功率MOSFET测试仪的设计

介绍了以单片机为核心的功率MOSFET测试仪的原理、系统结构及具体的软硬件设计。将脉冲功率法引入功率MOSFET跨导和沟道电阻的测试,很好地解决了大电流偏置下参数测试的散热问题。所设计的功率MOSFET测试仪可以进行功率MOSFET的耐压、沟道电阻、开启电压、跨导及输入结电容几个参数的精确测量,并已实用化。     

基于脉冲电源的MOSFET驱动电路研究及应用

分析了在电火花等精密加工中MOSFET驱动器的隔离技术及特点,提出了可靠驱动MOSFET的设计思路,并在实际中得到应用。     

MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。     

功率MOSFET并联主动均流设计与仿真

功率MOSFET并联在低压大电流领域是一种常见而且有效的解决方案。但是,由于MOSFET器件参数、回路寄生参数以及栅极驱动参数的差异性等因素,功率MOSFET器件并联时常常出现电流不均衡现象。通过Multisim 仿真,分析了MOSFET器件参数因素以及外围电路特性对并联支路静态和动态电流的影响;根据法拉第电磁感应定律以及磁通约束原理,采用耦合电感的均流方法,在并联的各支路中串入共磁芯耦合线圈,实现了各并联支路的电流平衡;然后,通过建立耦合电感的电路以及数学模型,揭示了串入耦合电感实现均流的数学原理。最后,通过仿真验证了串入耦合电感实现并联功率MOSFET均流方法的有效性与可行性。     

基于神经网络的SiC功率管导通电阻估测技术研究

SiC功率管器件广泛应用在航空领域的电能变换、配电等场合,其健康状况十分重要.在SiC器件的健康监测应用中,导通电阻的检测是一项十分重要的技术.为了能够简单准确地得到碳化硅(SiC)MOSFET功率器件的导通电阻,本文提出了一种基于神经网络的SiC MOSFET器件导通电阻估测方法.本文搭建SiC MOSFET导通电阻...     

利用MOSFET实现电源滞后供给的设计

提出了一种用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)来实现电源滞后供给的设计,它实现简单、稳定可靠、方便易用,同时,因MOSFET的封装较小,节约了电路板面积,提高了可靠性。本设计已经成功应用于某航电系统中,性能稳定可靠。     

UC3724／UC3725功率MOSFET驱动电路芯片组的应用

高电压、大电流N沟道MOSFET越来越广泛地应用于大功率的电力电子设备中。UNITRODE公司的UC3724／UC3725芯片组通过使用一种独特的调制技术－－通过小型的高频脉冲变压器同时传输信号和功率，实现简单高效的带有电气隔离的MOSFET驱动电路。此电路具有可工作在任意占空比下、实用性强、电路结构简单、响应速度快、输出阻抗小等特点。     

面向多旋翼重载无人机均流技术优化研究CSCD

多旋翼重载无人机的应用需要大功率的无刷直流电机为其提供升力。金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等开关器件可以通过并联提供更大的电流容量,以满足大功率的需求。然而,由于杂散电感、器件特性的变化和印制电路板(PCB)布局的不对称等原因,并联开关器件将出现不平衡电流,这可能会对系统造成损坏。为解决此问题,使用Multisim软件搭建仿真电路,测量2个并联MOSFET之间的电流,分析不平衡电流产生的具体原因,并提出了一种采用栅极串联均流电阻联合耦合电感的MOSFET并联电流均衡方法,最后通过仿真和实验验证了该方法的可行性。与串联均流电阻法和耦合电感法相比,此方法能使导通电流保持均衡,更好地提高系统的可靠性。     

航天微电子技术中AlN 陶瓷的应用

1 引言 由于现代武器系统的控制和制导几乎均由电子装置组成,所以微电子技术一旦与武器系统紧密结合,必将使武器的命中率、反应速度、机动性能大为改善,是新一代武器系统小型化、微型化、电子化、信息化、智能化的唯一有效的技术途径。尤其是VLSI、ULSI、VHSIC 对整个军用武器装备,航天、国防现代化已不再是基础技术,同时也是核心型技术、先导型技术,关键技术。与此同时,半导体工业也被誉为支撑电     

一种新型无复位电路的双MOSFET正向变换器

讨论了传统的双MOSFET正向变换器在高频工作时存在的问题。介绍了一种无复位二极管的新型电路和变压器结构。最后给出实验结果。     

低压电动车开关磁阻电机隔离驱动技术

在传统的低压电动车开关磁阻电机(SRM)驱动系统的设计中,优先考虑的问题是系统的体积和成本。通常在MOSFET驱动电路、相电流和母线电压采样电路设计中直接忽略了数字地和功率地的隔离问题,使得整个驱动系统的可靠性大打折扣。在保持传统的非隔离驱动系统中驱动电路和电阻采样电路的基础上,提出采用高速光耦实现PWM控制信号与MOSFET驱动信号的隔离,采用线性光耦实现相电流和母线电压采样信号与控制器AD采样信号之间的隔离。该方式可以在尽量不增加系统体积和成本的情况下,实现数字地和功率地隔离,从而进一步提升低压电动车SRM驱动系统的可靠性,具有广阔的应用前景。     

功率MOSFET逆变器在VSCF电源中的应用

 以用于交直交飞机VSCF电源系统的SPWM逆变器作为研究对象。利用数字计算机对自然采样SPWM过程进行了数值分析,得到SPWM逆变器输出电压频谱与脉宽调制参数(M、N)之间的关系。同时,数值分析考虑了GTR存贮时间t_s和导通延迟时间t_0对SRWM频谱的影响。选择新型功率开关器件—功率MOSFET构成小容量VSCF电源的逆变器。并给出两种高效、可靠的功率MQSFET栅极驱动电路及逆变器的试验特性,     

MOSFET高频、窄脉冲电解加工新型电源试验研究

论证了MOSFET斩波是高频、窄脉冲电流电解加工的中小型电源的优选方案 ,其频带分布、脉宽等级及波形、频率特性、容量等性能规格均适合于中小型零件精密电解加工的要求。对气门模具、叶片等多种类型的工艺性试验均获得高精度、高表面质量的效果     

Interleaved buck converters with a single-capacitor turn-off snubber

This paper proposes interleaved buck converters with a single-capacitor snubber to smooth out switch turn-off transition. The single-capacitor snubber is used to limit rising rate of drain-source voltage of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) switch in the converters to reduce turn-off loss. In addition, the converters are operated at the boundary of continuous and discontinuous conduction modes (CCM), (DCM) to reduce turn-on loss, and in an interleaving fashion to reduce output current ripple. As compared with the counterparts of conventional converter topologies, the proposed converters have the merits of less component count, higher efficiency over a certain load range, smaller size, and they are easier to implement. Hardware measurements obtained from experimental prototypes have verified these merits.     

Analysis and design of series-parallel resonant power supply

A modified series-parallel high-frequency resonant DC/DC converter configuration is proposed. A simplified steady-state analysis of the converter, including the effect of a high-frequency transformer using complex circuit analysis, is presented. Based on the analysis, a simple design procedure is given. The effect of magnetizing inductances of the high-frequency transformer on the performance of the converter is discussed. Detailed experimental results obtained from a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor)-based 1-kW converter are presented to verify the analysis. The converter presented has almost constant efficiency from full load to quarter load, and the converter has load short circuit capability