把本科电路教学立足点定位在培养学生成为高素质的应用型人才;在教学过程中坚持基本概念、基本电路和基本应用;精心组织教学内容。灵活调整教学顺序,把理论教学和实践教学有机的结合在一起;采用提问式与启发式相结合,讲授与讨论式相结合的教学方法;利用多媒体CAI课件辅助教学,计算机辅助教学和黑板教学相结合,集中上课和学生白学相结合;实践教学和理论教学并重,实验内容由验证型转向设计型,由单元型转向综合型,实验时间也由分散型转向相对集中型,开设虚拟实验,增加趣味性实验内容等。这些措施的采用都使教学收到良好效果。 相似文献
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德国宇航公司推销俄呼啸号火箭德国宇航公司已在同俄赫鲁尼切夫公司联合推销呼啸号火箭。这种火箭是由SS-19洲际弹道导弹改装的。SS-19是由礼炮设计局设计并由赫鲁尼切夫公司生产的。呼啸号重106吨,高24.6米,发射场在普列谢茨克,低地轨道运载能力为2... 相似文献
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3月2日,海洋二号卫星在轨交付仪式在京举行,卫星由研制单位中国航天科技集团公司正式交付给用户国家海洋局,至此,海洋二号卫星正式投入使用。 相似文献
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由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。 相似文献